SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
FN12N008GL-M414CC0 Hagiwara Solutions FN12N008GL-M414CC0 109.1700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Hagiwara解决方案 - 大部分 积极的 204-Sodimm 下载 Rohs符合条件 3513-FN12N008GL-M414CC0 1 DDR3L SDRAM 8GB 1600
AQ12P72D8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ12P72D8BLK0S 46.4514
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL56M72A8BKF8S ATP Electronics, Inc. AL56M72A8BKF8S 43.1984
RFQ
ECAD 9567 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW12P7218BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLK0M 75.8600
RFQ
ECAD 35 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-Sodimm AW12 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 4GB 1600
SQR-SD4N32G3K2SNAB Advantech Corp SQR-SD4N32G3K2SNAB 94.7500
RFQ
ECAD 7163 0.00000000 Advantech Corp SQR-SD4N 大部分 积极的 260-Sodimm - 2084-SQR-SD4N32G3K2SNAB 1 DDR4 SDRAM 32GB 3200
MTA36ASF4G72PZ-2G6B2 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G6B2 -
RFQ
ECAD 8327 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32GB 2666
MTA9ASF51272AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA9ASF51272AZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 8143 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 4GB 2666
AGIGA8006-032ACA Infineon Technologies Agiga8006-032ACA -
RFQ
ECAD 6461 0.00000000 Infineon技术 - 盒子 过时的 200-sodimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 nvram 32MB 100
MT9HTF6472PZ-667G1 Micron Technology Inc. MT9HTF6472PZ-667G1 -
RFQ
ECAD 1813年 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 100 DDR2 SDRAM 512MB 667
AQ56M64A8BKF8S ATP Electronics, Inc. AQ56M64A8BKF8S 32.5185
RFQ
ECAD 2373 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
MT4HTF1664HY-53EB2 Micron Technology Inc. MT4HTF1664HY-53EB2 74.8986
RFQ
ECAD 2453 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 200-sodimm MT4HTF - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 128MB 533
SLN04G72G2BF2SA-DCRT Swissbit SLN04G72G2BF2SA-DCRT -
RFQ
ECAD 5945 0.00000000 瑞士 - 托盘 过时的 204-SO-UDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 605586 过时的 0000.00.0000 100 DDR3L SDRAM 4GB 1600
D31.13132S.001 Adafruit Industries LLC D31.13132S.001 -
RFQ
ECAD 1875年 0.00000000 Adafruit Industries LLC - 大部分 过时的 - 1582-D31.13132S.001 1
MTA18ASF2G72PF1Z-3G2WP1AB Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PF1Z-3G2WP1AB -
RFQ
ECAD 1745年 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 积极的 288-NVDIMM MTA18 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTA18ASF2G72PF1Z-3G2WP1AB Ear99 8473.30.1140 60 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
AL12M72L8BKH9M ATP Electronics, Inc. AL12M72L8BKH9M 92.0030
RFQ
ECAD 8894 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
96SD3L-8G1333NN-AP Advantech Corp 96SD3L-8G1333NN-AP -
RFQ
ECAD 9014 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 过时的 204-Sodimm 下载 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 DDR3 SDRAM 8GB 1333
VR7PU126498GBFMKT Viking Technology VR7PU126498GBFMKT 251.2000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 维京技术 - 盒子 积极的 204-Sodimm VR7PU126498 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 1 DDR3L SDRAM 4GB 1600
MT18HTF12872AY-40EB1 Micron Technology Inc. MT18HTF12872AY-40EB1 -
RFQ
ECAD 5909 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 400
MT4KTF25664HZ-1G9P1 Micron Technology Inc. MT4KTF25664Hz-1G9P1 64.0800
RFQ
ECAD 5687 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 204-Sodimm MT4KTF25664 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 2GB 1600
W7EU512M1XC-SM0PB-002.01 Wintec Industries W7EU512M1XC-SM0PB-002.01 -
RFQ
ECAD 1708年 0.00000000 Wintec Industries W7EU 大部分 过时的 模块 下载 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8473.30.1140 1 Flash -nand(slc) 512MB -
MT8VDDT6464HDG-40BF2 Micron Technology Inc. MT8VDDT6464HDG-40BF2 -
RFQ
ECAD 7544 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 200-sodimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 400
MT16VDDF6464HG-40BG2 Micron Technology Inc. MT16VDDF6464HG-40BG2 -
RFQ
ECAD 3746 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 400
MT16KSF51264HZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT16KSF51264Hz-1G4D1 -
RFQ
ECAD 2504 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1333
AD4U3200732G22-BSSA ADATA AD4U3200732G22-BSSA 195.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 阿达塔 DDR4 ECC U-DIMM 大部分 积极的 288-udimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4670-AD4U3200732G22-BSSA Ear99 8473.30.1140 1 DDR4 SDRAM 32GB 3200
MT18HTF25672Y-53EA2 Micron Technology Inc. MT18HTF25672Y-53EA2 735.0192
RFQ
ECAD 7844 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2GB 533
A408Q18BNPBSE ATP Electronics, Inc. A408Q18BNPBSE 116.9832
RFQ
ECAD 2665 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-MINIUDIMM A408Q18 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 25 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AQ24P72Y8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLK0 70.8225
RFQ
ECAD 9177 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
TED3L8G1600C11-S01 Simply NUC Inc TED3L8G1600C11-S01 13.9900
RFQ
ECAD 108 0.00000000 简单的NUCINC - 托盘 积极的 - 5238-TED3L8G1600C11-S01 1
MT8HTF6464AY-800D1 Micron Technology Inc. MT8HTF6464AY-800D1 107.4080
RFQ
ECAD 6086 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-udimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 800
AD4S240038G17-BSSB ADATA AD4S240038G17-BSSB 56.1000
RFQ
ECAD 2715 0.00000000 阿达塔 DDR4 DIMM 大部分 积极的 260-Sodimm - rohs3符合条件 (1 (无限) 4670-AD4S240038G17-BSSB 1 DDR4 SDRAM 8GB 2400
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库