SIC
close

内存 -535）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
A4F08QD8BNWEME ATP Electronics, Inc. A4F08QD8BNWEME 92.7900
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 260-Sodimm A4F08 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-A4F08QD8BNWEME Ear99 8542.32.0036 50 DDR4 SDRAM 8GB 3200
AG64L72G8SHC4M ATP Electronics, Inc. AG64L72G8SHC4M 62.2399
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 184-udimm AG64L72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 512MB
AL56M72A8BKF8M ATP Electronics, Inc. AL56M72A8BKF8M 62.0445
RFQ
 ECAD 3642 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW56P64B8BKK0M ATP Electronics, Inc. AW56P64B8BKK0M 68.7700
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-Sodimm AW56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 2GB 1600
AW56M7258BKF8S ATP Electronics, Inc. AW56M7258BKF8 40.3541
RFQ
 ECAD 5403 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-RDIMM AW56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 2GB
AZ28K72D8BJE7M ATP Electronics, Inc. AZ28K72D8BJE7M 34.7880
RFQ
 ECAD 3826 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 200-rdimm AZ28K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR2 SDRAM 1GB 667
AQ56P72D8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56P72D8BKK0S 43.2434
RFQ
 ECAD 6948 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW12M7218BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLK0M 68.2776
RFQ
 ECAD 6038 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL24M72B8BLMAM ATP Electronics, Inc. AL24M72B8BLMAM 110.5230
RFQ
 ECAD 9158 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 8GB 1866年
AW12M64B8BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW12M64B8BLMAMW 71.7111
RFQ
 ECAD 1625年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
AY12M7258BLH9M ATP Electronics, Inc. AY12M7258BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 59.9125
RFQ
 ECAD 3135 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY12M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY56P7268BKH9M ATP Electronics, Inc. AY56P7268BKH9M 57.0570
RFQ
 ECAD 8691 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY56P7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AY56M7268BKK0M ATP Electronics, Inc. AY56M7268BKK0M 57.0570
RFQ
 ECAD 3285 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY56M7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ56M72D8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKK0S 41.9960
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AT32L7238SQB3M ATP Electronics, Inc. AT32L7238SQB3M 114.2128
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AT32L7238 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 256MB
A4C08QY8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4C08QY8BLPBSE 116.2160
RFQ
 ECAD 6978 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AQ12M72D8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ12M72D8BLF8S 46.4514
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW24P64F8BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLF8MW 117.8946
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1066
AQ24P72Y8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLF8M 108.5280
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY48M7288BNH9M ATP Electronics, Inc. AY48M728BNH9M 251.4603
RFQ
 ECAD 1546年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY48M7288 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AY24M7228BLF8S ATP Electronics, Inc. AY24M7228BLF8S 71.8200
RFQ
 ECAD 4350 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL12M72A8BLK0S ATP Electronics, Inc. AL12M72A8BLK0 45.8850
RFQ
 ECAD 8068 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY48P7288BNK0M ATP Electronics, Inc. AY48P7288BNK0M 244.2067
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY48P7288 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AY12P7268BLH9M ATP Electronics, Inc. AY12P7268BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 59.7569
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY12P7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ12P6418BKK0M ATP Electronics, Inc. AQ12P6418BKK0M 105.2444
RFQ
 ECAD 4823 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL24P7218BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24P7218BLK0M 139.3700
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AW12P7258BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12P7258BLF8M 75.8620
RFQ
 ECAD 9845 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
AW12M7218BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLMAMW 75.2320
RFQ
 ECAD 9015 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
AQ24M72Y8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24M72Y8BLK0M 108.5280
RFQ
 ECAD 8091 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL48M72H8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL48M72H8BLF8M 231.0560
RFQ
 ECAD 6918 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 16 GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