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内存 -4191）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
MT18JSF51272PZ-1G6M1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272PZ-1G6M1 -
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1600
MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64Hz-3G2R1 37.2450
RFQ
 ECAD 3574 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 积极的 260-Sodimm 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 557-MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8GB 3200
MT16HTF25664AZ-1GAH1 Micron Technology Inc. MT16HTF25664AZ-1GAH1 -
RFQ
 ECAD 1381 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2GB 1066
AD4B2666W4G19-BSSF ADATA AD4B2666W4G19-BSSF 42.3000
RFQ
 ECAD 8386 0.00000000 阿达塔 DDR4 ECC SO-DIMM 大部分 积极的 260-Sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4670-AD4B2666W4G19-BSSF Ear99 8473.30.1140 1 DDR4 SDRAM 4GB 2666
MTA4ATF25664AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA4ATF25664AZ-2G6B1 -
RFQ
 ECAD 8929 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1 DDR4 SDRAM 2GB 2666
MTA4ATF1G64AZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA4ATF1G64AZ-3G2E1 -
RFQ
 ECAD 3266 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 过时的 288-udimm MTA4ATF1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 557-MTA4ATF1G64AZ-3G2E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8GB 3200
MT36KSF1G72PZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT36KSF1G72PZ-1G4M1 -
RFQ
 ECAD 2211 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8GB 1333
SQR-SD3M-4G1K6SNLB Advantech Corp SQR-SD3M-4G1K6SNLB 28.1800
RFQ
 ECAD 9246 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 积极的 204-Sodimm SQR-SD3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 1 DDR3L SDRAM 4GB 1600
MT18JSF25672PDZ-1G6G1 Micron Technology Inc. MT18JSF25672PDZ-1G6G1 -
RFQ
 ECAD 7636 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2GB 1600
AQ12P6418BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ12P6418BKF8M 105.2444
RFQ
 ECAD 4344 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ24M6418BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ24M6418BLH9S 71.8630
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
MT18HTF12872Y-53ED2 Micron Technology Inc. MT18HTF12872Y-53ED2 263.0316
RFQ
 ECAD 3309 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 533
96SD2-1G800NN-TR1 Advantech Corp 96SD2-1G800NN-TR1 -
RFQ
 ECAD 7244 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 过时的 200-sodimm - Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 1 DDR2 SDRAM 1GB 800
MT16VDDT6464AY-40BGB Micron Technology Inc. MT16VDDT6464AY-40BGB -
RFQ
 ECAD 5198 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-udimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 400
A4K04Q18BLPBME ATP Electronics, Inc. A4K04Q18BLPBME 74.3576
RFQ
 ECAD 1122 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-MINIUDIMM A4K04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2400
WD2RE01GX809V-667G-HE Wintec Industries WD2RE01GX809V-667G-HE -
RFQ
 ECAD 1904年 0.00000000 Wintec Industries - 托盘 过时的 240-RDIMM 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 DDR2 SDRAM 1GB 667
DS1217A-16K-25 ADI/Maxim Integrated DS1217A-16K-25 -
RFQ
 ECAD 9132 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 过时的 30卡边缘墨盒模块 DS1217 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0061 1 nvram 2kb -
MT18JSF1G72PZ-1G9E1 Micron Technology Inc. MT18JSF1G72PZ-1G9E1 -
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8GB 1866年
MT18HVS25672PKZ-80EM1 Micron Technology Inc. MT18HVS25672PKZ-80EM1 -
RFQ
 ECAD 2432 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 244毫米 - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2GB 800
MT4VDDT1664HG-335F3 Micron Technology Inc. MT4VDDT1664HG-335F3 -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm mt4vdt 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 128MB 333
AW12M7218BLH9S ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLH9S 47.6424
RFQ
 ECAD 6924 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A4D08Q38BNRCSE ATP Electronics, Inc. A4D08Q38BNRCSE 47.0820
RFQ
 ECAD 6069 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
MTA18ASF4G72HZ-3G2F1 Micron Technology Inc. MTA18ASF4G72HZ-3G2F1 185.2500
RFQ
 ECAD 3703 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 积极的 260-Sodimm - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 557-MTA18ASF4G72HZ-3G2F1 100 DDR4 SDRAM 32GB 3200
78.C1GER.AFE0C Apacer Memory America 78.C1GER.AFE0C -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 Apacer Memory America - 大部分 过时的 - 1582-78.C1GER.AFE0C 过时的 1
SEN01G64D1BG1SA-25ER Swissbit SEN01G64D1BG1SA-25ER -
RFQ
 ECAD 8629 0.00000000 瑞士 - 托盘 过时的 200-sodimm - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 800
SQR-SD4N-8G2K4HBC Advantech Corp SQR-SD4N-8G2K4HBC 107.7300
RFQ
 ECAD 9342 0.00000000 Advantech Corp * 大部分 积极的 SQR-SD4 - Ear99 8473.30.1140 1
WD3UN01GX808-1333K-PE Wintec Industries WD3UN01GX808-133K-PE -
RFQ
 ECAD 1591年 0.00000000 Wintec Industries - 托盘 过时的 240-dimm - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 DDR3 SDRAM 1GB 1333
MT36HTJ51272Y-40ED2 Micron Technology Inc. MT36HTJ51272Y-40ED2 -
RFQ
 ECAD 7669 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 4GB 400
SQR-SD4N-16G2K4HBC Advantech Corp SQR-SD4N-16G2K4HBC 208.8100
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 Advantech Corp * 大部分 积极的 SQR-SD4 - Ear99 8473.30.1140 1
AQ48P72Y8DNH9T ATP Electronics, Inc. AQ48P72Y8DNH9T -
RFQ
 ECAD 1480 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 过时的 - 到达不受影响 1282-AQ48P72Y8DNH9T 过时的 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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