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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AW56P6438BKH9S ATP Electronics, Inc. AW56P6438BKH9S 40.0196
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW56P6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW24P7228BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLF8MW 128.2640
RFQ
 ECAD 3684 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1066
AQ24M6418BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24M6418BLF8M 110.8080
RFQ
 ECAD 8610 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AF16GCFP7-TABXX ATP Electronics, Inc. AF16GCFP7-TABXX 37.4000
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 盒子 积极的 0°C〜70°C AF16 MLC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1282-AF16GCFP7-TABXX 3A991B1A 8523.51.0000 18 - compactflash® 16 GB
AF16GUD3-WAAIX ATP Electronics, Inc. AF16GUD3-WAAIX 28.3800
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C AF16 MLC 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF16GUD3-WAAIX 3A991B1A 8523.51.0000 120 班级10，UHS 1级 microSDHC™ 16 GB
AF240GSTIA-7BEIP ATP Electronics, Inc. AF240GSTIA-7BEIP -
RFQ
 ECAD 6935 0.00000000 ATP电子，Inc。 * 托盘 积极的 - rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF240GSTIA-7BEIP 50
AF16GUD3-OEM ATP Electronics, Inc. af16gud3-oem 28.5700
RFQ
 ECAD 442 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 -25°C〜85°C AF16 MLC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 1 班级10 microSD™ 16 GB
AW56P7258BKH9S ATP Electronics, Inc. AW56P7258BKH9S 39.1900
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-RDIMM AW56P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 2GB
AF1T92STCJ-7BEXP ATP Electronics, Inc. AF1T92STCJ-7BEXP 554.8779
RFQ
 ECAD 8793 0.00000000 ATP电子，Inc。 A600 托盘 积极的 0°C〜70°C 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm 萨塔三世 - 5V - rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF1T92STCJ-7BEXP 8 （SSD）闪存-NAND（tlc） 1.92TB 2.5” 560MB/s 500MB/s -
AF32GUD-OEM ATP Electronics, Inc. AF32GUD-OEM 27.8103
RFQ
 ECAD 1947年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 盒子 积极的 0°C〜85°C AF32 MLC - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8523.51.0000 1 - microSD™ 32GB
A4B16QB4BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B16QB4BLPBME 303.8840
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
AF4GSSHI-AACXP ATP Electronics, Inc. AF4GSSHI-AACXP 48.3300
RFQ
 ECAD 2010 0.00000000 ATP电子，Inc。 * 大部分 积极的 af4gsshi - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1282-AF4GSSHI-AACXP 3A991B1A 8471.70.6000 1
AQ48M64B8BNK0M ATP Electronics, Inc. AQ48M64B8BNK0M 230.6441
RFQ
 ECAD 4712 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AY12M7258BLH9M ATP Electronics, Inc. AY12M7258BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 59.9125
RFQ
 ECAD 3135 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY12M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AF64GSD4A-BBBXM ATP Electronics, Inc. AF64GSD4A-BBXM 111.2000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 -25°C〜85°C AF64GSD4 PSLC 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF64GSD4A-BBXM 3A991B1A 8523.51.0000 32 班级10，UHS 3级 SDXC™ 64GB
AF4GUFEDBK(I)-JABXX ATP Electronics, Inc. AF4GUFEDBK（I） - JABXX -
RFQ
 ECAD 1649年 0.00000000 ATP电子，Inc。 Endura™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C 33.70mm LX 17.50mm WX 9.40mm H USB 2.0 0.282（8.0 g） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 af4gufedbkijabxx 3A991B1A 8471.70.9000 49 Flash -nand（slc） 4GB 33MB/s 22MB/s
AF128GSD4-BBBXM ATP Electronics, Inc. AF128GSD4-BBXM 54.1800
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 -25°C〜85°C AF128 PSLC 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF128GSD4-BBXM 3A991B1A 8523.51.0000 32 班级10，UHS 3级 SDXC™ 128GB
