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存储卡，1151）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AQ56M72X8BKH9S ATP Electronics, Inc. AQ56M72X8BKH9S 39.2084
RFQ
 ECAD 9834 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ56P72D8BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ56P72D8BKH9M 63.9812
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW12M6438BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12M6438BLF8M 61.1994
RFQ
 ECAD 2390 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12M6438BLH9S ATP Electronics, Inc. AW12M6438BLH9S 42.8782
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12M64B8BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12M64B8BLF8MW 71.7111
RFQ
 ECAD 5016 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1066
AW12M7268BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12M7268BLF8M 61.7519
RFQ
 ECAD 3013 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12P64B8BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12P64B8BLF8MW 71.7111
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1066
AW12P64B8BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW12P64B8BLK0MW 71.7111
RFQ
 ECAD 3874 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1600
AW12P64B8BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW12P64B8BLMAMW 71.7111
RFQ
 ECAD 8693 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
AW12P7218BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLK0MW 73.0618
RFQ
 ECAD 5323 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW12P7218 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 50 DDR3 SDRAM 4GB 1600
AW12P7218BLK0S ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLK0 47.6424
RFQ
 ECAD 8330 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW12P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW24M64F8BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLHHHH9MW 117.8946
RFQ
 ECAD 8025 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1333
AW24M7228BLH9S ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLH9S 81.1356
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW24M7248BLH9M ATP Electronics, Inc. AW24M7248BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 120.7880
RFQ
 ECAD 5373 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW24M7248 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AW24M7248BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24M7248BLK0M 120.7880
RFQ
 ECAD 2625 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW24M7248 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AW24P7248BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24P7248BLK0M 120.7880
RFQ
 ECAD 8786 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW24P7248 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AW48M7228BNH9M ATP Electronics, Inc. AW48M728BNH9M 245.8239
RFQ
 ECAD 4624 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AW48P64F8BNK0M ATP Electronics, Inc. AW48P64F8BNK0M 224.8155
RFQ
 ECAD 2658 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AW56M7258BKH9S ATP Electronics, Inc. AW56M7258BKH9S 40.3541
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-RDIMM AW56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 2GB
AW56M7258BKK0M ATP Electronics, Inc. AW56M7258BKK0M 47.2307
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 2GB
AW56P6438BKF8M ATP Electronics, Inc. AW56P6438BKF8M 58.4176
RFQ
 ECAD 2108 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW56P6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW56P6438BKK0M ATP Electronics, Inc. AW56P6438BKK0M 58.4176
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW56P6438 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 2GB
AW56P7218BKH9S ATP Electronics, Inc. AW56P7218BKH9S 44.4344
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW56P7258BKF8M ATP Electronics, Inc. AW56P7258BKF8M 47.2307
RFQ
 ECAD 6992 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW56P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 2GB
AW56P7258BKK0M ATP Electronics, Inc. AW56P7258BKK0M 45.8680
RFQ
 ECAD 2348 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW56P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 2GB
AY12P7258BLF8M ATP Electronics, Inc. AY12P7258BLF8M 63.7469
RFQ
 ECAD 7251 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY12P7258BLK0M ATP Electronics, Inc. AY12P7258BLK0M 63.7469
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY24M7228BLK0S ATP Electronics, Inc. AY24M7228BLK0 71.8200
RFQ
 ECAD 6231 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY24M7298MNK0M ATP Electronics, Inc. AY24M7298MNK0M 198.1928
RFQ
 ECAD 8482 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204分钟 AY24M7298 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AY24P7228BLK0S ATP Electronics, Inc. AY24P7228BLK0 71.8200
RFQ
 ECAD 3085 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY24P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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