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存储卡，1151）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AY24P7298MNK0M ATP Electronics, Inc. AY24P7298MNK0M 198.1928
RFQ
 ECAD 9284 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204分钟 AY24P7298 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
A4B32QB4BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4B32QB4BNPBSE 210.2126
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B32 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 32GB 2400
AF80GSAIC-7BAIP ATP Electronics, Inc. AF80GSAIC-7BAIP -
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 ATP电子，Inc。 A600 托盘 过时的 -40°C〜85°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm 萨塔三世 - 3.3V - rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF80GSAIC-7BAIP 过时的 1 （SSD）闪光灯-NAND（pslc） 80GB M.2模块 560MB/s 520MB/s -
AQ56M72X8BKH9S ATP Electronics, Inc. AQ56M72X8BKH9S 39.2084
RFQ
 ECAD 9834 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AF960GSTIC-7BBIP ATP Electronics, Inc. AF960GSTIC-7BBIP -
RFQ
 ECAD 8360 0.00000000 ATP电子，Inc。 A600 托盘 过时的 -40°C〜85°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm 萨塔三世 - 3.3V - rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF960GSTIC-7BBIP 过时的 1 （SSD）闪存-NAND（tlc） 960GB M.2模块 560MB/s 440MB/s -
AQ12M72D8BLMAM ATP Electronics, Inc. AQ12M72D8BLMAM 65.1824
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
AF80GSACJ-7BBIP ATP Electronics, Inc. AF80GSACJ-7BBIP 201.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ATP电子，Inc。 A750PI 托盘 积极的 -40°C〜85°C 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm 萨塔三世 - 5V 下载 （1 （无限） 到达不受影响 1282-AF80GSACJ-7BBIP 8523.51.0000 8 （SSD）闪光灯-NAND（pslc） 80GB 2.5” 560MB/s 520MB/s -
AH56K72T8BJE6M ATP Electronics, Inc. AH56K72T8BJE6M 58.1807
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AH56K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR2 SDRAM 2GB 667
AQ12P6418BLH9M ATP Electronics, Inc. aq12p6418blhhhh9m 63.5176
RFQ
 ECAD 4170 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW56P7258BKK0M ATP Electronics, Inc. AW56P7258BKK0M 45.8680
RFQ
 ECAD 2348 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW56P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 2GB
A4F08QG8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4F08QG8BLPBME 131.0808
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 260-udimm A4F08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AL24M72L8BLMAM ATP Electronics, Inc. AL24M72L8BLMAM 110.5230
RFQ
 ECAD 5375 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1866年
AF8GUFEDBK-OEM ATP Electronics, Inc. AF8GUFEDBK-OEM 12.9558
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 ATP电子，Inc。 Endura™ 盒子 积极的 0°C〜85°C - USB 2.0 AF8GUFEDBK 0.282（8.0 g） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8523.51.0000 1 Flash -nand （MLC） 8GB - -
AW24M64F8BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLK0M 111.9672
RFQ
 ECAD 2937 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW56P7218BKK0S ATP Electronics, Inc. AW56P7218BKK0S 43.1528
RFQ
 ECAD 8530 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AJ28K72H8BJF7M ATP Electronics, Inc. AJ28K72H8BJF7M 48.6780
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AJ28K72 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR2 SDRAM 1GB 667
AL12M72A8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL12M72A8BLF8M 64.7444
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A408Q18BNPBSE ATP Electronics, Inc. A408Q18BNPBSE 116.9832
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-MINIUDIMM A408Q18 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 25 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AL24P72L8BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24P72L8BLK0M 149.3800
RFQ
 ECAD 6179 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-RDIMM AL24 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 1 DDR3L SDRAM 8GB 1600
AW48P7228BNH9M ATP Electronics, Inc. AW48PP728BNH9M 253.1256
RFQ
 ECAD 9121 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AQ48M72E8BNK0M ATP Electronics, Inc. AQ48M72E8BNK0M 258.1215
RFQ
 ECAD 6640 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AQ48M72Y8DNF8T ATP Electronics, Inc. AQ48M72Y8DNF8T -
RFQ
 ECAD 7630 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 过时的 - 到达不受影响 1282-AQ48M72Y8DNF8T 过时的 1
AQ56P64A8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKF8M 49.2765
RFQ
 ECAD 4883 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ24M72E8BLH9M ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLHHHHH9M 118.1200
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ56M72D8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKF8M 63.9812
RFQ
 ECAD 8899 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AF2GSSGI-OEM ATP Electronics, Inc. AF2GSSGI-OEM 36.2718
RFQ
 ECAD 1502 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C 36.90mm x 26.60mm x 11.50mm - AF2G - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8471.70.6000 1 （SSD））闪光灯-NAND（SLC） 2GB 磁盘模块，EUSB 30MB/s 27MB/s -
AQ12P72X8BLH9M ATP Electronics, Inc. aq12p72x8blhhhh9m 60.7544
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ24P72Y8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLK0 70.8225
RFQ
 ECAD 9177 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AF120GSTHI-7BAIP ATP Electronics, Inc. AF120GSTHI-7BAIP -
RFQ
 ECAD 5348 0.00000000 ATP电子，Inc。 A600 托盘 过时的 -40°C〜85°C 50.80mm x 29.85mm x 3.50mm 萨塔三世 - 3.3V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF120GSTHI-7BAIP 过时的 1 （SSD）闪存-NAND（tlc） 120GB MSATA 560MB/s 440MB/s -
AQ56P72X8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56P72X8BKK0S 36.8500
RFQ
 ECAD 4245 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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