SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
AQ12P6418BLH9M ATP Electronics, Inc. aq12p6418blhhhh9m 63.5176
RFQ
ECAD 4170 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW56P6438BKK0M ATP Electronics, Inc. AW56P6438BKK0M 58.4176
RFQ
ECAD 9673 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW56P6438 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 2GB
AQ12P72D8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ12P72D8BLK0S 46.4514
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL24M72B8BLH9M ATP Electronics, Inc. AL24M72B8BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 110.5230
RFQ
ECAD 9076 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW56P7218BKK0S ATP Electronics, Inc. AW56P7218BKK0S 43.1528
RFQ
ECAD 8530 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ56M72X8BKF8S ATP Electronics, Inc. AQ56M72X8BKF8S 39.2084
RFQ
ECAD 8236 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AF480GSTJA-8BCIP ATP Electronics, Inc. AF480GSTJA-8BCIP 220.8117
RFQ
ECAD 5913 0.00000000 ATP电子,Inc。 M.2 NVME 托盘 积极的 -40°C〜85°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME - - 下载 (1 (无限) 到达不受影响 1282-AF480GSTJA-8BCIP 5A992C SC 8523.51.0000 30 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB M.2模块 3.42GB/s 3.05GB/s -
AF1T92STCJ-7BFIP ATP Electronics, Inc. AF1T92STCJ-7BFIP 617.1467
RFQ
ECAD 5039 0.00000000 ATP电子,Inc。 A600 托盘 积极的 -40°C〜85°C 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm 萨塔三世 - 5V - rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF1T92STCJ-7BFIP 8 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB 2.5” 560MB/s 500MB/s -
CF3T84STJA-CBAXXH1 ATP Electronics, Inc. CF3T84STJA-CBAXXH1 1.0000
RFQ
ECAD 2144 0.00000000 ATP电子,Inc。 * 托盘 积极的 - 到达不受影响 1282-CF3T84STJA-CBAXXH1 64
AW12P7218BLF8S ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLF8 47.6424
RFQ
ECAD 3252 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW12P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ12P6418BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ12P6418BLF8M 63.5176
RFQ
ECAD 4457 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY12P7258BLK0M ATP Electronics, Inc. AY12P7258BLK0M 63.7469
RFQ
ECAD 9385 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL12M72L8BKH9M ATP Electronics, Inc. AL12M72L8BKH9M 92.0030
RFQ
ECAD 8894 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
AQ12P6418BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ12P6418BKH9M 105.2444
RFQ
ECAD 4174 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ56P64A8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKF8M 49.2765
RFQ
ECAD 4883 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ24P64B8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24P64B8BLF8S 61.8450
RFQ
ECAD 4123 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY24M7238BLH9M ATP Electronics, Inc. AY24M7238BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 106.5330
RFQ
ECAD 2259 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY24M7238 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ24P72Y8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLF8S 70.8225
RFQ
ECAD 2008 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AT64L64K6SHC4M ATP Electronics, Inc. AT64L64K6SHC4M 74.1812
RFQ
ECAD 9672 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 200-sodimm AT64L64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR SDRAM 512MB
AF1GUFP3NC(I)-OEM ATP Electronics, Inc. af1gufp3nc i(i)-OEM 16.4787
RFQ
ECAD 9561 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C 33.70mm LX 17.50mm WX 9.40mm H USB 2.0 AF1G 0.282(8.0 g) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 1 Flash -nand(slc) 1GB 21MB/s 16MB/s
AQ24P64B8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24P64B8BLF8M 95.3610
RFQ
ECAD 1942年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AF120GSTJA-8BFXX ATP Electronics, Inc. AF120GSTJA-8BFXX 109.3897
RFQ
ECAD 1798年 0.00000000 ATP电子,Inc。 N600 托盘 积极的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME - 3.3V - rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF120GSTJA-8BFXX 30 (SSD)闪存-NAND(tlc) 120GB M.2模块 3.42GB/s 3.05GB/s -
AW24M64F8BLH9S ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLH9S 73.0220
RFQ
ECAD 2814 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4C04QX8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4C04QX8BLPBSE 63.3460
RFQ
ECAD 9228 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AQ56M72D8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKF8M 63.9812
RFQ
ECAD 8899 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4D16Q28BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4D16Q28BNPBSE 192.4708
RFQ
ECAD 2131 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
AW48M7228BNH9M ATP Electronics, Inc. AW48M728BNH9M 245.8239
RFQ
ECAD 4624 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AQ48M72E8BNK0M ATP Electronics, Inc. AQ48M72E8BNK0M 258.1215
RFQ
ECAD 6640 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AF120GSTJA-8BDIP ATP Electronics, Inc. AF120GSTJA-8BDIP 149.2350
RFQ
ECAD 2561 0.00000000 ATP电子,Inc。 N650Si 托盘 积极的 -40°C〜85°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME - 3.3V - 到达不受影响 1282-AF120GSTJA-8BDIP 30 SSD)闪光灯-NAND 120GB M.2模块 1.835GB/s 580MB/s -
A4G04QA8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4G04QA8BLPBME 66.8848
RFQ
ECAD 7070 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 260-udimm A4G04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库