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存储卡，1151）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AL12P72L8BKH9M ATP Electronics, Inc. AL12P72L8BKH9M 92.0030
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
A4K08Q28BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4K08Q28BLPBSE 66.4335
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-MINIUDIMM A4K08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AL24P7218BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24P7218BLK0M 139.3700
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AQ56M72D8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKK0S 41.9960
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ56P64A8BKH9S ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKH9S 30.5625
RFQ
 ECAD 9423 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW12M7218BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLF8MW 75.2320
RFQ
 ECAD 4054 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1066
AY24P7278MNH9M ATP Electronics, Inc. AY24P7278MNH9M 202.5005
RFQ
 ECAD 3993 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY24P7278 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AQ12P72X8BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ12P72X8BLH9S 41.8950
RFQ
 ECAD 2194 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ12M6418BKK0M ATP Electronics, Inc. AQ12M6418BKK0M 105.2444
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ12P72X8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ12P72X8BLK0M 60.7544
RFQ
 ECAD 6096 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ24M6418BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24M6418BLF8S 71.8630
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY48P7288BNK0M ATP Electronics, Inc. AY48P7288BNK0M 244.2067
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY48P7288 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AW24P64F8BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLMAMW 117.8946
RFQ
 ECAD 7560 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1866年
AT32L7238SQB3M ATP Electronics, Inc. AT32L7238SQB3M 114.2128
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AT32L7238 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 256MB
AW12P6438BLF8S ATP Electronics, Inc. AW12P6438BLF8S 42.8782
RFQ
 ECAD 3669 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12P6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY24M7228BLF8S ATP Electronics, Inc. AY24M7228BLF8S 71.8200
RFQ
 ECAD 4350 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY24M7298MNF8M ATP Electronics, Inc. AY24M7298MNF8M 198.1928
RFQ
 ECAD 9643 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204分钟 AY24M7298 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AL12P72L8BKF8M ATP Electronics, Inc. AL12P72L8BKF8M 92.0030
RFQ
 ECAD 7775 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
AY56M7268BKK0M ATP Electronics, Inc. AY56M7268BKK0M 57.0570
RFQ
 ECAD 3285 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY56M7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4B08QF4BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B08QF4BLPBME 181.4672
RFQ
 ECAD 9774 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4B08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AL24M72B8BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24M72B8BLK0M 110.5230
RFQ
 ECAD 7892 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ24M72Y8BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ24M72Y8BLH9S 70.8225
RFQ
 ECAD 1506 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW12M7218BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLMAMW 75.2320
RFQ
 ECAD 9015 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
AQ24P72Y8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLF8M 108.5280
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW24P7228BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLMAMW 128.2640
RFQ
 ECAD 2952 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1866年
AF16GSAEL-OEM ATP Electronics, Inc. AF16GSAEL-OEM 77.5192
RFQ
 ECAD 1624年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 盒子 积极的 0°C〜70°C 54.00mm x 39.00mm x 4.00mm SATA II AF16 - - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8523.51.0000 1 （SSD）闪光灯-NAND （​​MLC） 16 GB 苗条 -萨塔 250MB/s 190MB/s -
A4C04QX8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4C04QX8BLPBME 68.4180
RFQ
 ECAD 2725 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AF960GSTCJ-7BAIP ATP Electronics, Inc. AF960GSTCJ-7BAIP 406.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C 100.00mm x 69.90mm x 7.00mm 萨塔三世 AF960 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF960GSTCJ-7BAIP 3A991B1A 8471.70.6000 12 SSD（SSD）闪光灯-NAND（3D） 960GB 2.5” 560MB/s 480MB/s
A4O32QD4DNPBSO ATP Electronics, Inc. A4O32QD4DNPBSO 392.3500
RFQ
 ECAD 8507 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4O32 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR4 SDRAM 32GB 2133
AW48P7228BNF8M ATP Electronics, Inc. AW48PPP728BNF8M 253.1256
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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