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内存 -535）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AQ12P6418BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ12P6418BLK0M 63.5176
RFQ
 ECAD 8120 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW24M64F8BLH9M ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 111.9672
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL12P72A8BLF8S ATP Electronics, Inc. AL12P72A8BLF8 45.8850
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12P7218BLK0S ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLK0 47.6424
RFQ
 ECAD 8330 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW12P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ24M64B8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ24M64B8BLK0 61.8450
RFQ
 ECAD 7425 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY24M7298MNK0M ATP Electronics, Inc. AY24M7298MNK0M 198.1928
RFQ
 ECAD 8482 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204分钟 AY24M7298 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
A4D16Q28BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4D16Q28BNPBSE 192.4708
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
AL24P72L8BLH9S ATP Electronics, Inc. AL24P72L8BLH9S 134.7250
RFQ
 ECAD 2015 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
A4F16QG8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4F16QG8BNPBSE 126.4600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 260-Sodimm A4F16 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
AQ24P72E8BLH9M ATP Electronics, Inc. aq24p72e8blhhhh9m 118.1200
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4F08QG8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4F08QG8BLPBME 131.0808
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 260-udimm A4F08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AQ56M72D8BKK0M ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKK0M 63.9812
RFQ
 ECAD 2544 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AL48P72E4BLH9M ATP Electronics, Inc. AL48P72E4BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 265.1355
RFQ
 ECAD 7715 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL48P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 16 GB
AQ56P64A8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKF8M 49.2765
RFQ
 ECAD 4883 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ56M72X8BKF8S ATP Electronics, Inc. AQ56M72X8BKF8S 39.2084
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW12P64B8BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW12P64B8BLMAMW 71.7111
RFQ
 ECAD 8693 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
AQ24M72E8BLH9M ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLHHHHH9M 118.1200
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4F04QD8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4F04QD8BLPBSE 50.6200
RFQ
 ECAD 3733 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 260-Sodimm A4F04 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AQ56P72X8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56P72X8BKK0S 36.8500
RFQ
 ECAD 4245 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AY12P7258BLF8M ATP Electronics, Inc. AY12P7258BLF8M 63.7469
RFQ
 ECAD 7251 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AL48M72E4BLH9M ATP Electronics, Inc. AL48M72E4BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 265.1355
RFQ
 ECAD 3475 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 16 GB
A4G08QA8BNWEME ATP Electronics, Inc. A4G08QA8BNWEME 86.0600
RFQ
 ECAD 8526 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 260-udimm A4G08 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-A4G08QA8BNWEME Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 3200
AQ12P72D8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ12P72D8BLF8S 46.4514
RFQ
 ECAD 3414 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ24M64B8BLH9M ATP Electronics, Inc. AQ24M64B8BLHHHHH9M 89.6250
RFQ
 ECAD 7523 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW56M7258BKH9S ATP Electronics, Inc. AW56M7258BKH9S 40.3541
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-RDIMM AW56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 2GB
A4G08QA8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4G08QA8BNPBSE 65.9300
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 260-Sodimm A4G08 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AW24P7228BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLK0M 138.8200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-Sodimm AW24 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 8GB 1600
A4B08QE8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B08QE8BLPBME 124.1561
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR4 SDRAM 8GB 2133
A4B08QF4BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B08QF4BLPBME 181.4672
RFQ
 ECAD 9774 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4B08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
A4C08QY8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4C08QY8BLPBME 130.1156
RFQ
 ECAD 1947年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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