AF512GSTIC-2BBXX ATP Electronics, Inc. AF512GSTIC-2BBXX 155.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ATP电子，Inc。 A600VC 托盘 积极的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 2.20mm 萨塔三世 - - 下载 （1 （无限） 到达不受影响 1282-AF512GSTIC-2BBXX 3A991B1A 8523.51.0000 30 （SSD）闪存-NAND（tlc） 512GB M.2模块 560MB/s 525MB/s -
AF120GSTIA-7BCIP ATP Electronics, Inc. AF120GSTIA-7BCIP 122.0100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ATP电子，Inc。 A650SI/A650SC 托盘 积极的 -40°C〜85°C 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm - - 3.3V 下载 （1 （无限） 到达不受影响 1282-AF120GSTIA-7BCIP 50 （SSD）闪存-NAND（tlc） 120GB M.2模块 560MB/s 440MB/s -
AF120GSTIA-7BEXP ATP Electronics, Inc. AF120GSTIA-7BEXP 87.5028
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 ATP电子，Inc。 A600 托盘 积极的 0°C〜70°C 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm 萨塔三世 - 3.3V - rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF120GSTIA-7BEXP 50 （SSD）闪存-NAND（tlc） 120GB M.2模块 560MB/s 440MB/s -
AF960GSTJA-8BEIX ATP Electronics, Inc. AF960GSTJA-8BEIX 347.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ATP电子，Inc。 N600 托盘 积极的 -40°C〜85°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME - 3.3V - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1282-AF960GSTJA-8BEIX 3A991B1A 8523.51.0000 30 （SSD）闪存-NAND（tlc） 960GB M.2模块 3.42GB/s 3.05GB/s -
AF640GSACJ-7BCIP ATP Electronics, Inc. AF640GSACJ-7BCIP -
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 ATP电子，Inc。 A600 托盘 积极的 -40°C〜85°C 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm 萨塔三世 - 5V - rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF640GSACJ-7BCIP 1 （SSD）闪光灯-NAND（pslc） 640GB 2.5” 560MB/s 500MB/s -
AF2GCFI-OEM ATP Electronics, Inc. AF2GCFI-OEM 53.7500
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C AF2G SLC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 18 - compactflash® 2GB
AF64GSD4-BBBXM ATP Electronics, Inc. AF64GSD4-BBXM 2000年3 31日
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 -25°C〜85°C AF64GSD4 TLC 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF64GSD4-BBXM 3A991B1A 8523.51.0000 32 班级10，UHS 3级 SDXC™ 64GB
AT16L64A6SQC4M ATP Electronics, Inc. AT16L64A6SQCCCC4M 36.5258
RFQ
 ECAD 6735 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 200-sodimm AT16L64 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 50 DDR SDRAM 128MB
AL24M7218BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24M7218BLF8M 139.3700
RFQ
 ECAD 4326 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AF960GSTJA-8BAIP ATP Electronics, Inc. AF960GSTJA-8BAIP -
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 ATP电子，Inc。 2280-d2-m 托盘 过时的 -40°C〜85°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME AF960 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF960GSTJA-8BAIP 3A991B1A 8471.70.6000 32 SSD（SSD）闪光灯-NAND（3D） 960GB M.2模块，PCIE
AF480GSTCJ-7BAIP ATP Electronics, Inc. AF480GSTCJ-7BAIP -
RFQ
 ECAD 1474 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C 100.00mm x 69.90mm x 7.00mm 萨塔三世 AF480 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF480GSTCJ-7BAIP 3A991B1A 8471.70.6000 12 SSD（SSD）闪光灯-NAND（3D） 480GB 2.5” 560MB/s 455MB/s
A4F08QD8BNWEME ATP Electronics, Inc. A4F08QD8BNWEME 92.7900
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 260-Sodimm A4F08 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-A4F08QD8BNWEME Ear99 8542.32.0036 50 DDR4 SDRAM 8GB 3200
AF8GSD3-WABIM ATP Electronics, Inc. AF8GSD3-WABIM 19.2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C AF8G MLC 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF8GSD3-WABIM 3A991B1A 8523.51.0000 32 班级10，UHS 1级 SDHC™ 8GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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