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存储卡，1151）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 Rohs状态 达到状态 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AQ56P72X8BKH9S ATP Electronics, Inc. AQ56P72X8BKH9S 36.8500
RFQ
 ECAD 2093 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P72 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AT28L64Z8BHC4M ATP Electronics, Inc. AT28L64Z8BHC4M 127.7380
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 - AT28L64 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR SDRAM 1GB
AT28L7228BHC4M ATP Electronics, Inc. AT28L7228BHC4M 110.1818
RFQ
 ECAD 4099 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AT28L7228 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 1GB
AT32L64A6SHC4M ATP Electronics, Inc. AT32L64A6SHC4M 41.2900
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 200-sodimm AT32L64 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR SDRAM 256MB
AW12M6438BLH9M ATP Electronics, Inc. AW12M6438BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 61.1994
RFQ
 ECAD 2268 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M6438 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12M6438BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12M6438BLK0M 61.1994
RFQ
 ECAD 2014 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M6438 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12M7218BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLF8M 68.2776
RFQ
 ECAD 9664 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M7218 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12M7218BLF8S ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLF8 47.6424
RFQ
 ECAD 5029 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M7218 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12M7218BLH9M ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 68.2776
RFQ
 ECAD 3523 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M7218 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12M7218BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLHHHH9MW 75.2320
RFQ
 ECAD 1981 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7218 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1333
AW12M7258BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12M7258BLF8M 75.8620
RFQ
 ECAD 5589 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW12M7258 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
AW12M7268BLH9M ATP Electronics, Inc. AW12M7268BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 61.7519
RFQ
 ECAD 4813 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7268 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12P7218BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLF8MW 75.2320
RFQ
 ECAD 4442 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW12P7218 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1066
AW12P7218BLH9M ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 68.2776
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW12P7218 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12P7218BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLMAMW 75.2320
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW12P7218 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
AW24M64F8BLF8M ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLF8M 111.9672
RFQ
 ECAD 7063 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M64 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW24M64F8BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLMAMW 117.8946
RFQ
 ECAD 1742年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24M64 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB 1866年
AW24M7228BLF8M ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLF8M 121.5014
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M7228 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW24M7228BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLF8MW 124.5640
RFQ
 ECAD 5835 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24M7228 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1066
AW24M7228BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLHHH9MW 128.2640
RFQ
 ECAD 5352 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24M7228 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1333
AW24M7228BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLMAMW 128.2640
RFQ
 ECAD 1281 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24M7228 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1866年
AW24P64F8BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLHHHH9MW 117.8946
RFQ
 ECAD 9978 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P64 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1333
AW24P64F8BLK0S ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLK0 73.0220
RFQ
 ECAD 9580 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24P64 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW24P7228BLH9M ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 121.5014
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24P7228 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW24P7228BLK0S ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLK0 81.1356
RFQ
 ECAD 2371 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24P7228 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW24P7248BLF8M ATP Electronics, Inc. AW24P7248BLF8M 120.7880
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW24P7248 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AW48M64F8BNH9M ATP Electronics, Inc. AW48M64F8BNH9M 224.8155
RFQ
 ECAD 6772 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M64 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AW48M64F8BNK0M ATP Electronics, Inc. AW48M64F8BNK0M 224.8155
RFQ
 ECAD 2420 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M64 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AW48M7228BNK0M ATP Electronics, Inc. AW48M7228BNK0M 253.1256
RFQ
 ECAD 2919 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M7228 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AW48P64F8BNH9M ATP Electronics, Inc. AW48P64F8BNH9M 224.8155
RFQ
 ECAD 2425 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48P64 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

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