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内存 -535）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AW12M7218BLK0S ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLK0 47.6424
RFQ
 ECAD 1770年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8471.70.9000 50 4GB
AQ24M72E8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLF8S 77.6584
RFQ
 ECAD 5882 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW12M7218BLH9S ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLH9S 47.6424
RFQ
 ECAD 6924 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A4K04Q18BLPBME ATP Electronics, Inc. A4K04Q18BLPBME 74.3576
RFQ
 ECAD 1122 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-MINIUDIMM A4K04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2400
AW24P64F8BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLF8MW 117.8946
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1066
AY24P7298MNF8M ATP Electronics, Inc. AY24P7298MNF8M 198.1928
RFQ
 ECAD 9159 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204分钟 AY24P7298 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AQ12M72X8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ12M72X8BLK0M 60.7544
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY48M7288BNH9M ATP Electronics, Inc. AY48M728BNH9M 251.4603
RFQ
 ECAD 1546年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY48M7288 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AL48P72E4BLK0M ATP Electronics, Inc. AL48P72E4BLK0M 265.1355
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL48P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 16 GB
AW12M64B8BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW12M64B8BLMAMW 71.7111
RFQ
 ECAD 1625年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
AW56P64B8BKK0M ATP Electronics, Inc. AW56P64B8BKK0M 68.7700
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-Sodimm AW56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 2GB 1600
A4B08QG8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4B08QG8BNPBSE 80.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-RDIMM A4B08 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2133
A4B08QD8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4B08QD8BNPBSE 74.8766
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
A4K08Q28BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4K08Q28BLPBSE 66.4335
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-MINIUDIMM A4K08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AQ56P72D8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56P72D8BKK0S 43.2434
RFQ
 ECAD 6948 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW56P7258BKF8S ATP Electronics, Inc. AW56P7258BKF8 39.1900
RFQ
 ECAD 9667 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-RDIMM AW56P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 2GB
AW12P7258BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12P7258BLF8M 75.8620
RFQ
 ECAD 9845 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
AY12P7268BLH9M ATP Electronics, Inc. AY12P7268BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 59.7569
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY12P7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12P7218BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLF8M 68.2776
RFQ
 ECAD 6658 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW12P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ12P72X8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ12P72X8BLK0M 60.7544
RFQ
 ECAD 6096 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ24M6418BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ24M6418BLH9S 71.8630
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW24P7228BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLMAMW 128.2640
RFQ
 ECAD 2952 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1866年
AG32L64D6SHC4M ATP Electronics, Inc. AG32L64D6SHC4M 50.0625
RFQ
 ECAD 1366 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 184-udimm AG32L64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 256MB
AQ24M6418BLH9M ATP Electronics, Inc. AQ24M6418BLHHHH9M 110.8080
RFQ
 ECAD 1300 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY24P7238BLH9M ATP Electronics, Inc. AY24P7238BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 106.5330
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY24P7238 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY56M7258BKH9M ATP Electronics, Inc. AY56M7258BKH9M 61.0470
RFQ
 ECAD 5135 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW24P7228BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLHHH9MW 128.2640
RFQ
 ECAD 6226 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1333
A4D04Q38BLRCME ATP Electronics, Inc. A4D04Q38BLRCME 63.9380
RFQ
 ECAD 4292 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2400
AL24M72B8BLMAM ATP Electronics, Inc. AL24M72B8BLMAM 110.5230
RFQ
 ECAD 9158 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 8GB 1866年
AW12M7218BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLK0M 68.2776
RFQ
 ECAD 6038 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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