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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 尺寸 /尺寸 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 重量 | 电压 -电源 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 内存类型 | 内存大小 | 形状 | 速度 -阅读 | 速度 -写 | 电流 -最大 | 转移率(MB/S,MT/S,MHz) |
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![]() | AF480GSTCJ-7BAXP | - | ![]() | 3263 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | A600 | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm | 萨塔三世 | - | 5V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF480GSTCJ-7BAXP | 过时的 | 1 | (SSD)闪存-NAND(tlc) | 480GB | 2.5” | 560MB/s | 500MB/s | - | ||||||||
![]() | AF240GSTIA-7BBXP | - | ![]() | 9417 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | A600 | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm | 萨塔三世 | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF240GSTIA-7BBXP | 过时的 | 1 | (SSD)闪存-NAND(tlc) | 240GB | M.2模块 | 560MB/s | 440MB/s | - | ||||||||
![]() | AF1T92STCJ-7BEXP | 554.8779 | ![]() | 8793 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | A600 | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm | 萨塔三世 | - | 5V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF1T92STCJ-7BEXP | 8 | (SSD)闪存-NAND(tlc) | 1.92TB | 2.5” | 560MB/s | 500MB/s | - | |||||||||
![]() | AW12P7218BLF8M | 68.2776 | ![]() | 6658 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 240-udimm | AW12P7218 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||||
![]() | AF480GSTJA-8BBIP | - | ![]() | 1548年 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | N600 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF480GSTJA-8BBIP | 过时的 | 1 | (SSD)闪存-NAND(tlc) | 480GB | M.2模块 | 3.42GB/s | 3.05GB/s | - | ||||||||
![]() | A4D04QCC6Bnweme | 53.2700 | ![]() | 4164 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 288-udimm | A4D04 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-A4D04QC6Bnweme | Ear99 | 8542.32.0036 | 50 | DDR4 SDRAM | 4GB | 3200 | |||||||||||||
![]() | AW12P6438BLH9S | 42.8782 | ![]() | 5826 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 204-udimm | AW12P6438 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||||
![]() | AW12P6438BLF8S | 42.8782 | ![]() | 3669 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 204-udimm | AW12P6438 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||||
![]() | AL48M72H8BLF8M | 231.0560 | ![]() | 6918 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AL48M72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 10 | 16 GB | ||||||||||||||||
![]() | AY48P7288BNK0M | 244.2067 | ![]() | 2719 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 204-miniudimm | AY48P7288 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3 SDRAM | 16 GB | 1600 | ||||||||||||||
![]() | AW56P64B8BKK0M | 68.7700 | ![]() | 80 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 204-Sodimm | AW56 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | DDR3L SDRAM | 2GB | 1600 | |||||||||||||
![]() | AQ12M6418BKK0M | 105.2444 | ![]() | 9359 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ12M6418 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||||
![]() | A4C04QX8BLPBME | 68.4180 | ![]() | 2725 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 288-udimm | A4C04 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 25 | DDR4 SDRAM | 4GB | 2133 | ||||||||||||||
![]() | AF32GUD4A-BBXM | 51.7700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -25°C〜85°C | AF32GUD4 | PSLC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF32GUD4A-BBXM | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 120 | 班级10,UHS 3级 | microSDHC™ | 32GB | ||||||||||||
![]() | A4C08QY8BLPBSE | 116.2160 | ![]() | 6978 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 288-udimm | A4C08 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 25 | DDR4 SDRAM | 8GB | 2133 | ||||||||||||||
![]() | AW12M7218BLF8MW | 75.2320 | ![]() | 4054 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 204-udimm | AW12M7218 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | DDR3 SDRAM | 4GB | 1066 | ||||||||||||||
![]() | A4K08Q28BLPBSE | 66.4335 | ![]() | 7820 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 288-MINIUDIMM | A4K08 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | DDR4 SDRAM | 8GB | 2400 | ||||||||||||||
![]() | AW24P64F8BLF8M | 111.9672 | ![]() | 6638 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 240-udimm | AW24P64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
![]() | AF128GSSEL-OEM | 985.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜85°C | 54.00mm x 39.00mm x 4.00mm | 萨塔三世 | AF128 | - | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | (SSD))闪光灯-NAND(SLC) | 128GB | 苗条 -萨塔 | 530MB/s | 430MB/s | - | ||||||
![]() | AQ12P72X8BLF8M | 60.7544 | ![]() | 5876 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ12P72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||||
![]() | AQ56P72D8BKK0S | 43.2434 | ![]() | 6948 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AQ56P72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 2GB | ||||||||||||||||
![]() | AF64GUD4-BBXM | 28.1000 | ![]() | 55 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -25°C〜85°C | AF64GUD4 | TLC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF64GUD4-BBXM | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 120 | 班级10,UHS 3级 | microSDXC™ | 64GB | ||||||||||||
![]() | A4D04Q38BLRCSE | 33.5160 | ![]() | 1697年 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | A4D04 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | DDR4 SDRAM | 4GB | 2400 | ||||||||||||||
A4B16QF4BNPBSE | 122.5786 | ![]() | 5167 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 288-RDIMM | A4B16 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | DDR4 SDRAM | 16 GB | 2133 | ||||||||||||||
![]() | AY48P7288BNF8M | 251.4603 | ![]() | 8413 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 204-miniudimm | AY48P7288 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3 SDRAM | 16 GB | 1600 | ||||||||||||||
![]() | AW24M64F8BLK0 | 73.0220 | ![]() | 4418 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 240-udimm | AW24M64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
![]() | AF120GSTJA-8BIX | - | ![]() | 5464 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | N600 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF120GSTJA-8BBIX | 过时的 | 1 | (SSD)闪存-NAND(tlc) | 120GB | M.2模块 | 3.42GB/s | 3.05GB/s | - | ||||||||
![]() | AL24M7218BLF8M | 139.3700 | ![]() | 4326 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AL24M7218 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 10 | 8GB | ||||||||||||||||
![]() | AQ24M6418BLH9S | 71.8630 | ![]() | 3815 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ24M6418 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
![]() | AQ24M6418BLHHHH9M | 110.8080 | ![]() | 1300 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ24M6418 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB |
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