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存储卡，1151）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 尺寸 /尺寸 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 重量 | 电压 -电源 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 内存类型 | 内存大小 | 形状 | 速度 -阅读 | 速度 -写 | 电流 -最大 | 转移率（MB/S，MT/S，MHz） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AL48P72E4BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 | 265.1355 |  | 7715 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AL48P72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 16 GB | ||||||||||||||||
| AF240GSTJA-8BEIX | 149.2507 | | 7648 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | N600 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF240GSTJA-8BEIX | 30 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 240GB | M.2模块 | 3.42GB/s | 3.05GB/s | - | |||||||||
| AW12M64B8BLF8MW | 71.7111 | | 5016 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | - | AW12M64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3 SDRAM | 4GB | 1066 | ||||||||||||||
| A4F08QG8BLPBME | 131.0808 | | 6447 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 260-udimm | A4F08 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 25 | DDR4 SDRAM | 8GB | 2133 | ||||||||||||||
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 | AF16GSSIA-OEM | 191.0100 | | 1 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜85°C | 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm | 萨塔三世 | AF16 | - | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | （SSD））闪光灯-NAND（SLC） | 16 GB | M.2模块 | 530MB/s | 400MB/s | - | ||||||
| AL24P7218BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 | 139.3700 | | 7275 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AL24P7218 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 10 | 8GB | ||||||||||||||||
| AF1T92STJA-8BBIX | - | | 6421 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | N600 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF1T92STJA-8BBIX | 过时的 | 1 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 1.92TB | M.2模块 | 3.42GB/s | 3.05GB/s | - | ||||||||
| A4C08QE8BLPBME | 129.1504 | | 6134 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 288-udimm | A4C08 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 25 | DDR4 SDRAM | 8GB | 2133 | ||||||||||||||
 | AW12M64B8BLK0MW | 95.0300 | | 100 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 204-Sodimm | AW12 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 20 | DDR3 SDRAM | 4GB | 1600 | |||||||||||||
| AQ48P64B8BNF8M | 230.6441 | | 1821年 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AQ48P64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3L SDRAM | 16 GB | 1600 | ||||||||||||||
| AW12P64B8BLF8MW | 71.7111 | | 8976 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | - | AW12P64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3 SDRAM | 4GB | 1066 | ||||||||||||||
| AJ28K72H8BJF7M | 48.6780 | | 2737 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AJ28K72 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | DDR2 SDRAM | 1GB | 667 | |||||||||||||
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| AQ56M72X8BKK0M | 58.0545 | | 9063 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ56M72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 2GB | ||||||||||||||||
| AF480GSTJA-8BBXP | - | | 2020 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | N600 | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF480GSTJA-8BBXP | 过时的 | 1 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 480GB | M.2模块 | 3.42GB/s | 3.05GB/s | - | ||||||||
 | A4D08QA8BNWEME | 86.0600 | | 6 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 288-udimm | A4D08 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-A4D08QA8BNWEME | Ear99 | 8542.32.0036 | 50 | DDR4 SDRAM | 8GB | 3200 | |||||||||||||
| AF480GSTIA-7BDXP | 193.6398 | | 7702 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | A600SC | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm | 萨塔三世 | - | 3.3V | - | 到达不受影响 | 1282-AF480GSTIA-7BDXP | 50 | SSD）闪光灯-NAND | 480GB | M.2模块 | 560MB/s | 480MB/s | - | ||||||||||
 | AF8GSDI-OEM | 137.3500 | | 425 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | AF8G | SLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | 班级10 | SDHC™ | 8GB | ||||||||||||
 | AF128GUD4-BBBIM | 57.9500 | | 4 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | AF128 | PSLC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF128GUD4-BBBIM | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 120 | 班级10，UHS 3级 | microSDXC™ | 8GB | ||||||||||||
| AF240GSTHI-7BBIP | - | | 9513 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | A600 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 50.80mm x 29.85mm x 3.50mm | 萨塔三世 | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF240GSTHI-7BBIP | 过时的 | 1 | （SSD）闪存-NAND（tlc） | 240GB | MSATA | 560MB/s | 440MB/s | - | ||||||||
| AY24M7278MNF8M | 202.5005 | | 7358 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 204-miniudimm | AY24M7278 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | 8GB | ||||||||||||||||
| AF32GUD-OEM | 27.8103 | | 1947年 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | 0°C〜85°C | AF32 | MLC | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8523.51.0000 | 1 | - | microSD™ | 32GB | ||||||||||||
 | AF32GSD3-OEM | 46.2400 | | 3128 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -25°C〜85°C | AF32 | MLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | 班级10 | SDHC™ | 32GB | ||||||||||||
 | AF32GUD3-OEM | 53.6500 | | 9744 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C〜85°C | AF32 | MLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | 班级10 | microSD™ | 32GB | ||||||||||||
 | AF8GSD4A-BBXM | 18.8000 | | 7415 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -25°C〜85°C | AF8GSD4 | PSLC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF8GSD4A-BBXM | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 32 | 班级10，UHS 3级 | SDHC™ | 8GB |
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