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内存 -535）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AW12M6438BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12M6438BLF8M 61.1994
RFQ
 ECAD 2390 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A408Q18BNPBSE ATP Electronics, Inc. A408Q18BNPBSE 116.9832
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-MINIUDIMM A408Q18 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 25 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AW12P64B8BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12P64B8BLF8MW 71.7111
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1066
AY48M7288BNK0M ATP Electronics, Inc. AY48M7288BNK0M 244.2067
RFQ
 ECAD 1496年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY48M7288 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
AL24M72B8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24M72B8BLF8M 110.5230
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW12P7218BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLK0M 75.8600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-Sodimm AW12 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 4GB 1600
AY12M7258BLK0M ATP Electronics, Inc. AY12M7258BLK0M 63.7469
RFQ
 ECAD 7582 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY12M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW24M7248BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24M7248BLK0M 120.7880
RFQ
 ECAD 2625 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW24M7248 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AW12P7258BLH9M ATP Electronics, Inc. AW12P7258BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 75.8620
RFQ
 ECAD 9814 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW12P7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 4GB
AW24P64F8BLH9S ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLH9S 73.0220
RFQ
 ECAD 1130 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW24M64F8BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLF8MW 117.8946
RFQ
 ECAD 1764年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1066
AW56P7218BKF8S ATP Electronics, Inc. AW56P7218BKF8 44.4344
RFQ
 ECAD 5717 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW56P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AQ24P72Y8BLH9M ATP Electronics, Inc. aq24p72y8blhhhh9m 108.5280
RFQ
 ECAD 6757 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4D08Q48BLRCSE ATP Electronics, Inc. A4D08Q48BLCSE 106.3664
RFQ
 ECAD 1791年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AQ48M72Y8DNF8T ATP Electronics, Inc. AQ48M72Y8DNF8T -
RFQ
 ECAD 7630 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 过时的 - 到达不受影响 1282-AQ48M72Y8DNF8T 过时的 1
AQ24P72Y8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLF8S 70.8225
RFQ
 ECAD 2008 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW12P64B8BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW12P64B8BLK0MW 71.7111
RFQ
 ECAD 3874 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1600
AQ12P6418BLH9M ATP Electronics, Inc. aq12p6418blhhhh9m 63.5176
RFQ
 ECAD 4170 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12M64B8BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW12M64B8BLH9MW 69.6426
RFQ
 ECAD 1014 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1333
AQ48P72E8BNF8M ATP Electronics, Inc. AQ48P72E8BNF8M 258.1215
RFQ
 ECAD 2655 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AQ12P6418BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ12P6418BKH9M 105.2444
RFQ
 ECAD 4174 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A4C08QE8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4C08QE8BLPBME 129.1504
RFQ
 ECAD 6134 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
A4C04QX8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4C04QX8BLPBSE 63.3460
RFQ
 ECAD 9228 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AQ24P72E8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ24P72E8BLK0 75.4182
RFQ
 ECAD 2476 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL48M72E4BLK0M ATP Electronics, Inc. AL48M72E4BLK0M 249.1875
RFQ
 ECAD 9966 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AL48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 16 GB
AQ56M64A8BKF8S ATP Electronics, Inc. AQ56M64A8BKF8S 32.5185
RFQ
 ECAD 2373 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AL24P7218BLH9M ATP Electronics, Inc. AL24P7218BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 139.3700
RFQ
 ECAD 7275 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AH56K72T8BJE6M ATP Electronics, Inc. AH56K72T8BJE6M 58.1807
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AH56K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR2 SDRAM 2GB 667
A4D04Q18BLPBME ATP Electronics, Inc. A4D04Q18BLPBME 63.9380
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AL12M72A8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL12M72A8BLF8M 64.7444
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL12M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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