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存储卡，1151）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 尺寸 /尺寸 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 重量 | 电压 -电源 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 内存类型 | 内存大小 | 形状 | 速度 -阅读 | 速度 -写 | 电流 -最大 | 转移率（MB/S，MT/S，MHz） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AF64GSSIA-OEM | 522.5600 |  | 1 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜85°C | 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm | 萨塔三世 | AF64 | - | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | （SSD））闪光灯-NAND（SLC） | 64GB | M.2模块 | 530MB/s | 400MB/s | - | ||||||
 | AF80GSAIA-7BAIP | - | | 3218 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | A600 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm | 萨塔三世 | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF80GSAIA-7BAIP | 过时的 | 1 | （SSD）闪光灯-NAND（pslc） | 80GB | M.2模块 | 560MB/s | 520MB/s | - | ||||||||
| af8gsseh-oem | 105.8008 | | 9668 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜85°C | - | - | AF8G | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8471.70.6000 | 1 | （SSD））闪光灯-NAND（SLC） | 8GB | 磁盘在模块上，Sata dom | - | - | - | ||||||
| AF120GSTHI-7BEIP | 113.9363 | | 8288 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | A600 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 50.80mm x 29.85mm x 3.50mm | 萨塔三世 | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF120GSTHI-7BEIP | 32 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 120GB | MSATA | 560MB/s | 440MB/s | - | |||||||||
| AF1T92STCJ-7BCXP | 584.8863 | | 9231 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | A650SI/A650S | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm | 萨塔三世 | - | 5V | 下载 | 到达不受影响 | 1282-AF1T92STCJ-7BCXP | 8 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 1.92TB | 2.5” | 560MB/s | 500MB/s | - | ||||||||||
| AF120GSTJA-8BCXP | 129.0320 | | 5209 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | M.2 NVME | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 1282-AF120GSTJA-8BCXP | 30 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 120GB | M.2模块 | 3.42GB/s | 3.05GB/s | - | ||||||||||
| AF240GSTJA-8BCIX | 152.3097 | | 5143 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | N650Si | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | 到达不受影响 | 1282-AF240GSTJA-8BCIX | 30 | SSD）闪光灯-NAND | 240GB | M.2模块 | 3.4GB/s | 1.17GB/s | - | ||||||||||
| AF960GSTCJ-7BEIP | 327.1717 | | 7456 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | A600 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm | 萨塔三世 | - | 5V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF960GSTCJ-7BEIP | 8 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 960GB | 2.5” | 560MB/s | 500MB/s | - | |||||||||
| AW24M64F8BLMAMW | 117.8946 | | 1742年 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 240-udimm | AW24M64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | 1866年 | |||||||||||||||
| AB28L72L4BHC4M | 143.7738 | | 8049 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 184-rdimm | AB28L72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR SDRAM | 1GB | |||||||||||||||
| AF480GSTIA-7BEIP | 201.0596 | | 9545 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | A600 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm | 萨塔三世 | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF480GSTIA-7BEIP | 50 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 480GB | M.2模块 | 560MB/s | 440MB/s | - | |||||||||
| AF240GSTJA-8BDIP | 183.5067 | | 7843 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | N650Si | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | 到达不受影响 | 1282-AF240GSTJA-8BDIP | 30 | SSD）闪光灯-NAND | 240GB | M.2模块 | 3.4GB/s | 1.17GB/s | - | ||||||||||
| AF64GSMHI-OEM | 123.7150 | | 2763 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 50.80mm x 29.80mm x 3.70mm | 萨塔三世 | AF64 | - | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8523.51.0000 | 1 | （SSD）闪光灯-NAND （MLC） | 64GB | MSATA | 530MB/s | 440MB/s | - | ||||||
| AL24P7218BLF8M | 135.3500 | | 6162 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AL24P7218 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 10 | 8GB | ||||||||||||||||
| AQ48M64B8BNF8M | 230.6441 | | 2217 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AQ48M64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3L SDRAM | 16 GB | 1600 | ||||||||||||||
| A4F32QG8BVWEMW | 340.0900 | | 8 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | * | 托盘 | 积极的 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1282-A4F32QG8BVWEMW | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | ||||||||||||||||||
| AT32L64A6SHC4M | 41.2900 | | 6505 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 200-sodimm | AT32L64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | DDR SDRAM | 256MB | |||||||||||||||
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| AW56M7218BKH9S | 44.4344 | | 5937 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 240-udimm | AW56M7218 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 2GB | ||||||||||||||||
| AL24P72B8BLF8M | 110.5230 | | 1011 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AL24P72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
| A4C16QY8BNPBSE | 213.5132 | | 9027 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 288-udimm | A4C16 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 25 | DDR4 SDRAM | 16 GB | 2133 | ||||||||||||||
| A4B04QD8BLPBME | 71.4405 | | 8689 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | A4B04 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR4 SDRAM | 4GB | 2133 | ||||||||||||||
| AT28L64Z8BHC4M | 127.7380 | | 1026 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | - | AT28L64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | DDR SDRAM | 1GB | |||||||||||||||
| A4C16QW8BNRCSE | 96.9570 | | 10000 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 288-udimm | A4C16 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | DDR4 SDRAM | 16 GB | 2400 | ||||||||||||||
 | AF8GSD3A-OEM | 36.4800 | | 173 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C〜85°C | AF8G | AMLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | 班级10 | SD™ | 8GB | ||||||||||||
| AQ56P72D8BKH9S | 43.2434 | | 7804 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AQ56P72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 2GB | ||||||||||||||||
| AW56M7218BKK0M | 65.1402 | | 8049 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 240-udimm | AW56M7218 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 2GB | ||||||||||||||||
| AW56M7258BKH9M | 45.8680 | | 7685 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 204-RDIMM | AW56M7258 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 10 | 2GB | ||||||||||||||||
| AQ24P6418BLHHHH9M | 110.8080 | | 1954年 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ24P6418 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
| AW48M7228BNK0M | 253.1256 | | 2919 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 240-udimm | AW48M7228 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3 SDRAM | 16 GB | 1600 |
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