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存储卡，1151）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 尺寸 /尺寸 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 重量 | 电压 -电源 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 内存类型 | 内存大小 | 形状 | 速度 -阅读 | 速度 -写 | 电流 -最大 | 转移率（MB/S，MT/S，MHz） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AF240GSTIC-7BBIP | - |  | 7946 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | A600 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | 萨塔三世 | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF240GSTIC-7BBIP | 过时的 | 1 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 240GB | M.2模块 | 560MB/s | 440MB/s | - | ||||||||
| AQ48M72E8BNF8M | 258.1215 | | 1609年 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AQ48M72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3L SDRAM | 16 GB | 1600 | ||||||||||||||
| A4B04QG8BLPBME | 79.3308 | | 4569 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | A4B04 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 25 | DDR4 SDRAM | 4GB | 2133 | ||||||||||||||
| AF960GSTJA-8BAIX | - | | 4921 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | N600 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF960GSTJA-8BAIX | 过时的 | 1 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 960GB | M.2模块 | 3.42GB/s | 3.05GB/s | - | ||||||||
| AQ24P6418BLF8M | 110.8080 | | 2927 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ24P6418 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
| AW24M7228BLF8MW | 124.5640 | | 5835 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 240-udimm | AW24M7228 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | DDR3 SDRAM | 8GB | 1066 | ||||||||||||||
| AY56P7258BKH9M | 61.0470 | | 3055 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 204分钟 | AY56P7258 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 2GB | ||||||||||||||||
| AF120GSTIC-7BCXP | 100.5307 | | 6935 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | A650SI/A650S | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.35mm | - | - | 3.3V | 下载 | 到达不受影响 | 1282-AF120GSTIC-7BCXP | 30 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 120GB | M.2模块 | 560MB/s | 440MB/s | - | ||||||||||
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| AF80GSAJB-DBAXX | 109.2627 | | 9887 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | * | 托盘 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 1282-AF80GSAJB-DBAXX | 60 | |||||||||||||||||||||
| AQ48M72E8BNH9M | 258.1215 | | 4821 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AQ48M72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3L SDRAM | 16 GB | 1600 | ||||||||||||||
| AY56M7268BKF8M | 53.6250 | | 9206 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 204-miniudimm | AY56M7268 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 2GB | ||||||||||||||||
| AQ48P64B8BNK0M | 230.6441 | | 5405 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AQ48P64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3L SDRAM | 16 GB | 1600 | ||||||||||||||
 | AF8GCFI-OEM | 111.4100 | | 13 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | AF8G | SLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 18 | - | compactflash® | 8GB | ||||||||||||
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| AL24P72B8BLF8M | 110.5230 | | 1011 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AL24P72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
| AF32GSSCD-OEM | 310.8236 | | 4102 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜85°C | - | SATA II | AF32 | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8471.70.6000 | 1 | （SSD））闪光灯-NAND（SLC） | 32GB | 2.5” | 182MB/s | 133MB/s | - | ||||||
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| AF120GSTJA-8BAXP | - | | 5166 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | N600 | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF120GSTJA-8BAXP | 过时的 | 1 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 120GB | M.2模块 | 3.42GB/s | 3.05GB/s | - | ||||||||
| AF128UDI-OEM | 10.7920 | | 5921 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜85°C | AF128 | SLC | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8523.51.0000 | 1 | - | microSD™ | 128MB | ||||||||||||
| AF120GSTIC-7BBXP | - | | 8045 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | A600 | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | 萨塔三世 | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF120GSTIC-7BBXP | 过时的 | 1 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 120GB | M.2模块 | 560MB/s | 440MB/s | - | ||||||||
| AF80GSAIA-7BAIP | - | | 3218 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | A600 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm | 萨塔三世 | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF80GSAIA-7BAIP | 过时的 | 1 | （SSD）闪光灯-NAND（pslc） | 80GB | M.2模块 | 560MB/s | 520MB/s | - | ||||||||
| AF120GSTJA-8BBXP | - | | 3957 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | N600 | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF120GSTJA-8BBXP | 过时的 | 1 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 120GB | M.2模块 | 3.42GB/s | 3.05GB/s | - | ||||||||
| AF1T92STCJ-7BEIP | 599.5079 | | 4891 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | A600 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm | 萨塔三世 | - | 5V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF1T92STCJ-7BEIP | 8 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 1.92TB | 2.5” | 560MB/s | 500MB/s | - | |||||||||
| AW12M6438BLF8S | 42.8782 | | 8453 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 204-udimm | AW12M6438 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB |
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