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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
AT28L7228BHC4M ATP Electronics, Inc. AT28L7228BHC4M 110.1818
RFQ
ECAD 4099 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 - AT28L7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 1GB
AW12M6438BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12M6438BLK0M 61.1994
RFQ
ECAD 2014 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY56P7268BKF8M ATP Electronics, Inc. AY56P7268BKF8M 57.0570
RFQ
ECAD 5815 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY56P7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW24M7228BLF8S ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLF8S 81.1356
RFQ
ECAD 1655年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW24M7228BLF8M ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLF8M 121.5014
RFQ
ECAD 2085 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ12M72D8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ12M72D8BLK0M 67.1184
RFQ
ECAD 8741 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 50 4GB
AQ56M72X8BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ56M72X8BKH9M 58.0545
RFQ
ECAD 8374 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AF4GSSEH-OEM ATP Electronics, Inc. af4gsseh-oem 77.8438
RFQ
ECAD 8322 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C - - AF4G - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8471.70.6000 1 (SSD))闪光灯-NAND(SLC) 4GB 磁盘在模块上,Sata dom - - -
AF1GSSGH-OEM ATP Electronics, Inc. af1gssgh-oem 24.3900
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C 36.90mm x 26.60mm x 11.50mm - AF1G - 5V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8471.70.6000 1 (SSD))闪光灯-NAND(SLC) 1GB 磁盘模块,EUSB 30MB/s 27MB/s -
AF8GSSCJ-OEM ATP Electronics, Inc. AF8GSSCJ-OEM 202.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ATP电子,Inc。 速度sii 大部分 积极的 -40°C〜85°C 100.0mm x 69.90mm x 9.20mm 萨塔三世 AF8GSSCJ - - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 2 (SSD))闪光灯-NAND(SLC) 8GB 2.5” - - -
AL24M72B8BLK0S ATP Electronics, Inc. AL24M72B8BLK0 68.4375
RFQ
ECAD 3904 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL24P72B8BLH9M ATP Electronics, Inc. AL24P72B8BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 110.5230
RFQ
ECAD 1204 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AF120GSTIC-7BAIP ATP Electronics, Inc. AF120GSTIC-7BAIP -
RFQ
ECAD 2198 0.00000000 ATP电子,Inc。 2280 D2-BM 托盘 过时的 -40°C〜85°C 80.00mm x 22.00mm x 3.35mm 萨塔三世 AF120 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF120GSTIC-7BAIP 3A991B1A 8471.70.6000 32 SSD(SSD)闪光灯-NAND(3D) 120GB M.2模块 560MB/s 415MB/s
AL24M7218BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24M7218BLK0M 139.3700
RFQ
ECAD 6337 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AW24M7228BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLK0MW 151.7000
RFQ
ECAD 42 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-Sodimm AW24 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 50 DDR3 SDRAM 8GB 1600
AW56M7218BKH9S ATP Electronics, Inc. AW56M7218BKH9S 44.4344
RFQ
ECAD 5937 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW12P7218BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLF8MW 75.2320
RFQ
ECAD 4442 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW12P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1066
AL24P72B8BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24P72B8BLK0M 103.8750
RFQ
ECAD 1600 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY12M7268BLF8M ATP Electronics, Inc. AY12M7268BLF8M 59.7569
RFQ
ECAD 7855 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY12M7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL12M72A8BLH9S ATP Electronics, Inc. AL12M72A8BLH9S 45.8850
RFQ
ECAD 3319 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL12P72A8BLK0M ATP Electronics, Inc. AL12P72A8BLK0M 60.8500
RFQ
ECAD 1012 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AF240GSTIC-7BEIP ATP Electronics, Inc. AF240GSTIC-7BEIP -
RFQ
ECAD 1473 0.00000000 ATP电子,Inc。 * 托盘 积极的 - rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF240GSTIC-7BEIP 30
AQ12M72X8BLH9M ATP Electronics, Inc. aq12m72x8blhhh9m 60.7544
RFQ
ECAD 8549 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL24P7218BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24P7218BLF8M 135.3500
RFQ
ECAD 6162 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AJ56K72H8BJF7M ATP Electronics, Inc. AJ56K72H8BJF7M 72.7500
RFQ
ECAD 8827 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AJ56K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR2 SDRAM 2GB 667
AF2GCSI-OEM ATP Electronics, Inc. AF2GCSI-OEM 57.8640
RFQ
ECAD 9470 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C AF2G SLC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 1 - CFAST 2GB
AF2GSSEI-OEM ATP Electronics, Inc. AF2GSSEI-OEM 49.6116
RFQ
ECAD 2563 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C - - AF2G - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8471.70.6000 1 (SSD))闪光灯-NAND(SLC) 2GB 磁盘在模块上,Sata dom - - -
AQ48P64B8BNK0M ATP Electronics, Inc. AQ48P64B8BNK0M 230.6441
RFQ
ECAD 5405 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AF480GSTJA-8BBIX ATP Electronics, Inc. AF480GSTJA-8BBIX -
RFQ
ECAD 2716 0.00000000 ATP电子,Inc。 N600 托盘 过时的 -40°C〜85°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME - 3.3V - rohs3符合条件 到达不受影响 1282-AF480GSTJA-8BBIX 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB M.2模块 3.42GB/s 3.05GB/s -
AW56M7218BKF8M ATP Electronics, Inc. AW56M7218BKF8M 65.1402
RFQ
ECAD 9711 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库