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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io(io) 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
GBL06HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL06HD2G -
RFQ
ECAD 7456 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBL06 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V 4 a 单相 600 v
GBL08HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL08HD2G -
RFQ
ECAD 5113 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBL08 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V 4 a 单相 800 v
GBLA04 Taiwan Semiconductor Corporation GBLA04 -
RFQ
ECAD 7650 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBLA04 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V 4 a 单相 400 v
GBU1001HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1001HD2G -
RFQ
ECAD 1281 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU1001 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 50 V 10 a 单相 50 V
GBU401HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU401HD2G -
RFQ
ECAD 6141 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU401 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 4 a 单相 50 V
GBU805H Taiwan Semiconductor Corporation GBU805H 0.8550
RFQ
ECAD 6497 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU805 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V 8 a 单相 600 v
HDBL105G Taiwan Semiconductor Corporation HDBL105G 0.3999
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) HDBL105 标准 DBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.7 V @ 1 A 5 µA @ 600 V 1 a 单相 600 v
HDBLS102G C1G Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS102G C1G -
RFQ
ECAD 4716 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 HDBLS102 标准 DBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V 1 a 单相 100 v
BU25H06-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU25H06-M3/p 1.9637
RFQ
ECAD 3218 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ISOCINK+™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU25H06 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 BU25H06-M3/PGI Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
BU25H06-E3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU25H06-E3/p 1.9637
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ISOCINK+™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU25H06 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 BU25H06-E3/PGI Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
2KBP02ML-6192E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP02ML-6192E4/72 -
RFQ
ECAD 2878 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 2KBP02 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 200 V 2 a 单相 200 v
2KBP06ML-6145E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP06ML-6145E4/72 -
RFQ
ECAD 3294 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 2KBP06 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 600 V 2 a 单相 600 v
2KBP06ML-6762E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP06ML-6762E4/72 -
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 2KBP06 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 600 V 2 a 单相 600 v
2KBP08ML-6581E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP08ML-6581E4/72 -
RFQ
ECAD 1605 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 2KBP08 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 800 V 2 a 单相 800 v
2KBP10M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP10M-E4/72 -
RFQ
ECAD 3342 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 2KBP10 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 1000 V 2 a 单相 1 kV
3KBP08M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP08M-E4/72 -
RFQ
ECAD 7983 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 3KBP08 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 800 V 3 a 单相 800 v
3N249-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N249-E4/72 -
RFQ
ECAD 1611 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 3N249 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 400 V 1.5 a 单相 400 v
3N258-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N258-E4/72 -
RFQ
ECAD 7294 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 3N258 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 800 V 2 a 单相 800 v
KBP02ML-6127E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP02ML-6127E4/72 -
RFQ
ECAD 3328 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP02 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
KBP08ML-6747E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP08ML-6747E4/51 -
RFQ
ECAD 7762 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP08 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 800 V 1.5 a 单相 800 v
CBR1-010 Central Semiconductor Corp CBR1-010 -
RFQ
ECAD 5602 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4圆,一个情况 标准 案件 下载 不适用 CBR1-010 PBFRE Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 1 A 10 µA @ 100 V 1.5 a 单相 100 v
CBR1-040 Central Semiconductor Corp CBR1-040 -
RFQ
ECAD 1663年 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4圆,一个情况 标准 案件 下载 不适用 CBR1-040 PBFRE Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V 1.5 a 单相 400 v
CBR1-100 Central Semiconductor Corp CBR1-100 -
RFQ
ECAD 3076 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4圆,一个情况 标准 案件 下载 不适用 CBR1-100 PBFRE Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 1 A 10 µA @ 1000 V 1.5 a 单相 1 kV
TS10KL80 Taiwan Semiconductor Corporation TS10KL80 0.5997
RFQ
ECAD 5073 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbjl TS10KL80 标准 kbjl 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 A 5 µA @ 800 V 10 a 单相 800 v
TS6K80 Taiwan Semiconductor Corporation TS6K80 1.2500
RFQ
ECAD 11 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl TS6K80 标准 TS4K 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 A 5 µA @ 800 V 6 a 单相 800 v
GBU407 Taiwan Semiconductor Corporation GBU407 1.1900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU407 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 1000 V 4 a 单相 1 kV
MBS6 Taiwan Semiconductor Corporation MBS6 0.5000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-Besop (0.173“,4.40mm宽度) MBS6 标准 MBS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V 800 MA 单相 600 v
ABS15M REG Taiwan Semiconductor Corporation ABS15M Reg 0.2700
RFQ
ECAD 6601 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 ABS15 标准 腹肌 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 1000 V 1.5 a 单相 1 kV
DBLS107G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS107G 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DBLS107 标准 DBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 1000 V 1 a 单相 1 kV
DBLS157G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS157G 0.7800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DBLS157 标准 DBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 1000 V 1.5 a 单相 1 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库