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内存 -535）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
A4D08Q48BLRCME ATP Electronics, Inc. A4D08Q48BLRCME 113.0512
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AY24M7238BLK0M ATP Electronics, Inc. AY24M7238BLK0M 100.1250
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY24M7238 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4D08Q38BNRCSE ATP Electronics, Inc. A4D08Q38BNRCSE 47.0820
RFQ
 ECAD 6069 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AW24P7228BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLHHH9MW 128.2640
RFQ
 ECAD 6226 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1333
AL12M72L8BKF8M ATP Electronics, Inc. AL12M72L8BKF8M 89.3490
RFQ
 ECAD 3044 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
AY24P7298MNF8M ATP Electronics, Inc. AY24P7298MNF8M 198.1928
RFQ
 ECAD 9159 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204分钟 AY24P7298 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AW12M7218BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLF8MW 75.2320
RFQ
 ECAD 4054 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1066
AQ12M72D8BLH9M ATP Electronics, Inc. aq12m72d8blhhhh9m 67.1184
RFQ
 ECAD 9969 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12P7258BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12P7258BLK0M 75.8620
RFQ
 ECAD 8150 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
AW56M7258BKF8S ATP Electronics, Inc. AW56M7258BKF8 40.3541
RFQ
 ECAD 5403 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-RDIMM AW56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 2GB
A4D08QA8BNWEME ATP Electronics, Inc. A4D08QA8BNWEME 86.0600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 288-udimm A4D08 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-A4D08QA8BNWEME Ear99 8542.32.0036 50 DDR4 SDRAM 8GB 3200
AW56M7258BKF8M ATP Electronics, Inc. AW56M7258BKF8M 47.2307
RFQ
 ECAD 4196 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 2GB
AW24M7228BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLK0M 121.5014
RFQ
 ECAD 1094 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY12P7268BLK0M ATP Electronics, Inc. AY12P7268BLK0M 59.7569
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY12P7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ56M72D8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKK0S 41.9960
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ56M64A8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56M64A8BKK0S 32.5185
RFQ
 ECAD 8409 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4D04QC6BNWEME ATP Electronics, Inc. A4D04QCC6Bnweme 53.2700
RFQ
 ECAD 4164 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 288-udimm A4D04 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-A4D04QC6Bnweme Ear99 8542.32.0036 50 DDR4 SDRAM 4GB 3200
AQ48M72Y8DNH9T ATP Electronics, Inc. AQ48M72Y8DNH9T -
RFQ
 ECAD 4781 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 过时的 - 到达不受影响 1282-AQ48M72Y8DNH9T 过时的 1
AW24P7228BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLK0MW 128.2640
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1600
AQ12M72X8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ12M72X8BLK0M 60.7544
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ48M72Y8DNK0T ATP Electronics, Inc. AQ48M72Y8DNK0T -
RFQ
 ECAD 5562 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 过时的 - 到达不受影响 1282-AQ48M72Y8DNK0T 过时的 1
AW24P64F8BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLK0MW 117.8946
RFQ
 ECAD 5722 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P64 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q11589789 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1600
AW12P7218BLH9S ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLH9S 47.6424
RFQ
 ECAD 1765年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW12P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AT32L7238SQB3M ATP Electronics, Inc. AT32L7238SQB3M 114.2128
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AT32L7238 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 256MB
AQ56P64A8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKK0S 32.5185
RFQ
 ECAD 1763年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ56P64A8BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKH9M 49.2765
RFQ
 ECAD 5478 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW12P6438BLH9S ATP Electronics, Inc. AW12P6438BLH9S 42.8782
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12P6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AY24P7298MNH9M ATP Electronics, Inc. AY24P7298MNH9M 192.4757
RFQ
 ECAD 5286 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204分钟 AY24P7298 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AY12M7258BLH9M ATP Electronics, Inc. AY12M7258BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 59.9125
RFQ
 ECAD 3135 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY12M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ56P72D8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56P72D8BKF8M 63.9812
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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