SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
AQ12M72D8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ12M72D8BLK0S 45.1114
RFQ
ECAD 9194 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A4C08QW8BLRCSE ATP Electronics, Inc. A4C08QW8BLRCSE 118.1464
RFQ
ECAD 1525年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AL12P72A8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL12P72A8BLF8M 64.7444
RFQ
ECAD 9205 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A4G08QE8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4G08QE8BLPBME 118.3396
RFQ
ECAD 7591 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 260-udimm A4G08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AL24M72L8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24M72L8BLF8M 134.7250
RFQ
ECAD 5187 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AW12M6438BLH9S ATP Electronics, Inc. AW12M6438BLH9S 42.8782
RFQ
ECAD 5773 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ56M72D8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKF8M 63.9812
RFQ
ECAD 8899 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW48M64F8BNF8M ATP Electronics, Inc. AW48M64F8BNF8M 224.8155
RFQ
ECAD 6464 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AY24M7278MNH9M ATP Electronics, Inc. AY24M7278MNH9M 196.6591
RFQ
ECAD 6611 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY24M7278 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AQ56P72D8BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ56P72D8BKH9M 63.9812
RFQ
ECAD 4122 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AL12M72L8BKH9M ATP Electronics, Inc. AL12M72L8BKH9M 92.0030
RFQ
ECAD 8894 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
A4G04QA8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4G04QA8BLPBME 66.8848
RFQ
ECAD 7070 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 260-udimm A4G04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
A4G08QA8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4G08QA8BNPBSE 65.9300
RFQ
ECAD 6034 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 260-Sodimm A4G08 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2133
A4D16Q48BNRCSE ATP Electronics, Inc. A4D16Q48BNRCSE 87.1815
RFQ
ECAD 7061 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
AH56K72T8BJE6M ATP Electronics, Inc. AH56K72T8BJE6M 58.1807
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AH56K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR2 SDRAM 2GB 667
AW24M64F8BLH9M ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 111.9672
RFQ
ECAD 4461 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ12M72D8BLMAM ATP Electronics, Inc. AQ12M72D8BLMAM 65.1824
RFQ
ECAD 1357 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
AW12M64B8BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12M64B8BLF8MW 71.7111
RFQ
ECAD 5016 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 - AW12M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1066
AW48P7228BNH9M ATP Electronics, Inc. AW48PP728BNH9M 253.1256
RFQ
ECAD 9121 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AF4GUDI-OEM ATP Electronics, Inc. af4gudi-oem 63.1900
RFQ
ECAD 434 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C AF4G SLC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 100 - microSD™ 4GB
AF256CFI-OEM ATP Electronics, Inc. AF256CFI-OEM 23.3489
RFQ
ECAD 6620 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C AF256 SLC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 18 - compactflash® 256MB
AF1GCFI-OEM ATP Electronics, Inc. AF1GCFI-OEM 37.6400
RFQ
ECAD 3939 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C AF1G SLC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 18 - compactflash® 1GB
AF2GCFI-OEM ATP Electronics, Inc. AF2GCFI-OEM 53.7500
RFQ
ECAD 145 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C AF2G SLC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 18 - compactflash® 2GB
AF240GSSCJ-OEM ATP Electronics, Inc. AF240GSSCJ-OEM 2.0000
RFQ
ECAD 8308 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C 100.0mm x 69.85mm x 9.50mm 萨塔三世 AF240 - 5V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.9000 1 (SSD))闪光灯-NAND(SLC) 240GB 2.5” 500MB/s 500MB/s -
AF32GSD3-OEM ATP Electronics, Inc. AF32GSD3-OEM 46.2400
RFQ
ECAD 3128 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 -25°C〜85°C AF32 MLC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 1 班级10 SDHC™ 32GB
AF32GUD3-OEM ATP Electronics, Inc. AF32GUD3-OEM 53.6500
RFQ
ECAD 9744 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 盒子 积极的 -25°C〜85°C AF32 MLC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 1 班级10 microSD™ 32GB
AF64GSACD-OEM ATP Electronics, Inc. AF64GSACD-OEM 207.5997
RFQ
ECAD 7482 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 盒子 积极的 0°C〜70°C - SATA II AF64 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8471.70.6000 1 (SSD)闪光灯-NAND (MLC) 64GB 2.5” 250MB/s 180MB/s -
AF8GCFP3-OEM ATP Electronics, Inc. AF8GCFP3-OEM -
RFQ
ECAD 1409 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 盒子 过时的 0°C〜70°C MLC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 1 - compactflash® 8GB
AF8GSAEL-OEM ATP Electronics, Inc. af8gsael-oem 60.2722
RFQ
ECAD 5833 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 盒子 积极的 0°C〜70°C 54.00mm x 39.00mm x 4.00mm SATA II AF8G - - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8523.51.0000 1 (SSD)闪光灯-NAND (MLC) 8GB 苗条 -萨塔 250MB/s 190MB/s -
AF16GSDI-OEM ATP Electronics, Inc. AF16GSDI-OEM 216.2070
RFQ
ECAD 4911 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C AF16 SLC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 50 班级10 SDHC™ 16 GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库