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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io(io) 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
GBPC5004M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5004M T0G -
RFQ
ECAD 6027 0.00000000 台湾半导体公司 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方米,GBPC40-m GBPC5004 标准 GBPC40-m 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 400 V 50 a 单相 400 v
GBPC1510T GeneSiC Semiconductor GBPC1510T 2.4180
RFQ
ECAD 2180 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC GBPC1510 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
KBPC5010T GeneSiC Semiconductor KBPC5010T 4.2700
RFQ
ECAD 331 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC5010 标准 KBPC-T 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 1000 V 50 a 单相 1 kV
2KBP02-BP Micro Commercial Co 2KBP02-bp -
RFQ
ECAD 1330 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜165°C 通过洞 4-SIP,KBPL 2KBP02 标准 KBPL 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 1.2 V @ 2 A 10 µA @ 200 V 2 a 单相 200 v
GBJ20005-BP Micro Commercial Co GBJ20005-bp 0.6384
RFQ
ECAD 4680 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C〜150°C 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ20005 标准 GBJ 下载 353-GBJ20005-bp Ear99 8541.10.0080 1 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 50 V 20 a 单相 50 V
KBP06M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP06M-M4/51 -
RFQ
ECAD 4051 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP06 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 600 V 1.5 a 单相 600 v
G2SBA20-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20-M3/51 -
RFQ
ECAD 2798 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl G2SBA20 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 750 MA 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
GBU4JL-6088E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4JL-6088E3/45 -
RFQ
ECAD 4767 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V 3 a 单相 600 v
GBPC2502W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2502W T0G -
RFQ
ECAD 8869 0.00000000 台湾半导体公司 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC2502 标准 GBPC-W 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
GBU8G-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8G-E3/51 2.0600
RFQ
ECAD 2302 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 8 A 5 µA @ 400 V 3.9 a 单相 400 v
DFL1501S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DFL1501S-E3/77 0.3298
RFQ
ECAD 5289 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DFL1501 标准 DFS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 100 V 1.5 a 单相 100 v
GBU8JL-5300E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8JL-5300E3/51 -
RFQ
ECAD 4474 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V 3.9 a 单相 600 v
MB6S onsemi MB6S 0.5100
RFQ
ECAD 170 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-269AA,4-Besop MB6 标准 4-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 1 V @ 500 MA 5 µA @ 600 V 500 MA 单相 600 v
GBL08L-5701E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL08L-5701E3/51 -
RFQ
ECAD 4223 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBL08 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V 3 a 单相 800 v
BU1006A-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1006A-M3/45 2.2500
RFQ
ECAD 799 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU1006 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
BU15105S-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU15105S-M3/45 -
RFQ
ECAD 5374 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU15105 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.05 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
GBU8KL-5301E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8KL-5301E3/45 -
RFQ
ECAD 2241 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 µA @ 800 V 3.9 a 单相 800 v
GBPC3501W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3501W T0G -
RFQ
ECAD 2238 0.00000000 台湾半导体公司 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC3501 标准 GBPC-W 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 100 V 35 a 单相 100 v
2KBP08M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP08M-M4/51 -
RFQ
ECAD 9270 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 2KBP08 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 800 V 2 a 单相 800 v
APTDR40X1601G Microchip Technology APTDR40X1601G 49.2100
RFQ
ECAD 4904 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP1 APTDR40 标准 SP1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1.3 V @ 40 A 20 µA @ 1600 V 40 a 三期 1.6 kV
GBPC3502M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3502M T0G -
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 台湾半导体公司 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC-M GBPC3502 标准 GBPC-M 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 200 V 35 a 单相 200 v
GBU8D-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8D-E3/45 1.9700
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 8 A 5 µA @ 200 V 3.9 a 单相 200 v
GBU4B-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4B-E3/45 1.0296
RFQ
ECAD 4502 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1 V @ 4 A 5 µA @ 100 V 3 a 单相 100 v
DF01S1 onsemi DF01S1 0.6100
RFQ
ECAD 8863 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DF01 标准 4-SDIP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 1.1 V @ 1 A 3 µA @ 100 V 1 a 单相 100 v
GBU8ML-7014M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8ML-7014M3/45 -
RFQ
ECAD 7096 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 µA @ 1000 V 3.9 a 单相 1 kV
APT60DF60HJ Microchip Technology APT60DF60HJ 20.7700
RFQ
ECAD 72 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 APT60DF60 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 2.3 V @ 60 A 25 µA @ 600 V 90 a 单相 600 v
GBU4G-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4G-E3/45 1.9500
RFQ
ECAD 372 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V 3 a 单相 400 v
GBU6JL-7001M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6JL-7001M3/45 -
RFQ
ECAD 2138 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU6 标准 gbu - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 6 A 5 µA @ 600 V 3.8 a 单相 600 v
GBU8JL-5700M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8JL-5700M3/51 -
RFQ
ECAD 1537年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V 3.9 a 单相 600 v
RBV5008 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5008 3.9300
RFQ
ECAD 620 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV5008 8541.10.0000 100 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 800 V 50 a 单相 800 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库