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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 包装 /案例 基本产品编号 技术 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
AW24M64F8BLF8S ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLF8 73.0220
RFQ
ECAD 6130 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW56M6438BKH9M ATP Electronics, Inc. AW56M6438BKH9M 58.4176
RFQ
ECAD 3704 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW56M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW48M64F8BNH9M ATP Electronics, Inc. AW48M64F8BNH9M 224.8155
RFQ
ECAD 6772 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AL12P72L8BKF8S ATP Electronics, Inc. AL12P72L8BKF8 72.2706
RFQ
ECAD 7458 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 4GB
AY12P7258BLH9M ATP Electronics, Inc. AY12P7258BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 63.7469
RFQ
ECAD 9944 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY24P7278MNK0M ATP Electronics, Inc. AY24P7278MNK0M 202.5005
RFQ
ECAD 9055 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY24P7278 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AQ24M72E8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLK0 77.6584
RFQ
ECAD 2408 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL24P72L8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24P72L8BLF8M 134.7250
RFQ
ECAD 3631 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AW12M7218BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLHHHH9MW 75.2320
RFQ
ECAD 1981 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1333
AL24M7218BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24M7218BLK0M 139.3700
RFQ
ECAD 6337 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AL12P72L8BKH9S ATP Electronics, Inc. AL12P72L8BKH9S 74.4172
RFQ
ECAD 5714 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 4GB
AW56M6438BKF8S ATP Electronics, Inc. AW56M6438BKF8 40.0196
RFQ
ECAD 3088 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW56M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4C16QY8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4C16QY8BNPBSE 213.5132
RFQ
ECAD 9027 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
AQ24P64B8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ24P64B8BLK0 61.8450
RFQ
ECAD 5310 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ12M72D8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ12M72D8BLK0M 67.1184
RFQ
ECAD 8741 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 50 4GB
AQ12M6418BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ12M6418BLF8M 63.5176
RFQ
ECAD 1944年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AT28L64Z8BHC4M ATP Electronics, Inc. AT28L64Z8BHC4M 127.7380
RFQ
ECAD 1026 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 - AT28L64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR SDRAM 1GB
AW48M64F8BNK0M ATP Electronics, Inc. AW48M64F8BNK0M 224.8155
RFQ
ECAD 2420 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
A4C16QW8BNRCSE ATP Electronics, Inc. A4C16QW8BNRCSE 96.9570
RFQ
ECAD 10000 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
AQ24M72Y8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24M72Y8BLF8S 70.8225
RFQ
ECAD 2146 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW12P7218BLH9M ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 68.2776
RFQ
ECAD 8810 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW12P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ24M64B8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24M64B8BLK0M 95.3610
RFQ
ECAD 7031 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ24P72E8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24P72E8BLF8S 77.6584
RFQ
ECAD 8231 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4K04Q18BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4K04Q18BLPBSE 42.2009
RFQ
ECAD 6845 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-MINIUDIMM A4K04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2400
AW56M7218BKF8M ATP Electronics, Inc. AW56M7218BKF8M 65.1402
RFQ
ECAD 9711 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ24M72E8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLK0M 114.7128
RFQ
ECAD 7810 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4C04QV8BLRCSE ATP Electronics, Inc. A4C04QV8BLRCSE 38.2109
RFQ
ECAD 5786 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2400
AF32GCFP7-OEM ATP Electronics, Inc. AF32GCFP7-OEM 36.7350
RFQ
ECAD 9786 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 盒子 积极的 0°C〜70°C AF32 MLC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 1 - compactflash® 32GB
AW56P7218BKK0M ATP Electronics, Inc. AW56P7218BKK0M 72.3700
RFQ
ECAD 3209 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-Sodimm AW56 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 2GB 1600
AL12P72A8BLK0M ATP Electronics, Inc. AL12P72A8BLK0M 60.8500
RFQ
ECAD 1012 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库