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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BR1510W | 1.0040 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BR1510W | Ear99 | 50 | ||||||||||||||
![]() | kbpm306g | - | ![]() | 1588年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 标准 | kbpm | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | kbpm306ggn | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 50 V | 3 a | 单相 | 600 v | |||
![]() | 483-03 | 478.0950 | ![]() | 3423 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 我 | 标准 | 我 | - | 到达不受影响 | 2266-483-03 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.3 V @ 39 A | 1 µA @ 600 V | 25 a | 三期 | 600 v | ||||
D8JB60 | 0.3150 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 管子 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-D8JB60 | Ear99 | 900 | |||||||||||||||
![]() | SKBPC2506 | 2.0820 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-SKBPC2506 | Ear99 | 50 | ||||||||||||||
MB1010-BP | - | ![]() | 9578 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | MB1010 | 标准 | BR-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 1000 V | 10 a | 单相 | 1 kV | |||
gbu6k | 1.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 800 V | 6 a | 单相 | 800 v | |||
CBR1-D020 PBFRE | 0.1852 | ![]() | 2880 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) | CBR1-D020 | 标准 | 4点 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 200 V | 1 a | 单相 | 200 v | |||
CBR1-D060 PBFRE | 0.5300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) | CBR1-D060 | 标准 | 4点 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | 1 a | 单相 | 600 v | |||
![]() | KBP308 | 0.4700 | ![]() | 4876 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 500 | 1.05 V @ 1.5 A | 10 µA @ 800 V | 3 a | 单相 | 800 v | ||||
![]() | GBJ10J | 0.8300 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 涌 | - | 包 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | 标准 | GBJ(5s) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBJ10J | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 5 A | 5 µA @ 600 V | 10 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | KBU1010 | 0.3740 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-KBU1010 | Ear99 | 400 | ||||||||||||||
![]() | GBU806A | 0.3300 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 管子 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-GBU806A | Ear99 | 1,000 | ||||||||||||||
![]() | GBJ2006 | 0.4190 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Yangjie技术 | GBJ | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | 标准 | GBJ | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-GBJ2006 | Ear99 | 750 | 1.05 V @ 10 A | 10 µA @ 600 V | 20 a | 单相 | 600 v | ||||
![]() | GBU608A | 0.2930 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 管子 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-GBU608A | Ear99 | 1,000 | ||||||||||||||
![]() | D3UB60 | 0.1350 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 管子 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-D3UB60 | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||
![]() | GBJ2506A | 0.5100 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 管子 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-GBJ2506A | Ear99 | 750 | ||||||||||||||
![]() | MT3510A | 5.7350 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,MT-35A | 标准 | MT-35A | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MT3510A | Ear99 | 50 | 1.2 V @ 17.5 A | 10 µA @ 1000 V | 35 a | 三期 | 1 kV | ||||
YBS3008 | 0.1180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-YBS3008TR | Ear99 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | GBJ2006A | 0.6310 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 管子 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-GBJ2006A | Ear99 | 750 | ||||||||||||||
![]() | GBJ2504-G | 1.5677 | ![]() | 9123 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ2504 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | gbu4d-t | 0.3087 | ![]() | 3883 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBU4D-T | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 200 V | 2.8 a | 单相 | 200 v | ||||
![]() | W08G-E4/51 | 0.8200 | ![]() | 516 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | W08 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 800 V | 1.5 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | G5SBA20L-M3/45 | - | ![]() | 8799 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | 4-SIP,GBU | G5SBA20 | 标准 | gbu | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 3 A | 5 µA @ 200 V | 2.8 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | MB6M-E3/45 | 0.6900 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸( 0.200英寸,5.08mm) | MB6 | 标准 | MBM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 1 V @ 400 MA | 5 µA @ 600 V | 500 MA | 单相 | 600 v | ||
![]() | BR1002 | 0.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方,BR-10 | BR1002 | 标准 | BR-10 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-BR1002 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 200 V | 10 a | 单相 | 200 v | |||
KBU4M-E4/51 | 3.3700 | ![]() | 284 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU4 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBU4ME451 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 1000 V | 4 a | 单相 | 1 kV | ||
![]() | KBPC3510W | 1.7800 | ![]() | 1480 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC-W | 标准 | KBPC-W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 1000 V | 35 a | 单相 | 1 kV | ||||
![]() | GBJ1501-G | - | ![]() | 6963 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | 标准 | GBJ | - | 641-GBJ1501-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 100 V | 15 a | 单相 | 100 v | |||||
![]() | VUO120-16NO2T | 70.5917 | ![]() | 5713 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | v2-pak | VUO120 | 标准 | v2-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 1.16 V @ 60 A | 100 µA @ 1600 V | 180 a | 三期 | 1.6 kV |
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