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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
AW24M64F8BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLK0M 111.9672
RFQ
ECAD 2937 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4C08QE8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4C08QE8BLPBSE 76.0356
RFQ
ECAD 2135 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AQ48P64B8BNH9M ATP Electronics, Inc. AQ48P64B8BNH9M 230.6441
RFQ
ECAD 8022 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AL12M72L8BKK0M ATP Electronics, Inc. AL12M72L8BKK0M 92.0030
RFQ
ECAD 2539 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
AF16GSD4A-BBBXM ATP Electronics, Inc. AF16GSD4A-BBXM 31.0300
RFQ
ECAD 87 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 -25°C〜85°C AF16GSD4 PSLC 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF16GSD4A-BBXM 3A991B1A 8523.51.0000 32 班级10,UHS 3级 SDHC™ 16 GB
AQ24M64B8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24M64B8BLF8M 95.3610
RFQ
ECAD 7747 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4C16QD8BVWEMW ATP Electronics, Inc. A4C16QD8BVWEMW 227.4600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 ATP电子,Inc。 * 托盘 积极的 下载 (1 (无限) 到达不受影响 1282-A4C16QD8BVWEMW Ear99 8473.30.1140 50
AY48P7288BNH9M ATP Electronics, Inc. AY48P7288BNH9M 251.4603
RFQ
ECAD 9797 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY48P7288 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
A4D08QA8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4D08QA8BNPBSE 59.3448
RFQ
ECAD 6607 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AF120GSTJA-8BDIP ATP Electronics, Inc. AF120GSTJA-8BDIP 149.2350
RFQ
ECAD 2561 0.00000000 ATP电子,Inc。 N650SI 托盘 积极的 -40°C〜85°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME - 3.3V - 到达不受影响 1282-AF120GSTJA-8BDIP 30 SSD)闪光灯-NAND 120GB M.2模块 1.835GB/s 580MB/s -
AQ56M64A8BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ56M64A8BKH9M 49.2765
RFQ
ECAD 2151 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AL12P72A8BLF8S ATP Electronics, Inc. AL12P72A8BLF8 45.8850
RFQ
ECAD 8284 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AF1T92STCJ-7BBXP ATP Electronics, Inc. AF1T92STCJ-7BBXP -
RFQ
ECAD 7510 0.00000000 ATP电子,Inc。 A600 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm 萨塔三世 - 5V - rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF1T92STCJ-7BBXP 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB 2.5” 560MB/s 500MB/s -
AQ12P72X8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ12P72X8BLF8 41.8950
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL56M72A8BKH9M ATP Electronics, Inc. AL56M72A8BKH9M 62.0445
RFQ
ECAD 2952 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AF120GSTJC-DBBXX ATP Electronics, Inc. AF120GSTJC-DBXX 45.3100
RFQ
ECAD 49 0.00000000 ATP电子,Inc。 N600VC 托盘 积极的 0°C〜70°C 42.00mm x 22.00mm x 3.60mm NVME - - 下载 (1 (无限) 到达不受影响 1282-AF120GSTJC-DBXX 3A991B1A 8523.51.0000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 120GB M.2模块 2.6GB/s 1.87GB/s -
AF960GSTIC-7BAIP ATP Electronics, Inc. AF960GSTIC-7BAIP -
RFQ
ECAD 5199 0.00000000 ATP电子,Inc。 2280 D2-BM 托盘 过时的 -40°C〜85°C 80.00mm x 22.00mm x 3.35mm 萨塔三世 AF960 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF960GSTIC-7BAIP 3A991B1A 8471.70.6000 32 SSD(SSD)闪光灯-NAND(3D) 960GB M.2模块 560MB/s 450MB/s
AL12M72A8BLF8S ATP Electronics, Inc. AL12M72A8BLF8S 45.8850
RFQ
ECAD 2756 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AF960GSTJA-8BCXX ATP Electronics, Inc. AF960GSTJA-8BCXX 310.9483
RFQ
ECAD 3705 0.00000000 ATP电子,Inc。 N650SC 托盘 积极的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME - 3.3V - 到达不受影响 1282-AF960GSTJA-8BCXX 30 SSD)闪光灯-NAND 960GB M.2模块 3.42GB/s 3.05GB/s -
AW12P64B8BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12P64B8BLF8MW 71.7111
RFQ
ECAD 8976 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 - AW12P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1066
CF3T84STJA-CBAXXH1 ATP Electronics, Inc. CF3T84STJA-CBAXXH1 1.0000
RFQ
ECAD 2144 0.00000000 ATP电子,Inc。 * 托盘 积极的 - 到达不受影响 1282-CF3T84STJA-CBAXXH1 64
A4G16QA8BVWEMW ATP Electronics, Inc. A4G16QA8BVWEMW 203.7600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 ATP电子,Inc。 * 托盘 积极的 下载 (1 (无限) 到达不受影响 1282-A4G16QA8BVWEMW Ear99 8473.30.1140 50
AL24M72L8BLMAM ATP Electronics, Inc. AL24M72L8BLMAM 110.5230
RFQ
ECAD 5375 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1866年
AL12M72A8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL12M72A8BLF8M 64.7444
RFQ
ECAD 4962 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ24M64B8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24M64B8BLF8S 61.8450
RFQ
ECAD 6448 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW56M7218BKF8S ATP Electronics, Inc. AW56M7218BKF8 44.4344
RFQ
ECAD 6098 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AL24M72L8BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24M72L8BLK0M 134.7250
RFQ
ECAD 8040 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AF240GSTIC-7BDXP ATP Electronics, Inc. AF240GSTIC-7BDXP 137.5063
RFQ
ECAD 6731 0.00000000 ATP电子,Inc。 A600SC 托盘 积极的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.35mm 萨塔三世 - 3.3V - 到达不受影响 1282-AF240GSTIC-7BDXP 30 SSD)闪光灯-NAND 240GB M.2模块 560MB/s 500MB/s -
AW12M6438BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12M6438BLF8M 61.1994
RFQ
ECAD 2390 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ48M64B8BNH9M ATP Electronics, Inc. AQ48M64B8BNH9M 230.6441
RFQ
ECAD 1526年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库