SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
STTH20LCD06CG-TR STMicroelectronics stth20lcd06cg-tr -
RFQ
ECAD 1354 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB stth2 标准 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 10a 2 V @ 10 A 50 ns 1 µA @ 600 V 175°c (最大)
SBR20U100CTE Diodes Incorporated SBR20U100CTE -
RFQ
ECAD 2356 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SBR20 超级障碍 TO-262 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 SBR20U100CTEDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 700 mv @ 10 a 500 µA @ 100 V -65°C〜175°C
SBR20100CTE Diodes Incorporated SBR20100CTE 0.8800
RFQ
ECAD 6387 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SBR20100 超级障碍 TO-262 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 100 v 10a 820 mv @ 10 a 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C
MSKD36-16 Microsemi Corporation MSKD36-16 -
RFQ
ECAD 5720 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 D1 标准 D1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1600 v 36a 1.25 V @ 100 A 5 ma @ 1600 V
MSCD70-16 Microsemi Corporation MSCD70-16 -
RFQ
ECAD 3490 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 D1 标准 D1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1600 v 70a 1.48 V @ 200 A 5 ma @ 1600 V
BYV410-600,127 WeEn Semiconductors BYV410-600,127 1.6000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Ween半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 BYV410 标准 TO-220AB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 20a 2.1 V @ 10 A 35 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大)
V40100G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40100G-E3/4W 1.0473
RFQ
ECAD 3429 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V40100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 810 mv @ 20 a 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
V60200PG-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60200PG-E3/45 -
RFQ
ECAD 2067 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 V60200 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 30a 1.48 V @ 30 A 200 µA @ 200 V -40°C〜150°C
VB30120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30120C-E3/4W 0.9933
RFQ
ECAD 8894 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB30120 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 15a 970 mv @ 15 A 800 µA @ 120 V -40°C〜150°C
VB40150C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40150C-E3/4W 2.1000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB40150 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 20a 1.43 V @ 20 A 250 µA @ 150 V -55°C〜150°C
VB60100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB60100C-E3/4W 2.6900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB60100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 30a 790 mv @ 30 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
VF20200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20200C-E3/4W 1.7600
RFQ
ECAD 370 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF20200 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 1.6 V @ 10 A 150 µA @ 200 V -40°C〜150°C
MBRF1545CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1545CT-E3/45 1.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF1545 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 7.5a 570 mv @ 7.5 A 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C
MBRF1560CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1560CT-E3/45 1.5300
RFQ
ECAD 521 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF1560 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 7.5a 750 MV @ 7.5 A 1 mA @ 60 V -65°C〜150°C
MBRF15H45CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF15H45CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 5477 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF15 肖特基 ITO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 7.5a 630 MV @ 7.5 A 50 µA @ 45 V -65°C〜175°C
MBRF15H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF15H60CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 1318 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF15 肖特基 ITO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 7.5a 730 MV @ 7.5 A 50 µA @ 60 V -65°C〜175°C
MBRF20100CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF20100CT-E3/4W 1.7900
RFQ
ECAD 2551 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF20100 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 800 mv @ 10 a 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C
MBRF2035CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF2035CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 2217 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF20 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 10a 650 MV @ 10 A 100 µA @ 35 V -65°C〜150°C
MBRF20H150CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF20H150CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4823 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF20 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 10a 900 mv @ 10 a 5 µA @ 150 V -65°C〜175°C
MBRF20H60CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF20H60CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 7875 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF20 肖特基 ITO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 710 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -65°C〜175°C
MBRF2535CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF2535CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4090 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF25 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 15a 820 mv @ 30 a 200 µA @ 35 V -65°C〜150°C
MBRF2545CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF2545CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 2956 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF25 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 12.5a 200 µA @ 45 V -65°C〜150°C
MBRF2550CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF2550CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 1511 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF25 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 15a 750 MV @ 15 A 1 ma @ 50 V -65°C〜150°C
MBRF25H60CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF25H60CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 5638 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF25 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 700 MV @ 15 A 100 µA @ 60 V -65°C〜175°C
MBRF30H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF30H60CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 5866 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF30 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 680 mv @ 15 A 60 µA @ 60 V -65°C〜175°C
MI2050C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MI2050C-E3/4W -
RFQ
ECAD 7026 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MI2050 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 10a 740 mv @ 10 a 150 µA @ 50 V -65°C〜150°C
SB20H200CT-1E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB20H200CT-1E3/45 -
RFQ
ECAD 4948 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SB20H200 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 880 mv @ 10 a 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C
SBL1030CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL1030CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8257 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 SBL1030 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 5a 550 mv @ 5 a 500 µA @ 30 V -40°C〜125°C
SBL1040CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL1040CT-E3/45 1.3000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SBL1040 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 5a 550 mv @ 5 a 500 µA @ 40 V -40°C〜125°C
SBL2040CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL2040CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6240 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 SBL2040 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 10a 600 mv @ 10 a 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库