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内存 -535）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AL56P72A8BKH9S ATP Electronics, Inc. AL56P72A8BKH9S 43.1984
RFQ
 ECAD 8154 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AL56M72A8BKK0S ATP Electronics, Inc. AL56M72A8BKK0 43.1984
RFQ
 ECAD 1367 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW56P7258BKF8M ATP Electronics, Inc. AW56P7258BKF8M 47.2307
RFQ
 ECAD 6992 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW56P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 2GB
AQ48M64B8BNH9M ATP Electronics, Inc. AQ48M64B8BNH9M 230.6441
RFQ
 ECAD 1526年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AY24M7278MNH9M ATP Electronics, Inc. AY24M7278MNH9M 196.6591
RFQ
 ECAD 6611 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY24M7278 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AQ24P72E8BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ24P72E8BLH9S 77.6584
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AY12P7258BLF8M ATP Electronics, Inc. AY12P7258BLF8M 63.7469
RFQ
 ECAD 7251 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW24P7228BLH9S ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLH9S 81.1356
RFQ
 ECAD 8394 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AT64L64K6SHC4M ATP Electronics, Inc. AT64L64K6SHC4M 74.1812
RFQ
 ECAD 9672 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 200-sodimm AT64L64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR SDRAM 512MB
A4D16Q28BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4D16Q28BNPBSE 192.4708
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
AQ12P6418BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ12P6418BLK0M 63.5176
RFQ
 ECAD 8120 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12M7258BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12M7258BLK0M 75.8620
RFQ
 ECAD 6527 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW12M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
AQ48P64B8BNF8M ATP Electronics, Inc. AQ48P64B8BNF8M 230.6441
RFQ
 ECAD 1821年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AW56P7218BKF8S ATP Electronics, Inc. AW56P7218BKF8 44.4344
RFQ
 ECAD 5717 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW56P7218BKH9S ATP Electronics, Inc. AW56P7218BKH9S 44.4344
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4G04QA8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4G04QA8BLPBSE 48.4200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 260-Sodimm A4G04 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AQ56M72D8BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKH9M 63.9812
RFQ
 ECAD 7528 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AY56M7268BKH9M ATP Electronics, Inc. AY56M7268BKH9M 57.0570
RFQ
 ECAD 7410 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY56M7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ24P72Y8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLK0 70.8225
RFQ
 ECAD 9177 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL12P72A8BLF8S ATP Electronics, Inc. AL12P72A8BLF8 45.8850
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12P64B8BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW12P64B8BLH9MW 71.7111
RFQ
 ECAD 1803年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1333
AJ56K64J8BJF7M ATP Electronics, Inc. AJ56K64J8BJF7M 62.0625
RFQ
 ECAD 9567 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AJ56K64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR2 SDRAM 2GB 800
AL12M72A8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL12M72A8BLF8M 64.7444
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AH56K72T8BJE6M ATP Electronics, Inc. AH56K72T8BJE6M 58.1807
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AH56K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR2 SDRAM 2GB 667
AQ12P72X8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ12P72X8BLF8 41.8950
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ48P72E8BNK0M ATP Electronics, Inc. AQ48P72E8BNK0M 258.1215
RFQ
 ECAD 9968 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AW24M64F8BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLK0M 111.9672
RFQ
 ECAD 2937 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4C08QE8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4C08QE8BLPBSE 76.0356
RFQ
 ECAD 2135 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AL56M72A8BKH9S ATP Electronics, Inc. AL56M72A8BKH9S 43.1984
RFQ
 ECAD 8402 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4C04QD8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4C04QD8BLPBME 73.4104
RFQ
 ECAD 3172 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

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