SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
AW12M7218BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLHHHH9MW 75.2320
RFQ
ECAD 1981 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1333
AL12P72L8BKH9S ATP Electronics, Inc. AL12P72L8BKH9S 74.4172
RFQ
ECAD 5714 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 4GB
AQ56M64A8BKK0M ATP Electronics, Inc. AQ56M64A8BKK0M 49.2765
RFQ
ECAD 6002 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW12M7218BLF8S ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLF8 47.6424
RFQ
ECAD 5029 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY56M7268BKF8M ATP Electronics, Inc. AY56M7268BKF8M 53.6250
RFQ
ECAD 9206 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY56M7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ24P64B8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24P64B8BLK0M 89.6250
RFQ
ECAD 1925年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4F32QG8BVWEMW ATP Electronics, Inc. A4F32QG8BVWEMW 340.0900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 ATP电子,Inc。 * 托盘 积极的 下载 (1 (无限) 到达不受影响 1282-A4F32QG8BVWEMW Ear99 8473.30.1140 50
A4C08QX8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4C08QX8BNPBSE 113.0760
RFQ
ECAD 3303 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AH56K72L8BJF7M ATP Electronics, Inc. AH56K72L8BJF7M 54.1216
RFQ
ECAD 3754 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AH56K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR2 SDRAM 2GB 800
AL24P72B8BLH9M ATP Electronics, Inc. AL24P72B8BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 110.5230
RFQ
ECAD 1204 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY24P7228BLH9S ATP Electronics, Inc. AY24P7228BLH9S 71.8200
RFQ
ECAD 1513年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY24P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL12M72A8BLMAM ATP Electronics, Inc. AL12M72A8BLMAM 64.7444
RFQ
ECAD 9096 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 4GB 1866年
AY24M7278MNK0M ATP Electronics, Inc. AY24M7278MNK0M 196.6591
RFQ
ECAD 6481 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY24M7278 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AL56P72A8BKH9M ATP Electronics, Inc. AL56P72A8BKH9M 62.0445
RFQ
ECAD 1165 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AY12P7268BLF8M ATP Electronics, Inc. AY12P7268BLF8M 59.7569
RFQ
ECAD 9455 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY12P7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A4B04QG8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B04QG8BLPBME 79.3308
RFQ
ECAD 4569 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4B04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AW12M7218BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLK0MW 75.2320
RFQ
ECAD 4311 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-Sodimm AW12 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 50 DDR3 SDRAM 4GB 1600
AQ48M72E8BNH9M ATP Electronics, Inc. AQ48M72E8BNH9M 258.1215
RFQ
ECAD 4821 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AQ48P64B8BNK0M ATP Electronics, Inc. AQ48P64B8BNK0M 230.6441
RFQ
ECAD 5405 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AL56M72A8BKK0M ATP Electronics, Inc. AL56M72A8BKK0M 62.0445
RFQ
ECAD 3293 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ48M72E8BNF8M ATP Electronics, Inc. AQ48M72E8BNF8M 258.1215
RFQ
ECAD 1609年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AQ56P72X8BKF8S ATP Electronics, Inc. AQ56P72X8BKF8 39.2084
RFQ
ECAD 2866 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AL24M72L8BLH9S ATP Electronics, Inc. AL24M72L8BLH9S 134.7250
RFQ
ECAD 2536 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AJ56K72H8BJF7M ATP Electronics, Inc. AJ56K72H8BJF7M 72.7500
RFQ
ECAD 8827 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AJ56K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR2 SDRAM 2GB 667
AW56M7218BKF8M ATP Electronics, Inc. AW56M7218BKF8M 65.1402
RFQ
ECAD 9711 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW56M6438BKH9S ATP Electronics, Inc. AW56M6438BKH9S 40.0196
RFQ
ECAD 3111 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW56M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4C08QW8BLRCME ATP Electronics, Inc. A4C08QW8BLRCME 132.0464
RFQ
ECAD 7051 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AQ12M72X8BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ12M72X8BLH9S 41.8950
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ24P6418BLH9M ATP Electronics, Inc. AQ24P6418BLHHHH9M 110.8080
RFQ
ECAD 1954年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ24M64B8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24M64B8BLK0M 95.3610
RFQ
ECAD 7031 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库