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内存 -535）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AW24M64F8BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLMAMW 117.8946
RFQ
 ECAD 1742年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB 1866年
AB28L72L4BHC4M ATP Electronics, Inc. AB28L72L4BHC4M 143.7738
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 184-rdimm AB28L72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 1GB
AL24P7218BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24P7218BLF8M 135.3500
RFQ
 ECAD 6162 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AQ48M64B8BNF8M ATP Electronics, Inc. AQ48M64B8BNF8M 230.6441
RFQ
 ECAD 2217 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
A4F32QG8BVWEMW ATP Electronics, Inc. A4F32QG8BVWEMW 340.0900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ATP电子，Inc。 * 托盘 积极的 下载 （1 （无限） 到达不受影响 1282-A4F32QG8BVWEMW Ear99 8473.30.1140 50
AT32L64A6SHC4M ATP Electronics, Inc. AT32L64A6SHC4M 41.2900
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 200-sodimm AT32L64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR SDRAM 256MB
AW56M7218BKH9S ATP Electronics, Inc. AW56M7218BKH9S 44.4344
RFQ
 ECAD 5937 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AL24P72B8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24P72B8BLF8M 110.5230
RFQ
 ECAD 1011 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4C16QY8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4C16QY8BNPBSE 213.5132
RFQ
 ECAD 9027 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
A4B04QD8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B04QD8BLPBME 71.4405
RFQ
 ECAD 8689 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AT28L64Z8BHC4M ATP Electronics, Inc. AT28L64Z8BHC4M 127.7380
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 - AT28L64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR SDRAM 1GB
A4C16QW8BNRCSE ATP Electronics, Inc. A4C16QW8BNRCSE 96.9570
RFQ
 ECAD 10000 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
AQ56P72D8BKH9S ATP Electronics, Inc. AQ56P72D8BKH9S 43.2434
RFQ
 ECAD 7804 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW56M7218BKK0M ATP Electronics, Inc. AW56M7218BKK0M 65.1402
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW56M7258BKH9M ATP Electronics, Inc. AW56M7258BKH9M 45.8680
RFQ
 ECAD 7685 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 2GB
AQ24P6418BLH9M ATP Electronics, Inc. AQ24P6418BLHHHH9M 110.8080
RFQ
 ECAD 1954年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW48M7228BNK0M ATP Electronics, Inc. AW48M7228BNK0M 253.1256
RFQ
 ECAD 2919 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
A4F16QD8BVWEMW ATP Electronics, Inc. A4F16QD8BVWEMW 147.5504
RFQ
 ECAD 7937 0.00000000 ATP电子，Inc。 * 托盘 积极的 下载 （1 （无限） 到达不受影响 1282-A4F16QD8BVWEMW 3A991B1A 8523.51.0000 50
AL48P72E4BLF8M ATP Electronics, Inc. AL48P72E4BLF8M 265.1355
RFQ
 ECAD 1926年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL48P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 16 GB
AQ12M72X8BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ12M72X8BLH9S 41.8950
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL24M72B8BLH9S ATP Electronics, Inc. AL24M72B8BLH9S 72.8175
RFQ
 ECAD 6980 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY24M7238BLF8M ATP Electronics, Inc. AY24M7238BLF8M 106.5330
RFQ
 ECAD 5663 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY24M7238 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL12M72A8BLH9S ATP Electronics, Inc. AL12M72A8BLH9S 45.8850
RFQ
 ECAD 3319 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW24M64F8BLF8M ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLF8M 111.9672
RFQ
 ECAD 7063 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW56P6438BKF8S ATP Electronics, Inc. AW56P6438BKF8 40.0196
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW56P6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW12P7218BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLHHHH9MW 75.2320
RFQ
 ECAD 7706 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW12P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1333
AW12M7218BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLK0MW 75.2320
RFQ
 ECAD 4311 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-Sodimm AW12 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 50 DDR3 SDRAM 4GB 1600
AL24P72L8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24P72L8BLF8M 134.7250
RFQ
 ECAD 3631 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AW12M6438BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12M6438BLK0M 61.1994
RFQ
 ECAD 2014 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AZ28K64B8BJE7M ATP Electronics, Inc. AZ28K64B8BJE7M 38.5035
RFQ
 ECAD 1768年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 200-udimm AZ28K64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR2 SDRAM 1GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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