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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
A4D08QB8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4D08QB8BLPBME 118.0884
RFQ
ECAD 7752 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AL48P72L8BNK0M ATP Electronics, Inc. AL48P72L8BNK0M 303.0000
RFQ
ECAD 3645 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-RDIMM AL48 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 1 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AY12P7268BLK0M ATP Electronics, Inc. AY12P7268BLK0M 59.7569
RFQ
ECAD 9229 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY12P7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12P6438BLH9S ATP Electronics, Inc. AW12P6438BLH9S 42.8782
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12P6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ24M72Y8BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ24M72Y8BLH9S 70.8225
RFQ
ECAD 1506 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4D04Q38BLRCSE ATP Electronics, Inc. A4D04Q38BLRCSE 33.5160
RFQ
ECAD 1697年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2400
AQ24M72Y8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24M72Y8BLK0M 108.5280
RFQ
ECAD 8091 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4C04QX8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4C04QX8BLPBME 68.4180
RFQ
ECAD 2725 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AW24P7228BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLK0MW 128.2640
RFQ
ECAD 6818 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1600
AW12M7218BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLF8MW 75.2320
RFQ
ECAD 4054 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1066
A4D08Q38BNRCSE ATP Electronics, Inc. A4D08Q38BNRCSE 47.0820
RFQ
ECAD 6069 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AQ56M72D8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKK0S 41.9960
RFQ
ECAD 9717 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ56P64A8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKK0S 32.5185
RFQ
ECAD 1763年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW24P64F8BLF8S ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLF8 70.9156
RFQ
ECAD 7720 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW56M7258BKF8M ATP Electronics, Inc. AW56M7258BKF8M 47.2307
RFQ
ECAD 4196 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 2GB
AQ24P64B8BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ24P64B8BLH9S 61.8450
RFQ
ECAD 3366 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ12M72D8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ12M72D8BLF8M 65.1824
RFQ
ECAD 6297 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL24M72L8BLF8S ATP Electronics, Inc. AL24M72L8BLF8S 134.7250
RFQ
ECAD 9367 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AW24M7228BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLK0M 121.5014
RFQ
ECAD 1094 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW12P6438BLF8S ATP Electronics, Inc. AW12P6438BLF8S 42.8782
RFQ
ECAD 3669 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12P6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY24P7298MNH9M ATP Electronics, Inc. AY24P7298MNH9M 192.4757
RFQ
ECAD 5286 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 204分钟 AY24P7298 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AY24P7228BLF8S ATP Electronics, Inc. AY24P7228BLF8S 71.8200
RFQ
ECAD 8461 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY24P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4D08QA8BNWEME ATP Electronics, Inc. A4D08QA8BNWEME 86.0600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 288-udimm A4D08 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-A4D08QA8BNWEME Ear99 8542.32.0036 50 DDR4 SDRAM 8GB 3200
AL48M72E4BLF8M ATP Electronics, Inc. AL48M72E4BLF8M 265.1355
RFQ
ECAD 9582 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 16 GB
AZ28K72D8BJE7M ATP Electronics, Inc. AZ28K72D8BJE7M 34.7880
RFQ
ECAD 3826 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 200-rdimm AZ28K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR2 SDRAM 1GB 667
AL12P72A8BLK0S ATP Electronics, Inc. AL12P72A8BLK0 45.8850
RFQ
ECAD 3473 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ12M6418BKK0M ATP Electronics, Inc. AQ12M6418BKK0M 105.2444
RFQ
ECAD 9359 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AT64L7218SHC4M ATP Electronics, Inc. AT64L7218SHC4M 58.1807
RFQ
ECAD 5302 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 200-sodimm AT64L7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 512MB
A4C04QV8BLRCME ATP Electronics, Inc. A4C04QV8BLRCME 72.4236
RFQ
ECAD 8566 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2400
AQ24M6418BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24M6418BLF8S 71.8630
RFQ
ECAD 2955 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库