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内存 -535）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AL96M72F4DNF8T ATP Electronics, Inc. AL96M72F4DNF8T -
RFQ
 ECAD 8458 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 过时的 - 到达不受影响 1282-AL96M72F4DNF8T 过时的 1
AQ24M72E8BLMAM ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLMAM 118.1200
RFQ
 ECAD 8841 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1866年
AL24P72L8BLH9M ATP Electronics, Inc. AL24P72L8BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 134.7250
RFQ
 ECAD 7186 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AL24M72L8BLK0S ATP Electronics, Inc. AL24M72L8BLK0 134.7250
RFQ
 ECAD 9047 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AQ56M72X8BKK0M ATP Electronics, Inc. AQ56M72X8BKK0M 58.0545
RFQ
 ECAD 9063 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4B16QB4BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4B16QB4BLPBSE 213.9578
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
A4G08QE8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4G08QE8BLPBME 118.3396
RFQ
 ECAD 7591 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 260-udimm A4G08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
A4G08QA8BNWEME ATP Electronics, Inc. A4G08QA8BNWEME 86.0600
RFQ
 ECAD 8526 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 260-udimm A4G08 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-A4G08QA8BNWEME Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 3200
AY24P7228BLK0S ATP Electronics, Inc. AY24P7228BLK0 71.8200
RFQ
 ECAD 3085 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY24P7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4D04QA8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4D04QA8BLPBSE 44.7838
RFQ
 ECAD 7811 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2400
AH56K72T8BJE6M ATP Electronics, Inc. AH56K72T8BJE6M 58.1807
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AH56K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR2 SDRAM 2GB 667
AQ12M72D8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ12M72D8BLK0S 45.1114
RFQ
 ECAD 9194 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A4C04QD8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4C04QD8BLPBSE 48.0076
RFQ
 ECAD 2660 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2400
AY56P7258BKF8M ATP Electronics, Inc. AY56P7258BKF8M 61.0470
RFQ
 ECAD 2490 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY56P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AY56M7258BKF8M ATP Electronics, Inc. AY56M7258BKF8M 61.0470
RFQ
 ECAD 5302 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ24P72Y8BLH9M ATP Electronics, Inc. aq24p72y8blhhhh9m 108.5280
RFQ
 ECAD 6757 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ24P72Y8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLK0M 108.5280
RFQ
 ECAD 6186 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ24M72E8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLF8M 118.1200
RFQ
 ECAD 4316 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW56M7258BKH9S ATP Electronics, Inc. AW56M7258BKH9S 40.3541
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-RDIMM AW56M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 2GB
AL24P72L8BLH9S ATP Electronics, Inc. AL24P72L8BLH9S 134.7250
RFQ
 ECAD 2015 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AW24M64F8BLH9S ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLH9S 73.0220
RFQ
 ECAD 2814 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4B16QC4BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4B16QCCCCCC4BNPBSE 125.7844
RFQ
 ECAD 5853 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
AL12M72A8BLK0M ATP Electronics, Inc. AL12M72A8BLK0M 64.7444
RFQ
 ECAD 2447 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ12P72D8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ12P72D8BLK0S 46.4514
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A4C04QD8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4C04QD8BLPBME 73.4104
RFQ
 ECAD 3172 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AY24M7298MNK0M ATP Electronics, Inc. AY24M7298MNK0M 198.1928
RFQ
 ECAD 8482 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204分钟 AY24M7298 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AQ12P6418BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ12P6418BLF8M 63.5176
RFQ
 ECAD 4457 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A4C04QX8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4C04QX8BLPBSE 63.3460
RFQ
 ECAD 9228 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AW12P64B8BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW12P64B8BLMAMW 71.7111
RFQ
 ECAD 8693 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
AW12M6438BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12M6438BLF8M 61.1994
RFQ
 ECAD 2390 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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