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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
AQ12P72D8BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ12P72D8BLH9S 46.4514
RFQ
ECAD 7316 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A4G04QA8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4G04QA8BLPBSE 48.4200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 260-Sodimm A4G04 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AT64L64K6SHC4M ATP Electronics, Inc. AT64L64K6SHC4M 74.1812
RFQ
ECAD 9672 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 200-sodimm AT64L64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR SDRAM 512MB
AQ24M72Y8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ24M72Y8BLK0 70.8225
RFQ
ECAD 4089 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ24P64B8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24P64B8BLF8M 95.3610
RFQ
ECAD 1942年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL24P72L8BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24P72L8BLK0M 149.3800
RFQ
ECAD 6179 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-RDIMM AL24 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 1 DDR3L SDRAM 8GB 1600
AQ24P72Y8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLK0 70.8225
RFQ
ECAD 9177 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW48M7228BNF8M ATP Electronics, Inc. AW48M728BNF8M 253.1256
RFQ
ECAD 9804 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AQ56M72X8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56M72X8BKF8M 54.5625
RFQ
ECAD 5240 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ12P6418BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ12P6418BKH9M 105.2444
RFQ
ECAD 4174 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW48P7228BNH9M ATP Electronics, Inc. AW48PP728BNH9M 253.1256
RFQ
ECAD 9121 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
A4G04QC6BNWEME ATP Electronics, Inc. A4G04QCC6Bnweme 53.2700
RFQ
ECAD 8976 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 260-udimm A4G04 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-A4G04QCCC6Bnweme Ear99 8542.32.0036 50 DDR4 SDRAM 4GB 3200
AQ24M72Y8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24M72Y8BLF8M 108.5280
RFQ
ECAD 2522 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY12M7258BLF8M ATP Electronics, Inc. AY12M7258BLF8M 63.7469
RFQ
ECAD 9001 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY12M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ24P72Y8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLF8S 70.8225
RFQ
ECAD 2008 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW56P7218BKK0S ATP Electronics, Inc. AW56P7218BKK0S 43.1528
RFQ
ECAD 8530 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ24M64B8BLH9M ATP Electronics, Inc. AQ24M64B8BLHHHHH9M 89.6250
RFQ
ECAD 7523 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ56M72X8BKF8S ATP Electronics, Inc. AQ56M72X8BKF8S 39.2084
RFQ
ECAD 8236 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW24M7248BLF8M ATP Electronics, Inc. AW24M7248BLF8M 120.7880
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW24M7248 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AL12M72A8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL12M72A8BLF8M 64.7444
RFQ
ECAD 4962 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW48M64F8BNF8M ATP Electronics, Inc. AW48M64F8BNF8M 224.8155
RFQ
ECAD 6464 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AW12M7268BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12M7268BLK0M 61.7519
RFQ
ECAD 2523 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW24M64F8BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLF8MW 117.8946
RFQ
ECAD 1764年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1066
AL24M72L8BLMAM ATP Electronics, Inc. AL24M72L8BLMAM 110.5230
RFQ
ECAD 5375 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1866年
A4C08QE8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4C08QE8BLPBSE 76.0356
RFQ
ECAD 2135 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AF256GUD4-BBCXM ATP Electronics, Inc. AF256GUD4-BBCXM 86.2122
RFQ
ECAD 3237 0.00000000 ATP电子,Inc。 * 托盘 积极的 - 到达不受影响 1282-AF256GUD4-BBCXM 120
AQ24M64B8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24M64B8BLF8M 95.3610
RFQ
ECAD 7747 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AF8GSMGH-OEM ATP Electronics, Inc. AF8GSMGH-OEM 30.8267
RFQ
ECAD 8280 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 盒子 积极的 0°C〜70°C 36.90mm x 26.60mm x 8.40mm - AF8G - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8471.70.6000 1 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 8GB 磁盘模块,EUSB 30MB/s 22MB/s -
A4F16QG8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4F16QG8BNPBSE 126.4600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 260-Sodimm A4F16 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
AQ48M64B8BNH9M ATP Electronics, Inc. AQ48M64B8BNH9M 230.6441
RFQ
ECAD 1526年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库