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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AQ24P6418BLH9M ATP Electronics, Inc. AQ24P6418BLHHHH9M 110.8080
RFQ
 ECAD 1954年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW56P6438BKF8S ATP Electronics, Inc. AW56P6438BKF8 40.0196
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW56P6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AB28L72L4BHC4M ATP Electronics, Inc. AB28L72L4BHC4M 143.7738
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 184-rdimm AB28L72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 1GB
AW12M6438BLH9M ATP Electronics, Inc. AW12M6438BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 61.1994
RFQ
 ECAD 2268 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW56M7218BKH9S ATP Electronics, Inc. AW56M7218BKH9S 44.4344
RFQ
 ECAD 5937 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AY24M7238BLF8M ATP Electronics, Inc. AY24M7238BLF8M 106.5330
RFQ
 ECAD 5663 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY24M7238 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW12M7218BLF8S ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLF8 47.6424
RFQ
 ECAD 5029 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL12M72L8BKK0S ATP Electronics, Inc. AL12M72L8BKK0S 74.4172
RFQ
 ECAD 3358 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 4GB
AY24P7238BLF8M ATP Electronics, Inc. AY24P7238BLF8M 106.5330
RFQ
 ECAD 4106 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY24P7238 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL48M72V8MNF8M ATP Electronics, Inc. AL48M72V8MNF8M 418.9500
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 16 GB
AY24P7238BLK0M ATP Electronics, Inc. AY24P7238BLK0M 106.5330
RFQ
 ECAD 9802 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY24P7238 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ56P64A8BKK0M ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKK0M 46.3125
RFQ
 ECAD 9382 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW24M64F8BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLMAMW 117.8946
RFQ
 ECAD 1742年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB 1866年
AL48M72V8MNH9M ATP Electronics, Inc. AL48M72V8MNH9M 418.9500
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 16 GB
AF64GSSHI-OEM ATP Electronics, Inc. AF64GSSHI-OEM 506.0100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C 50.80mm x 29.80mm x 3.70mm 萨塔三世 AF64 - 3.3V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 1 （SSD））闪光灯-NAND（SLC） 64GB MSATA 530MB/s 430MB/s -
AQ24P72E8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24P72E8BLK0M 118.1200
RFQ
 ECAD 1042 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ56P72X8BKF8S ATP Electronics, Inc. AQ56P72X8BKF8 39.2084
RFQ
 ECAD 2866 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4B16QB4BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4B16QB4BLPBSE 213.9578
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
A4B16QC4BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4B16QCCCCCC4BNPBSE 125.7844
RFQ
 ECAD 5853 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
A4B32QB4BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4B32QB4BNPBSE 210.2126
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B32 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 32GB 2400
A4C04QD8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4C04QD8BLPBSE 48.0076
RFQ
 ECAD 2660 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2400
A4C04QX8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4C04QX8BLPBSE 63.3460
RFQ
 ECAD 9228 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
A4C08QW8BLRCSE ATP Electronics, Inc. A4C08QW8BLRCSE 118.1464
RFQ
 ECAD 1525年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2400
A4D04Q18BLPBME ATP Electronics, Inc. A4D04Q18BLPBME 63.9380
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
A4D04Q18BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4D04Q18BLPBSE 57.6232
RFQ
 ECAD 8713 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
A4D08Q48BLRCSE ATP Electronics, Inc. A4D08Q48BLCSE 106.3664
RFQ
 ECAD 1791年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2400
A4D08QA8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4D08QA8BNPBSE 59.3448
RFQ
 ECAD 6607 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
A4D16Q28BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4D16Q28BNPBSE 192.4708
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
A4F08QG8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4F08QG8BLPBME 131.0808
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 260-udimm A4F08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AJ28K72H8BJF7M ATP Electronics, Inc. AJ28K72H8BJF7M 48.6780
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AJ28K72 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR2 SDRAM 1GB 667
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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