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内存 -535）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AQ24P72E8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24P72E8BLF8S 77.6584
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL12M72A8BLH9S ATP Electronics, Inc. AL12M72A8BLH9S 45.8850
RFQ
 ECAD 3319 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12M7218BLH9M ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 68.2776
RFQ
 ECAD 3523 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY24M7298MNH9M ATP Electronics, Inc. AY24M7298MNH9M 198.1928
RFQ
 ECAD 1200 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204分钟 AY24M7298 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AQ56P72X8BKH9S ATP Electronics, Inc. AQ56P72X8BKH9S 36.8500
RFQ
 ECAD 2093 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4D08Q18BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4D08Q18BNPBSE 101.8276
RFQ
 ECAD 1396 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AQ48P72E8BNH9M ATP Electronics, Inc. AQ48P72E8BNH9M 258.1215
RFQ
 ECAD 3611 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AW12P7218BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLF8MW 75.2320
RFQ
 ECAD 4442 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW12P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1066
AQ24M72E8BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLH9S 77.6584
RFQ
 ECAD 1957年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AJ28K64J8BJF7M ATP Electronics, Inc. AJ28K64J8BJF7M 40.4985
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AJ28K64 - rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 50 DDR2 SDRAM 1GB 800
AW56M6438BKK0S ATP Electronics, Inc. AW56M6438BKK0S 40.0196
RFQ
 ECAD 2647 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW56M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AY56M7258BKK0M ATP Electronics, Inc. AY56M7258BKK0M 61.0470
RFQ
 ECAD 9381 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW56M7218BKH9S ATP Electronics, Inc. AW56M7218BKH9S 44.4344
RFQ
 ECAD 5937 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW56P6438BKH9M ATP Electronics, Inc. AW56P6438BKH9M 58.4176
RFQ
 ECAD 1070 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW56P6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW24M7228BLF8M ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLF8M 121.5014
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL48P72E4BLF8M ATP Electronics, Inc. AL48P72E4BLF8M 265.1355
RFQ
 ECAD 1926年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL48P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 16 GB
AQ24P72Y8BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLH9S 70.8225
RFQ
 ECAD 2639 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW12P7218BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLMAMW 75.2320
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW12P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
AL12M72L8BKK0S ATP Electronics, Inc. AL12M72L8BKK0S 74.4172
RFQ
 ECAD 3358 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 4GB
AW48M64F8BNH9M ATP Electronics, Inc. AW48M64F8BNH9M 224.8155
RFQ
 ECAD 6772 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
A4G16QE8BNWEME ATP Electronics, Inc. A4G16QE8Bnweme 151.9600
RFQ
 ECAD 2780 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 260-udimm A4G16 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-A4G16QE8BNWEME Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
AY24P7238BLF8M ATP Electronics, Inc. AY24P7238BLF8M 106.5330
RFQ
 ECAD 4106 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY24P7238 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL24M72L8BLH9M ATP Electronics, Inc. AL24M72L8BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 130.8380
RFQ
 ECAD 9398 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AQ56M72D8BKF8S ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKF8S 43.2434
RFQ
 ECAD 5870 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4G08QE8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4G08QE8BLPBSE 70.9356
RFQ
 ECAD 4926 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 260-udimm A4G08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AW12M7258BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12M7258BLF8M 75.8620
RFQ
 ECAD 5589 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW12M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
AH56K72L8BJE7M ATP Electronics, Inc. AH56K72L8BJE7M 54.1216
RFQ
 ECAD 9313 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AH56K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR2 SDRAM 2GB 800
AW56P7258BKK0S ATP Electronics, Inc. AW56P7258BKK0 40.3541
RFQ
 ECAD 3157 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-RDIMM AW56P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 2GB
AL24M72B8BLF8S ATP Electronics, Inc. AL24M72B8BLF8 72.8175
RFQ
 ECAD 7214 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4D32QB8BVWEMW ATP Electronics, Inc. A4D32QB8BVWEMW 302.7700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ATP电子，Inc。 * 托盘 积极的 下载 （1 （无限） 到达不受影响 1282-A4D32QB8BVWEMW Ear99 8473.30.1140 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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