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存储卡，1151）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AF16GUD4A-BBBXM ATP Electronics, Inc. AF16GUD4A-BBXM 28.0300
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 -25°C〜85°C AF16GUD4 PSLC 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF16GUD4A-BBXM 3A991B1A 8523.51.0000 120 班级10，UHS 3级 microSDHC™ 16 GB
AF80GSAIA-7BCIP ATP Electronics, Inc. AF80GSAIA-7BCIP -
RFQ
 ECAD 8179 0.00000000 ATP电子，Inc。 A600 托盘 积极的 -40°C〜85°C 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm 萨塔三世 - 3.3V - rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF80GSAIA-7BCIP 1 （SSD）闪光灯-NAND（pslc） 80GB M.2模块 560MB/s 520MB/s -
AF8GSD3A-WAAXX ATP Electronics, Inc. AF8GSD3A-WAAXX -
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C AMLC - rohs3符合条件 1282-AF8GSD3A-WAAXX 1 班级10，UHS 3级 SD™，SDHC™，SDXC™ 8GB
A4B08QC4BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B08QC4BLPBME 160.4018
RFQ
 ECAD 5016 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR4 SDRAM 8GB 2133
A4D08Q38BNRCSE ATP Electronics, Inc. A4D08Q38BNRCSE 47.0820
RFQ
 ECAD 6069 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AW56P7258BKH9M ATP Electronics, Inc. AW56P7258BKH9M 45.8680
RFQ
 ECAD 2920 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW56P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 2GB
AW12P6438BLH9S ATP Electronics, Inc. AW12P6438BLH9S 42.8782
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12P6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AF1T92STCJ-7BAIP ATP Electronics, Inc. AF1T92STCJ-7BAIP -
RFQ
 ECAD 5000 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C 100.00mm x 69.90mm x 7.00mm 萨塔三世 AF1T92 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF1T92STCJ-7BAIP 3A991B1A 8471.70.6000 12 SSD（SSD）闪光灯-NAND（3D） 1.92TB 2.5” 560MB/s 480MB/s
AY24P7298MNH9M ATP Electronics, Inc. AY24P7298MNH9M 192.4757
RFQ
 ECAD 5286 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204分钟 AY24P7298 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AL56M72A8BKF8M ATP Electronics, Inc. AL56M72A8BKF8M 62.0445
RFQ
 ECAD 3642 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AY48M7288BNH9M ATP Electronics, Inc. AY48M728BNH9M 251.4603
RFQ
 ECAD 1546年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY48M7288 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AL24M7218BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24M7218BLF8M 139.3700
RFQ
 ECAD 4326 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
A4B08QE8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B08QE8BLPBME 124.1561
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AY24M7238BLK0M ATP Electronics, Inc. AY24M7238BLK0M 100.1250
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY24M7238 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ24M6418BLH9M ATP Electronics, Inc. AQ24M6418BLHHHH9M 110.8080
RFQ
 ECAD 1300 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4D04Q38BLRCME ATP Electronics, Inc. A4D04Q38BLRCME 63.9380
RFQ
 ECAD 4292 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2400
A4C08QY8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4C08QY8BLPBME 130.1156
RFQ
 ECAD 1947年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AL12P72L8BKK0S ATP Electronics, Inc. AL12P72L8BKK0S 74.4172
RFQ
 ECAD 4713 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 4GB
A4B16QF4BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4B16QF4BNPBSE 122.5786
RFQ
 ECAD 5167 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-RDIMM A4B16 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
AQ24M6418BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ24M6418BLH9S 71.8630
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW56P7218BKH9M ATP Electronics, Inc. AW56P7218BKH9M 65.1402
RFQ
 ECAD 5862 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW12P7258BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12P7258BLK0M 75.8620
RFQ
 ECAD 8150 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
AL12P72A8BLK0S ATP Electronics, Inc. AL12P72A8BLK0 45.8850
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW24M7228BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLK0M 121.5014
RFQ
 ECAD 1094 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL12P72L8BKH9M ATP Electronics, Inc. AL12P72L8BKH9M 92.0030
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
A4K08Q28BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4K08Q28BLPBSE 66.4335
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-MINIUDIMM A4K08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AL24P7218BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24P7218BLK0M 139.3700
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AQ56M72D8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKK0S 41.9960
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ56P64A8BKH9S ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKH9S 30.5625
RFQ
 ECAD 9423 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW12M7218BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLF8MW 75.2320
RFQ
 ECAD 4054 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1066
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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