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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 尺寸 /尺寸 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 重量 | 电压 -电源 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 内存类型 | 内存大小 | 形状 | 速度 -阅读 | 速度 -写 | 电流 -最大 | 转移率(MB/S,MT/S,MHz) |
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![]() | A4G32QE8BVWEMW | 305.9200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | * | 托盘 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1282-A4G32QE8BVWEMW | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | ||||||||||||||||||
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![]() | AF960GSTJA-8BCXP | 333.3110 | ![]() | 9222 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | M.2 NVME | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 1282-AF960GSTJA-8BCXP | 30 | (SSD)闪存-NAND(tlc) | 960GB | M.2模块 | 3.42GB/s | 3.05GB/s | - | ||||||||||
![]() | AF240GSTJA-8BDXX | 140.4010 | ![]() | 2175 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | N650SC | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | 到达不受影响 | 1282-AF240GSTJA-8BDXX | 30 | SSD)闪光灯-NAND | 240GB | M.2模块 | 3.4GB/s | 1.17GB/s | - | ||||||||||
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![]() | AF240GSTIA-7BCXP | 116.7998 | ![]() | 1809年 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | A650SI/A650S | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm | - | - | 3.3V | - | 到达不受影响 | 1282-AF240GSTIA-7BCXP | 50 | (SSD)闪存-NAND(tlc) | 240GB | M.2模块 | 560MB/s | 440MB/s | - | ||||||||||
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![]() | AF8GUD3-WAAIX | 17.0000 | ![]() | 93 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | AF8G | MLC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF8GUD3-WAAIX | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 120 | 班级10,UHS 1级 | microSDHC™ | 8GB | ||||||||||||
![]() | CF3T84STJA-CBAIXH1 | 1.0000 | ![]() | 7606 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.60mm | NVME | - | 3.3V | - | 到达不受影响 | 1282-CF3T84STJA-CBAIXH1 | 64 | - | 3.84TB | M.2模块 | 2.2GB/s | 1.2GB/s | - | ||||||||||
![]() | AF128GSD4-BBDXM | 40.3522 | ![]() | 5213 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | * | 托盘 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 1282-AF128GSD4-BBDXM | 32 | |||||||||||||||||||||
![]() | AW12M6438BLK0 | 42.8782 | ![]() | 6616 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 204-udimm | AW12M6438 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||||
![]() | AW24M7228BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 | 121.5014 | ![]() | 4582 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 240-udimm | AW24M7228 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
![]() | AF4GCSI-OEM | 72.9400 | ![]() | 1867年 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | AF4G | SLC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | CFAST | 4GB | ||||||||||||
![]() | AQ56P64A8BKH9M | 49.2765 | ![]() | 5478 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ56P64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 2GB | ||||||||||||||||
![]() | AY24M7238BLK0M | 100.1250 | ![]() | 3788 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 204-miniudimm | AY24M7238 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
![]() | AF8GSD4A-BBXM | 18.8000 | ![]() | 7415 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -25°C〜85°C | AF8GSD4 | PSLC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF8GSD4A-BBXM | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 32 | 班级10,UHS 3级 | SDHC™ | 8GB | ||||||||||||
![]() | AF240GSTJA-8BBXP | - | ![]() | 7087 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | N600 | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF240GSTJA-8BBXP | 过时的 | 1 | (SSD)闪存-NAND(tlc) | 240GB | M.2模块 | 3.42GB/s | 3.05GB/s | - | ||||||||
![]() | AF16GSMEL-OEM | 75.3050 | ![]() | 3332 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 54.00mm x 39.00mm x 4.00mm | 萨塔三世 | AF16 | - | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8523.51.0000 | 1 | (SSD)闪光灯-NAND (MLC) | 16 GB | 苗条 -萨塔 | 530MB/s | 440MB/s | - | ||||||
![]() | AQ56P72D8BKF8S | 43.2434 | ![]() | 6311 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AQ56P72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 2GB | ||||||||||||||||
![]() | AL24P72B8BLF8 | 72.8175 | ![]() | 1175 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AL24P72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
![]() | A4F32Q28BVTDME | 321.6200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 260-udimm | A4F32 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-A4F32Q28BVTDME | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | DDR4 SDRAM | 32GB | 2666 | |||||||||||||
![]() | AF128GUD4-BBBIM | 57.9500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | AF128 | PSLC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF128GUD4-BBBIM | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 120 | 班级10,UHS 3级 | microSDXC™ | 8GB | ||||||||||||
af2gudi-oem | 33.0600 | ![]() | 410 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | AF2G | SLC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 100 | - | microSD™ | 2GB |
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