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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRF15H35CTHE3/45 | - | ![]() | 6714 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF15 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 7.5a | 630 MV @ 7.5 A | 50 µA @ 35 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | VT2080CHM3/4W | - | ![]() | 7063 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | VT2080 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VT2080CHM34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 10a | 810 MV @ 10 A | 600 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRB30H60CT-1H | - | ![]() | 3058 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MBRB30 | 肖特基 | i2pak((TO-262) | - | rohs3符合条件 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 620 MV @ 15 A | 300 µA @ 60 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | RB228NS-40FHTL | 2.0600 | ![]() | 969 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RB228 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 30a | 770 mv @ 15 A | 10 µA @ 40 V | 150°C (最大) | |||
![]() | SDT20100CT | 0.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SDT20100 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 700 mv @ 10 a | 80 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||
APT2X30S20J | 24.1200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT2X30 | 肖特基 | SOT-227(ISOTOP®) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-APT2X30S20J | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 45a | 850 mv @ 30 a | 55 ns | 500 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | BYV32-200HE3/45 | - | ![]() | 2329 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | Byv32 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 18a | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | MBRF20060R | - | ![]() | 3022 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 60 V | 100a | 750 mv @ 100 a | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | Murta20020 | 145.3229 | ![]() | 6574 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | VB10150C-E3/8W | 0.5950 | ![]() | 1949年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | VB10150 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 5a | 1.41 V @ 5 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | SDURD1560CT | 0.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SDURD1560 | 标准 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | - | 1.5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||
DSSK28-006BS-tub | - | ![]() | 8600 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | DSSK28 | 肖特基 | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 560 mv @ 15 A | 10 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBRD660CT | - | ![]() | 3351 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MBRD660 | 肖特基 | DPAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mbrd660ctos | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 3a | 700 mv @ 3 a | 100 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | ||
![]() | MD60C16D1N | 17.8630 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | D1N | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MD60C16D1N | Ear99 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 60a | 1.45 V @ 200 A | 5 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | MSAD100-16 | - | ![]() | 3489 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D1 | 标准 | D1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 1600 v | 100a | 1.35 V @ 300 A | 5 ma @ 1600 V | ||||||
![]() | VS-32CTQ030PBF | - | ![]() | 7159 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | 32CTQ030 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 15a | 490 mv @ 15 A | 1.75 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | SBT150-04J | - | ![]() | 7984 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SBT150 | 肖特基 | TO-220毫升 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 869-1031 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 15a | 550 mv @ 6 a | 200 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | VS-30CTQ040SHM3 | 1.2877 | ![]() | 1013 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 30CTQ040 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 15a | 620 MV @ 15 A | 2 ma @ 40 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | VS-15CTQ040-1PBF | - | ![]() | 6285 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | 15CTQ040 | 肖特基 | TO-262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS15CTQ0401PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 15a | 700 MV @ 15 A | 800 µA @ 40 V | 150°C (最大) | ||
![]() | MBRF4080CTL | 0.6909 | ![]() | 2328 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF4080 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | MBRF4080CTLSMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | - | 750 mv @ 20 a | 1 mA @ 80 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | V20PWM10CHM3/i | 1.1500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | V20PWM10 | 肖特基 | Slimdpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 820 mv @ 10 a | 150 µA @ 100 V | -40°C〜175°C | |||
![]() | SDURD1020CT | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SDURD1020 | 标准 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | - | 975 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||
LD411460 | - | ![]() | 4363 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 600a | 1.19 V @ 1800 A | 40 ma @ 1400 V | |||||||
![]() | SBS822-TL-H | - | ![]() | 8341 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | SBS822 | 肖特基 | 5-MCPH | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 20 v | 1a | 460 mv @ 1 a | 10 ns | 110 µA @ 10 V | -55°C〜125°C | |||
![]() | MBR30045CTL | - | ![]() | 7090 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 150a | 600 MV @ 150 A | 5 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | VS-VSKD91/04 | 40.7800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | Add-a-pak(3) | VSKD91 | 标准 | Add-a-Pak® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 50a | 10 ma @ 400 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | VIT30L60C-E3/4W | 2.2000 | ![]() | 3637 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | VIT30L60 | 肖特基 | TO-262AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VIT30L60C-E3/4WGI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 600 mv @ 15 A | 4 mA @ 60 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | STPS6045CP | - | ![]() | 5331 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-218-3 | STPS60 | 肖特基 | SOT-93 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 630 MV @ 30 A | 500 µA @ 45 V | 175°c (最大) | |||
![]() | DD710N16KHPSA2 | 374.7300 | ![]() | 3136 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 上次购买 | 底盘安装 | 模块 | DD710N16 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 710a | 1.31 V @ 2500 A | 40 mA @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MBR60080CT | 129.3585 | ![]() | 4083 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR60080 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR60080CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 300A | 880 mv @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C |
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