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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GBPC5004M T0G | - | ![]() | 6027 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方米,GBPC40-m | GBPC5004 | 标准 | GBPC40-m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 400 V | 50 a | 单相 | 400 v | |||
![]() | GBPC1510T | 2.4180 | ![]() | 2180 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC | GBPC1510 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 15 a | 单相 | 1 kV | |||
KBPC5010T | 4.2700 | ![]() | 331 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC5010 | 标准 | KBPC-T | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 5 µA @ 1000 V | 50 a | 单相 | 1 kV | ||||
![]() | 2KBP02-bp | - | ![]() | 1330 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜165°C | 通过洞 | 4-SIP,KBPL | 2KBP02 | 标准 | KBPL | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.2 V @ 2 A | 10 µA @ 200 V | 2 a | 单相 | 200 v | |||
![]() | GBJ20005-bp | 0.6384 | ![]() | 4680 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜150°C | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ20005 | 标准 | GBJ | 下载 | 353-GBJ20005-bp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.05 V @ 10 A | 10 µA @ 50 V | 20 a | 单相 | 50 V | ||||
![]() | KBP06M-M4/51 | - | ![]() | 4051 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | KBP06 | 标准 | kbpm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 600 V | 1.5 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | G2SBA20-M3/51 | - | ![]() | 2798 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | G2SBA20 | 标准 | GBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 750 MA | 5 µA @ 200 V | 1.5 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | GBU4JL-6088E3/45 | - | ![]() | 4767 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 600 V | 3 a | 单相 | 600 v | |||
GBPC2502W T0G | - | ![]() | 8869 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC2502 | 标准 | GBPC-W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 200 V | 25 a | 单相 | 200 v | |||
![]() | GBU8G-E3/51 | 2.0600 | ![]() | 2302 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 400 V | 3.9 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | DFL1501S-E3/77 | 0.3298 | ![]() | 5289 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | DFL1501 | 标准 | DFS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 100 V | 1.5 a | 单相 | 100 v | ||
![]() | GBU8JL-5300E3/51 | - | ![]() | 4474 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | 3.9 a | 单相 | 600 v | |||
MB6S | 0.5100 | ![]() | 170 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-269AA,4-Besop | MB6 | 标准 | 4-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 1 V @ 500 MA | 5 µA @ 600 V | 500 MA | 单相 | 600 v | |||
![]() | GBL08L-5701E3/51 | - | ![]() | 4223 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | GBL08 | 标准 | GBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 800 V | 3 a | 单相 | 800 v | |||
BU1006A-M3/45 | 2.2500 | ![]() | 799 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,bu | BU1006 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 600 V | 10 a | 单相 | 600 v | |||
BU15105S-M3/45 | - | ![]() | 5374 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,BU-5 | BU15105 | 标准 | ISOCINK+™BU-5S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 15 a | 单相 | 1 kV | |||
![]() | GBU8KL-5301E3/45 | - | ![]() | 2241 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 800 V | 3.9 a | 单相 | 800 v | |||
GBPC3501W T0G | - | ![]() | 2238 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC3501 | 标准 | GBPC-W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 100 V | 35 a | 单相 | 100 v | |||
![]() | 2KBP08M-M4/51 | - | ![]() | 9270 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C〜165°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 2KBP08 | 标准 | kbpm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 800 V | 2 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | APTDR40X1601G | 49.2100 | ![]() | 4904 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | APTDR40 | 标准 | SP1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.3 V @ 40 A | 20 µA @ 1600 V | 40 a | 三期 | 1.6 kV | ||
GBPC3502M T0G | - | ![]() | 3930 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC-M | GBPC3502 | 标准 | GBPC-M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 200 V | 35 a | 单相 | 200 v | |||
![]() | GBU8D-E3/45 | 1.9700 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 200 V | 3.9 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | GBU4B-E3/45 | 1.0296 | ![]() | 4502 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 100 V | 3 a | 单相 | 100 v | ||
DF01S1 | 0.6100 | ![]() | 8863 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | DF01 | 标准 | 4-SDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 V @ 1 A | 3 µA @ 100 V | 1 a | 单相 | 100 v | |||
![]() | GBU8ML-7014M3/45 | - | ![]() | 7096 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 1000 V | 3.9 a | 单相 | 1 kV | |||
![]() | APT60DF60HJ | 20.7700 | ![]() | 72 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT60DF60 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 2.3 V @ 60 A | 25 µA @ 600 V | 90 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | GBU4G-E3/45 | 1.9500 | ![]() | 372 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 400 V | 3 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | GBU6JL-7001M3/45 | - | ![]() | 2138 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 600 V | 3.8 a | 单相 | 600 v | |||
![]() | GBU8JL-5700M3/51 | - | ![]() | 1537年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | 3.9 a | 单相 | 600 v | |||
![]() | RBV5008 | 3.9300 | ![]() | 620 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV5008 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 800 V | 50 a | 单相 | 800 v |
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