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内存 -4191）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
MTA36ASF4G72PZ-3G2E7 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-3G2E7 134.9458
RFQ
 ECAD 2920 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 上次购买 288-RDIMM MTA36 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 557-MTA36ASF4G72PZ-3G2E7 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32GB 3200
AG64L72G8SHC4M ATP Electronics, Inc. AG64L72G8SHC4M 62.2399
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 184-udimm AG64L72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 512MB
AW12P7258BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12P7258BLK0M 75.8620
RFQ
 ECAD 8150 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
WD3SN01GX808-1333K-PE Wintec Industries WD3SN01GX808-1333K-PE -
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 Wintec Industries - 托盘 过时的 204-SO-UDIMM - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 DDR3 SDRAM 1GB 1333
MTA8ATF51264AZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA8ATF51264AZ-2G3B1 -
RFQ
 ECAD 7921 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 4GB 2400
96SD2-1G667NN-TR Advantech Corp 96SD222-1G667NN-Tr -
RFQ
 ECAD 9070 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 过时的 - 下载 （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 DDR2 SDRAM 1GB 667
MT36JSF51272PZ-1G4G1 Micron Technology Inc. MT36JSF51272PZ-1G4G1 133.5977
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 240-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1333
MT4LSDT1664AY-13EG1 Micron Technology Inc. MT4LSDT1664AY-13EG1 -
RFQ
 ECAD 2313 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 168-udimm MT4LSDT - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.32.0002 100 Sdram 128MB 133
AW12M7218BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLMAMW 75.2320
RFQ
 ECAD 9015 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
MT18KSF51272PZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272PZ-1G4M1 -
RFQ
 ECAD 7618 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1333
MT18JSF1G72AZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18JSF1G72AZ-1G6E1 -
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8GB 1600
MT9VDDT6472PHY-335F2 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472PHY-335F2 -
RFQ
 ECAD 6182 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 512MB 333
AQ12M6418BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ12M6418BLK0M 63.5176
RFQ
 ECAD 6465 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
SQR-UD4N8G2K4SESPB Advantech Corp SQR-ID4N8G2K4SESPB -
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 Advantech Corp SQR-UD4（ECC） 大部分 过时的 288-udimm - 1588-SQR-ID4N8G2K4SESPB 过时的 1 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AW48P64F8BNF8M ATP Electronics, Inc. AW48P64F8BNF8M 224.8155
RFQ
 ECAD 9873 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
MT4LSDT864AY-13EG2 Micron Technology Inc. MT4LSDT864AY 13EG2 -
RFQ
 ECAD 3624 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 168-udimm MT4LSDT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 Sdram 64MB 133
75.C93E2.G040B Apacer Memory America 75.C93E2.G040B 112.3400
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 Apacer Memory America - 大部分 积极的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1582-75.C93E2.G040B Ear99 8473.30.1140 1 DDR3 SDRAM 8GB 1600
MTA9ASF2G72AZ-3G2B1 Micron Technology Inc. MTA9ASF2G72AZ-3G2B1 -
RFQ
 ECAD 4684 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 过时的 288-udimm MTA9ASF2 下载 rohs3符合条件 3（168）） 557-MTA9ASF2G72AZ-3G2B1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
AW24P64F8BLF8S ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLF8 70.9156
RFQ
 ECAD 7720 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
MTEDCBE016SAJ-1N2 Micron Technology Inc. MTEDCBE016SAJ-1N2 -
RFQ
 ECAD 4525 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash -nand（slc） 16 GB -
A4D04Q38BLRCSE ATP Electronics, Inc. A4D04Q38BLRCSE 33.5160
RFQ
 ECAD 1697年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2400
SQR-SD3N-8G1K6HNEC Advantech Corp SQR-SD3N-8G1K6HNEC -
RFQ
 ECAD 8638 0.00000000 Advantech Corp SQR-SD3N 大部分 积极的 SQR-SD3 - Ear99 8473.30.1140 1
MT9VDDT6472AG-40BD1 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472AG-40BD1 -
RFQ
 ECAD 6216 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 184-udimm 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 557-1138 Ear99 8473.30.1140 1 DDR SDRAM 512MB 200
MT18KSF1G72PDZ-1G4P1 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72PDZ-1G4P1 -
RFQ
 ECAD 3043 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） 过时的 0000.00.0000 100 DDR3L SDRAM 8GB 1333
78.D2GFC.4010B Apacer Memory America 78.D2GFC.4010B 101.9300
RFQ
 ECAD 7527 0.00000000 Apacer Memory America DDR4 SDRAM UDIMM 大部分 积极的 260-Sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1582-78.D2GFC.4010B 1 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
AD4R2666W4G19-BSSF ADATA AD4R2666W4G19-BSSF 54.9200
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 阿达塔 DDR4 R-DIMM 大部分 积极的 288-RDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4670-AD4R2666W4G19-BSSF Ear99 8473.30.1140 1 DDR4 SDRAM 4GB 2666
MT18HTF12872AY-667B3 Micron Technology Inc. MT18HTF12872AY-667B3 -
RFQ
 ECAD 1211 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 667
MMM-3020-DSL Terasic Inc. MMM-3020-DSL -
RFQ
 ECAD 9154 0.00000000 Terasic Inc. - 大部分 过时的 200-sodimm - （1 （无限） Ear99 8542.32.0041 1 DDR2 SDRAM 1GB 800
96D2-1G800NN-TRL1 Advantech Corp 96D2-1G800NN-TRL1 -
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 过时的 240-udimm 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 1 DDR2 SDRAM 1GB 800
WD1UE01GX818-400C-PD Wintec Industries WD1UE01GX818-400C-PD -
RFQ
 ECAD 6595 0.00000000 Wintec Industries - 托盘 过时的 184-udimm - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 DDR SDRAM 1GB 400
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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