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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 尺寸 /尺寸 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 重量 | 电压 -电源 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 内存类型 | 内存大小 | 形状 | 速度 -阅读 | 速度 -写 | 电流 -最大 | 转移率(MB/S,MT/S,MHz) |
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![]() | AF120GSTIC-7BFXP | 106.5953 | ![]() | 6793 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | A600 | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | 萨塔三世 | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF120GSTIC-7BFXP | 30 | (SSD)闪存-NAND(tlc) | 120GB | M.2模块 | 560MB/s | 440MB/s | - | |||||||||
![]() | AF960GSTJA-8BCIP | 384.5200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | M.2 NVME | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | - | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1282-AF960GSTJA-8BCIP | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 30 | (SSD)闪存-NAND(tlc) | 960GB | M.2模块 | 3.42GB/s | 3.05GB/s | - | |||||||
![]() | AQ12M6418BKF8M | 105.2444 | ![]() | 2495 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ12M6418 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||||
![]() | A4D08Q28BLPBSE | 106.3664 | ![]() | 4446 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | A4D08 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 25 | DDR4 SDRAM | 8GB | 2133 | ||||||||||||||
![]() | AL24P72L8BLF8S | 134.7250 | ![]() | 7957 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AL24P72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 10 | 8GB | ||||||||||||||||
![]() | Af1gufndnc i(i)-Aaaxx | 23.6900 | ![]() | 261 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | USB 2.0 | 0.282(8.0 g) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1282-af1gufndnc i(i)-aaaxx | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 49 | Flash -nand(slc) | 1GB | 31MB/s | 21MB/s | ||||||||||
![]() | AF4GUD3A-WAAIX | - | ![]() | 1272 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | AMLC | - | rohs3符合条件 | 1282-AF4GUD3A-WAAIX | 1 | 班级10,UHS 1级 | MicroSD™,MicroSDHC™ | 4GB | ||||||||||||||||
![]() | AQ24M64B8BLK0M | 95.3610 | ![]() | 7031 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ24M64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
![]() | AQ48M64B8BNF8M | 230.6441 | ![]() | 2217 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AQ48M64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3L SDRAM | 16 GB | 1600 | ||||||||||||||
![]() | A4F32QG8BVWEMW | 340.0900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | * | 托盘 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1282-A4F32QG8BVWEMW | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | ||||||||||||||||||
![]() | AF64GSAEL-OEM | 248.4220 | ![]() | 9287 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 54.00mm x 39.00mm x 4.00mm | SATA II | AF64 | - | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8523.51.0000 | 1 | (SSD)闪光灯-NAND (MLC) | 64GB | 苗条 -萨塔 | 250MB/s | 190MB/s | - | ||||||
![]() | AF240GSTJA-8BDIP | 183.5067 | ![]() | 7843 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | N650Si | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | NVME | - | 3.3V | - | 到达不受影响 | 1282-AF240GSTJA-8BDIP | 30 | SSD)闪光灯-NAND | 240GB | M.2模块 | 3.4GB/s | 1.17GB/s | - | ||||||||||
![]() | AL48M72V8MNH9M | 418.9500 | ![]() | 6703 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AL48M72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | 16 GB | ||||||||||||||||
![]() | A4K04Q18BLPBSE | 42.2009 | ![]() | 6845 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 288-MINIUDIMM | A4K04 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | DDR4 SDRAM | 4GB | 2400 | ||||||||||||||
![]() | AF512UFP3NC i(i)-OEM | - | ![]() | 3521 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜85°C | 26.60mm LX 12.00mm WX 4.50mm h | USB 2.0 | 0.282(8.0 g) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | af512ufp3nc/hi/i-oem | Ear99 | 8523.51.0000 | 1 | Flash -nand(slc) | 512MB | 21MB/s | 16MB/s | |||||||||
af8gudi-oem | 133.9500 | ![]() | 199 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | AF8G | SLC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 100 | - | microSDHC™ | 8GB | |||||||||||||
![]() | AF64GSD4-BBBIM | 34.6700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | AF64GSD4 | TLC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF64GSD4-BBBIM | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 32 | 班级10,UHS 3级 | SDXC™ | 64GB | ||||||||||||
![]() | AY48P7288BNH9M | 251.4603 | ![]() | 9797 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 204-miniudimm | AY48P7288 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3 SDRAM | 16 GB | 1600 | ||||||||||||||
![]() | AQ56M72D8BKH9S | 43.2434 | ![]() | 1915年 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 模块 | AQ56M72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 2GB | ||||||||||||||||
![]() | AQ24M64B8BLF8M | 95.3610 | ![]() | 7747 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ24M64 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
![]() | AL12M72A8BLF8S | 45.8850 | ![]() | 2756 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AL12M72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||||
![]() | AF128GSMEL-OEM | 165.7050 | ![]() | 4757 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 54.00mm x 39.00mm x 4.00mm | 萨塔三世 | AF128 | - | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | (SSD)闪光灯-NAND (MLC) | 128GB | 苗条 -萨塔 | 530MB/s | 440MB/s | - | ||||||
af8gssel-oem | 125.0600 | ![]() | 2561 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 54.00mm x 39.00mm x 4.00mm | 萨塔三世 | AF8G | - | 5V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 1 | (SSD))闪光灯-NAND(SLC) | 8GB | 苗条 -萨塔 | 530MB/s | 430MB/s | - | |||||||
![]() | AQ12P6418BLF8M | 63.5176 | ![]() | 4457 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ12P6418 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 4GB | ||||||||||||||||
![]() | AF80GSAIC-7BCIP | - | ![]() | 1805年 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | A600 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm | 萨塔三世 | - | 3.3V | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF80GSAIC-7BCIP | 1 | (SSD)闪光灯-NAND(pslc) | 80GB | M.2模块 | 560MB/s | 520MB/s | - | |||||||||
![]() | AW48M728BNH9M | 245.8239 | ![]() | 4624 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 240-udimm | AW48M7228 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 200 | DDR3 SDRAM | 16 GB | 1600 | ||||||||||||||
![]() | AQ24P6418BLH9S | 71.8630 | ![]() | 7948 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AQ24P6418 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 8GB | ||||||||||||||||
![]() | AF960GSTIC-7BCIP | 347.8200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | A650SI/A650SC | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 80.00mm x 22.00mm x 3.35mm | - | - | 3.3V | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1282-AF960GSTIC-7BCIP | 30 | (SSD)闪存-NAND(tlc) | 960GB | M.2模块 | 560MB/s | 440MB/s | - | |||||||||
![]() | AF80GSACJ-7BBIP | 201.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | A750PI | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm | 萨塔三世 | - | 5V | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1282-AF80GSACJ-7BBIP | 8523.51.0000 | 8 | (SSD)闪光灯-NAND(pslc) | 80GB | 2.5” | 560MB/s | 520MB/s | - | ||||||||
![]() | AL56M72A8BKF8S | 43.1984 | ![]() | 9567 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | AL56M72 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 50 | 2GB |
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