SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MT18HTF12872DY-53EB1 Micron Technology Inc. MT18HTF12872DY-53EB1 -
RFQ
ECAD 3967 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 533
MTA36ASF2G72PZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA36ASF2G72PZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 8273 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 100 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
SQR-SD4M-8G2K1SNB Advantech Corp SQR-SD4M-8G2K1SNB -
RFQ
ECAD 7268 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 过时的 260-Sodimm 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 1 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AY56M7268BKK0M ATP Electronics, Inc. AY56M7268BKK0M 57.0570
RFQ
ECAD 3285 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY56M7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
MT18JDF51272PZ-1G9K2 Micron Technology Inc. MT18JDF51272PZ-1G9K2 -
RFQ
ECAD 1139 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
AQ12P6418BKK0M ATP Electronics, Inc. AQ12P6418BKK0M 105.2444
RFQ
ECAD 4823 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
M5R0-BGS2BCVP Innodisk USA Corporation M5R0-BGS2BCVP 740.5400
RFQ
ECAD 3960 0.00000000 Innodisk USA公司 DDR4 大部分 积极的 288-RDIMM - (1 (无限) 4265-M5R0-BGS2BCVP 1 DDR5 SDRAM 32GB 4800
AW56M7258BKF8S ATP Electronics, Inc. AW56M7258BKF8 40.3541
RFQ
ECAD 5403 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 204-RDIMM AW56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 2GB
IEM5141A-016GETB3 ADATA IEM5141A-016GetB3 18.3200
RFQ
ECAD 9551 0.00000000 阿达塔 IEM5141A 大部分 积极的 153-VFBGA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4670-IEM5141A-016GetB3 1 Flash -nand (MLC) 16 GB 300读,120写
WD3UE04GX818-1333K-PE Wintec Industries WD3UE04GX818-133K-PE -
RFQ
ECAD 3543 0.00000000 Wintec Industries - 托盘 过时的 240-udimm - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 DDR3 SDRAM 4GB 1333
WD3RE02GX418V-1333K-PE Wintec Industries WD3RE02GX418V-1333K-PE -
RFQ
ECAD 8292 0.00000000 Wintec Industries - 托盘 过时的 240-RDIMM - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 DDR3L SDRAM 2GB 1333
75.B93E2.G040B Apacer Memory America 75.b93e2.g040b 67.7000
RFQ
ECAD 6514 0.00000000 Apacer Memory America - 大部分 积极的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1582-75.b93e2.g040b Ear99 8542.32.0036 1 DDR3 SDRAM 4GB 1600
AW24M7228BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLK0M 121.5014
RFQ
ECAD 1094 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
SFUI8192K1AB2TO-C-MS-211-NCK Swissbit SFUI8192K1AB2TO-C-MS-211-NCK -
RFQ
ECAD 4849 0.00000000 瑞士 U-400 托盘 过时的 模块 - rohs3符合条件 不适用 1052-SFUI8192K1AB2TO-C-MS-211-NCK 过时的 1 Flash -nand(slc) 8GB -
MTA8ATF1G64AZ-2G1A1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64AZ-2G1A1 -
RFQ
ECAD 4316 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8GB 2133
MT18RTF25672FDZ-667H1D6 Micron Technology Inc. MT18RTF25672FDZ-667H1D6 -
RFQ
ECAD 1384 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-FBDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2GB 667
MTA144ASQ16G72LSZ-2S9E2 Micron Technology Inc. MTA144ASQ16G72LSZ-2S9E2 -
RFQ
ECAD 6790 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 过时的 288-lrdimm MTA144 - 557-MTA144ASQ16G72LSZ-2S9E2 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 128GB 2933
AW12P7258BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12P7258BLK0M 75.8620
RFQ
ECAD 8150 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
MT4KTF25664AZ-1G9P1 Micron Technology Inc. MT4KTF25664AZ-1G9P1 -
RFQ
ECAD 3881 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm MT4KTF25664 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 2GB 1866年
AG64L72G8SHC4M ATP Electronics, Inc. AG64L72G8SHC4M 62.2399
RFQ
ECAD 9537 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 184-udimm AG64L72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 512MB
78.A1GE3.40F0C Adafruit Industries LLC 78.A1GE3.40F0C -
RFQ
ECAD 6069 0.00000000 Adafruit Industries LLC - 大部分 过时的 - 1582-78.A1GE3.40F0C 1
MTA36ASF4G72PZ-3G2E7 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-3G2E7 134.9458
RFQ
ECAD 2920 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 上次购买 288-RDIMM MTA36 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTA36ASF4G72PZ-3G2E7 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32GB 3200
SFUI4096J1AB1TO-C-MS-211-STD Swissbit SFUI4096J1B1TO-C-MS-211-STD -
RFQ
ECAD 6546 0.00000000 瑞士 U-400 大部分 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 605604 3A991B1A 8473.30.1140 1 Flash -nand(slc) 4GB -
MTA72ASS16G72LZ-2G9B3 Micron Technology Inc. MTA72ASS16G72LZ-2G9B3 1.0000
RFQ
ECAD 2863 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 盒子 积极的 288-lrdimm - 557-MTA72ASS16G72LZ-2G9B3 1 DDR4 SDRAM 128GB 2933
SFUI008GJ1AE1TO-C-DB-2B1-STD Swissbit SFUI008GJ1AE1TO-C-DB-2B1-STD 116.2300
RFQ
ECAD 8906 0.00000000 瑞士 - 大部分 积极的 - 1
MTA304ALS32G72M2SZ-1S6G1B5 Micron Technology Inc. MTA304ALS32G72M2SZ-1S6G1B5 -
RFQ
ECAD 3091 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 - - -
MTA18ASF2G72AZ-2G6D1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72AZ-2G6D1 -
RFQ
ECAD 7351 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-udimm MTA18 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 GB 2666
SEN06464H2CJ1SA-25R Swissbit SEN06464H2CJ1SA-25R -
RFQ
ECAD 3092 0.00000000 瑞士 - 托盘 过时的 200-sodimm - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 512MB 800
W7EU002G1XD-S20PD-02D.B4 Wintec Industries W7EU002G1XD-S20PD-02D.B4 -
RFQ
ECAD 2858 0.00000000 Wintec Industries W7EU 托盘 过时的 模块 下载 (1 (无限) 5A002A1 8523.51.0000 1 Flash -nand(slc) 2GB -
SFUI2048J1AB2TO-I-MS-211-STD Swissbit SFUI2048J1AB2TO-I-MS-211-STD -
RFQ
ECAD 6806 0.00000000 瑞士 U-400 大部分 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 3A991B1A 8473.30.1140 1 Flash -nand(slc) 2GB -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库