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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GBL06HD2G | - | ![]() | 7456 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | GBL06 | 标准 | GBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 600 V | 4 a | 单相 | 600 v | |||
GBL08HD2G | - | ![]() | 5113 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | GBL08 | 标准 | GBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 800 V | 4 a | 单相 | 800 v | |||
GBLA04 | - | ![]() | 7650 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | GBLA04 | 标准 | GBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 400 V | 4 a | 单相 | 400 v | |||
![]() | GBU1001HD2G | - | ![]() | 1281 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU1001 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 50 V | 10 a | 单相 | 50 V | ||
![]() | GBU401HD2G | - | ![]() | 6141 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU401 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 50 V | 4 a | 单相 | 50 V | ||
![]() | GBU805H | 0.8550 | ![]() | 6497 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU805 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | 8 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | HDBL105G | 0.3999 | ![]() | 9061 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | HDBL105 | 标准 | DBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.7 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | 1 a | 单相 | 600 v | ||
HDBLS102G C1G | - | ![]() | 4716 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | HDBLS102 | 标准 | DBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | 1 a | 单相 | 100 v | |||
BU25H06-M3/p | 1.9637 | ![]() | 3218 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ISOCINK+™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,bu | BU25H06 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | BU25H06-M3/PGI | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 3.5 a | 单相 | 600 v | ||
BU25H06-E3/p | 1.9637 | ![]() | 4069 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ISOCINK+™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,bu | BU25H06 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | BU25H06-E3/PGI | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 3.5 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | 2KBP02ML-6192E4/72 | - | ![]() | 2878 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 过时的 | -55°C〜165°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 2KBP02 | 标准 | kbpm | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 200 V | 2 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | 2KBP06ML-6145E4/72 | - | ![]() | 3294 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 过时的 | -55°C〜165°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 2KBP06 | 标准 | kbpm | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 600 V | 2 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | 2KBP06ML-6762E4/72 | - | ![]() | 4069 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 过时的 | -55°C〜165°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 2KBP06 | 标准 | kbpm | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 600 V | 2 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | 2KBP08ML-6581E4/72 | - | ![]() | 1605 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 过时的 | -55°C〜165°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 2KBP08 | 标准 | kbpm | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 800 V | 2 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | 2KBP10M-E4/72 | - | ![]() | 3342 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C〜165°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 2KBP10 | 标准 | kbpm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 1000 V | 2 a | 单相 | 1 kV | ||
![]() | 3KBP08M-E4/72 | - | ![]() | 7983 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 3KBP08 | 标准 | kbpm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 3 A | 5 µA @ 800 V | 3 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | 3N249-E4/72 | - | ![]() | 1611 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 3N249 | 标准 | kbpm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.3 V @ 1.57 A | 5 µA @ 400 V | 1.5 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | 3N258-E4/72 | - | ![]() | 7294 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 过时的 | -55°C〜165°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 3N258 | 标准 | kbpm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 800 V | 2 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | KBP02ML-6127E4/72 | - | ![]() | 3328 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | KBP02 | 标准 | kbpm | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.3 V @ 1.57 A | 5 µA @ 200 V | 1.5 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | KBP08ML-6747E4/51 | - | ![]() | 7762 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | KBP08 | 标准 | kbpm | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.3 V @ 1.57 A | 5 µA @ 800 V | 1.5 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | CBR1-010 | - | ![]() | 5602 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,一个情况 | 标准 | 案件 | 下载 | 不适用 | CBR1-010 PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 100 V | 1.5 a | 单相 | 100 v | ||||
![]() | CBR1-040 | - | ![]() | 1663年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,一个情况 | 标准 | 案件 | 下载 | 不适用 | CBR1-040 PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 1.5 a | 单相 | 400 v | ||||
![]() | CBR1-100 | - | ![]() | 3076 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,一个情况 | 标准 | 案件 | 下载 | 不适用 | CBR1-100 PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 1.5 a | 单相 | 1 kV | ||||
TS10KL80 | 0.5997 | ![]() | 5073 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbjl | TS10KL80 | 标准 | kbjl | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 800 V | 10 a | 单相 | 800 v | |||
![]() | TS6K80 | 1.2500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | TS6K80 | 标准 | TS4K | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 800 V | 6 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | GBU407 | 1.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU407 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 4 a | 单相 | 1 kV | ||
![]() | MBS6 | 0.5000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-Besop (0.173“,4.40mm宽度) | MBS6 | 标准 | MBS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 800 MA | 单相 | 600 v | ||
![]() | ABS15M Reg | 0.2700 | ![]() | 6601 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | ABS15 | 标准 | 腹肌 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 1.5 a | 单相 | 1 kV | ||
![]() | DBLS107G | 0.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | DBLS107 | 标准 | DBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 1000 V | 1 a | 单相 | 1 kV | ||
![]() | DBLS157G | 0.7800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | DBLS157 | 标准 | DBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 1000 V | 1.5 a | 单相 | 1 kV |
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