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内存 -4191）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AQ56M64A8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56M64A8BKK0S 32.5185
RFQ
 ECAD 8409 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
MT5VDDT872AG-265B1 Micron Technology Inc. MT5VDDT872AG-265B1 -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 184-udimm 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 64MB 266
MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 131.0531
RFQ
 ECAD 1095 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 上次购买 288-RDIMM MTA36 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 32GB 2933
MT16KTF1G64AZ-1G6N1 Micron Technology Inc. MT16KTF1G64AZ-1G6N1 -
RFQ
 ECAD 8117 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 240-udimm MT16KTF1 - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 8GB 1600
AY48P7288BNF8M ATP Electronics, Inc. AY48P7288BNF8M 251.4603
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY48P7288 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
VL41A2G63A-N8SC-S1 Virtium LLC VL41A2G63A-N8SC-S1 232.5200
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Virtium LLC - 托盘 积极的 模块 VL41A2 - （1 （无限） 1550-VL41A2G63A-N8SC-S1 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB
MT16VDDT12864AG-335F2 Micron Technology Inc. MT16VDDT12864AG-335F2 -
RFQ
 ECAD 9851 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 184-udimm 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 333
SQR-SD2I-1G667SN Advantech Corp SQR-SD2I-1G667SN -
RFQ
 ECAD 1739年 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 过时的 200-sodimm 下载 （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 DDR2 SDRAM 1GB 667
MTA72ASS8G72LZ-2G6R2 Micron Technology Inc. MTA72ASS8G72LZ-2G6R2 463.1250
RFQ
 ECAD 5211 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 盒子 积极的 288-lrdimm 下载 557-MTA72ASS8G72LZ-2G6R2 1 DDR4 SDRAM 64GB 2666
MTA18ASF2G72HZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72Hz-2G3B1 -
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 260-Sodimm - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
MTA18ADF2G72PDZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA18ADF2G72PDZ-3G2E1 124.2300
RFQ
 ECAD 7239 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 上次购买 288-RDIMM MTA18 - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
MT9VDDF3272G-335G3 Micron Technology Inc. MT9VDDF3272G-335G3 -
RFQ
 ECAD 5553 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 184-rdimm 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 557-1129 Ear99 8473.30.1140 1 DDR SDRAM 256MB 167
AMP4R02GE14F1SP-C4H Accelerated Memory Production, Inc. AMP4R02GE14F1SP-C4H 108.2300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 加速记忆生产公司 - 大部分 积极的 288-dimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 3642-AMP4R02GE14F1SP-C4H Ear99 8542.32.0023 1 DDR4 DIMM 16 GB 2400
SDN03264C1CJ1MT-50R Swissbit SDN03264C1CJ1MT-50R -
RFQ
 ECAD 3222 0.00000000 瑞士 - 托盘 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 100 DDR SDRAM 256MB 400
MT8JTF12864HZ-1G1G1 Micron Technology Inc. MT8JTF12864Hz-1G1G1 -
RFQ
 ECAD 1335 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR3 SDRAM 1GB 1066
96SD3-4G1333NN-TR2 Advantech Corp 96SD3-4G1333NN-TR2 -
RFQ
 ECAD 1956年 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 过时的 - 下载 （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 DDR3 SDRAM 4GB 1333
WD3SN04GX816-1333K-PE Wintec Industries WD3SN04GX816-1333K-PE -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 Wintec Industries - 托盘 过时的 204-SO-UDIMM - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 DDR3 SDRAM 4GB 1333
AQ12M72D8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ12M72D8BLF8M 65.1824
RFQ
 ECAD 6297 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
MT18HVF25672PZ-80EM1 Micron Technology Inc. MT18HVF25672PZ-80EM1 -
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2GB 800
SGN08G64E2BD2SA-DCWRT Swissbit SGN08G64E2BD2SA-DCWRT -
RFQ
 ECAD 4724 0.00000000 瑞士 - 托盘 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 100 DDR3 SDRAM 8GB 1600
MT18HTF12872PY-40ED2 Micron Technology Inc. MT18HTF12872PY-40ED2 -
RFQ
 ECAD 2336 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 400
AQ56M72D8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKK0S 41.9960
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
D12.31285S.001 Apacer Memory America D12.31285S.001 157.6900
RFQ
 ECAD 9480 0.00000000 Apacer Memory America DDR5 SDRAM UDIMM 大部分 积极的 288-udimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1582-D12.31285S.001 1 DDR5 SDRAM 16 GB 4800
A4B08QD8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4B08QD8BNPBSE 74.8766
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
MT9HTF6472Y-80ED4 Micron Technology Inc. MT9HTF6472Y-80ED4 182.1146
RFQ
 ECAD 1676年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 800
MT9HTF12872PZ-667H1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872PZ-667H1 -
RFQ
 ECAD 2968 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 667
AY24P7298MNH9M ATP Electronics, Inc. AY24P7298MNH9M 192.4757
RFQ
 ECAD 5286 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204分钟 AY24P7298 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
MT18KSF51272PZ-1G4K1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272PZ-1G4K1 -
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 4GB 1333
MT18VDDT6472AG-26AG4 Micron Technology Inc. MT18VDDT6472AG-26AG4 -
RFQ
 ECAD 1786年 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-udimm 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 266
MT18KSF51272PDZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272PDZ-1G4M1 -
RFQ
 ECAD 5418 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1333
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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