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内存 -4191）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
MT8VDDT3264AG-265GB Micron Technology Inc. MT8VDDT3264AG-265GB -
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-udimm 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 266
MT9JBF25672AKIZ-1G4K1 Micron Technology Inc. MT9JBF25672AKIZ-1G4K1 -
RFQ
 ECAD 6285 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 244-Miniudimm - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 2GB 1333
MT36HTS51272FY-667A3E3 Micron Technology Inc. MT36HTS51272FY-667A3E3 3.0000
RFQ
 ECAD 9433 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-FBDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 4GB 667
MT9KSF25672PZ-1G4K1 Micron Technology Inc. MT9KSF25672PZ-1G4K1 -
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 2GB 1333
MT4VDDT3264WG-335C1 Micron Technology Inc. MT4VDDT3264WG-335C1 -
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 172-udimm mt4vdt - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 333
MT18LSDT3272DG-13EG1 Micron Technology Inc. MT18LSDT3272DG-13EG1 -
RFQ
 ECAD 2723 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 168-dimm 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 Sdram 256MB 133
W9R308647PA-222 Wintec Industries W9R308647PA-222 -
RFQ
 ECAD 5434 0.00000000 Wintec Industries - 过时的 144-Sodimm - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 1 Sdram 64MB 100
A4D16QA8BVWEMW ATP Electronics, Inc. A4D16QA8BVWEMW 205.0600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ATP电子，Inc。 * 托盘 积极的 下载 （1 （无限） 到达不受影响 1282-A4D16QA8BVWEMW Ear99 8473.30.1140 50
AQD-D3L4GN18-MG Advantech Corp AQD-D3L4GN18毫克 -
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 Advantech Corp * 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
MTEDDGR008MCB-1R2 Micron Technology Inc. MTEDDGR008MCB-1R2 -
RFQ
 ECAD 5936 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - 557-metTerDGR008MCB-1R2 过时的 720
MT36JSF2G72PZ-1G6D1 Micron Technology Inc. MT36JSF2G72PZ-1G6D1 -
RFQ
 ECAD 2451 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
MTEDFBR016SCA-1P2IT Micron Technology Inc. MTEDFBR016SCA-1P2IT 164.2242
RFQ
 ECAD 3872 0.00000000 微米技术公司 EU500 托盘 积极的 模块 MTEDFBR016 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 150 Flash -nand（slc） 16 GB -
SEN01G64D1BF1SA-30WR Swissbit SEN01G64D1BF1SA-30WR -
RFQ
 ECAD 2556 0.00000000 瑞士 - 托盘 过时的 200-sodimm - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 4A994 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 667
AD4S3200316G22-BSSC ADATA AD4S3200316G22-BSSC 95.7700
RFQ
 ECAD 4768 0.00000000 阿达塔 DDR4 SO-DIMM 大部分 积极的 260-Sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4670-AD4S3200316G22-BSSC Ear99 8473.30.1140 1 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
MT16HTF12864HY-40ED3 Micron Technology Inc. MT16HTF12864HY-40ED3 -
RFQ
 ECAD 7994 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 400
AL56M72A8BKH9S ATP Electronics, Inc. AL56M72A8BKH9S 43.1984
RFQ
 ECAD 8402 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
SLU08G64B5BD2SA-DCER Swissbit SLU08G64B5BD2SA-DCER -
RFQ
 ECAD 3299 0.00000000 瑞士 - 托盘 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 100 DDR3L SDRAM 8GB 1600
M4U0-BGM2KCEM Innodisk USA Corporation M4U0-BGM2KCEM 334.9800
RFQ
 ECAD 2647 0.00000000 Innodisk USA公司 DDR4 大部分 积极的 288-udimm - （1 （无限） 4265-M4U0-BGM2KCEM 1 DDR4 SDRAM 32GB 3200
MT9JSF25672PZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT9JSF25672PZ-1G4D1 -
RFQ
 ECAD 2579 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2GB 1333
SEN01G64D1BJ1SA-25R Swissbit SEN01G64D1BJ1SA-25R -
RFQ
 ECAD 3059 0.00000000 瑞士 - 托盘 过时的 200-sodimm - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 800
78.D2GF6.4010B Apacer Memory America 78.D2GF6.4010B 223.4200
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 Apacer Memory America - 大部分 积极的 260-Sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1582-78.D2GF6.4010B Ear99 8473.30.1140 1 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
MTC10C1084S1EC48BA1 Micron Technology Inc. MTC10C1084S1EC48BA1 171.6000
RFQ
 ECAD 7231 0.00000000 微米技术公司 DDR5 SDRAM 盒子 积极的 288-udimm - 557-MTC10C1084S1EC48BA1 1 DDR5 SDRAM 16 GB 4800
AL24M72B8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24M72B8BLF8M 110.5230
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
MTA18ASF2G72PZ-2G6J1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PZ-2G6J1 -
RFQ
 ECAD 1697年 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 过时的 288-RDIMM MTA18 下载 rohs3符合条件 557-MTA18ASF2G72PZ-2G6J1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 GB 2666
96SD3-4G1066NN-AP Advantech Corp 96SD3-4G1066NN-AP -
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 积极的 204-Sodimm 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 1 DDR3 SDRAM 4GB 1066
VR7PU126498GBFSF Viking Technology VR7PU126498GBFSF -
RFQ
 ECAD 9085 0.00000000 维京技术 - 盒子 过时的 204-Sodimm 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.32.0036 60 DDR3L SDRAM 4GB 1600
MT4VDDT3232UY-6K1 Micron Technology Inc. MT4VDDT3232UY-6K1 -
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 100-udimm mt4vdt 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 4A994J 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 128MB 333
MTA9ASF1G72PZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72PZ-2G6B1 -
RFQ
 ECAD 9022 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8GB 2666
VL33A1H63A-N7SB Virtium LLC VL33A1H63A-N7SB 81.1986
RFQ
 ECAD 6987 0.00000000 Virtium LLC DDR4 SDRAM 大部分 积极的 288-RDIMM - rohs3符合条件 1550-VL33A1H63A-N7SB 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AQ24M64B8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24M64B8BLF8S 61.8450
RFQ
 ECAD 6448 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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