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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP292(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292（gr-tpl，e 0.5600
RFQ
 ECAD 2009 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP388(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388（tpl，e 0.7900
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP182(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp182（bl，e 0.5700
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP182 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP182（ble Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP3031(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3031（s，c，f） -
RFQ
 ECAD 8120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 TLP3031 Semko，Ur 1 TRIAC 6（6 浸（切），5 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP3031（SCF） Ear99 8541.49.8000 50 - 5000vrm 250 v 100 ma - 是的 - 15mA -
TLP352(TP5,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352（tp5，S） -
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP352 - （1 （无限） 264-tp352（TP5S）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP120(GR-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120（gr-tp，f） -
RFQ
 ECAD 9211 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP120 AC，DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP120（GR-TPF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP9104(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104（hne-tl，f） -
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 ECAD 8396 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104（HNE-TLF） Ear99 8541.49.8000 1
TLP2362(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362（E） 1.0500
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 ECAD 1673年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2362 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 25 ma 10MBD 30ns，30ns 1.55V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 100NS，100NS
TLP781F(D4BL-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4bl-tp7，f -
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 ECAD 2536 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4bl-tp7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(GRL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（grl-lf7，f） -
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 ECAD 3243 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（GRL-LF7F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP187(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp187（tpr，e 1.0200
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP187 DC 1 达灵顿 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.25V 50 mA 3750vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP5702H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H（d4Tp4，e 1.8300
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 ECAD 8950 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5702 DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - 37ns，50ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS，200NS
TLP127(TOKUD-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp127（tokud-tpl，f -
RFQ
 ECAD 2831 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（tokud-tplftr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP191B(MBSTPL,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B （MBSTPL，C，f -
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 ECAD 3298 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 DC 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 264-TLP191B （MBSTPLCF Ear99 8541.49.8000 1 24µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，3ms -
TLP750(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750（d4-tp1，f） -
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 ECAD 8800 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - （1 （无限） 264-TLP750（D4-TP1F） Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP5832(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832（tp，e 2.8100
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 ECAD 6975 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 8-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 8-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - 15ns，8ns 1.4V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS，200NS
TLP182(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182（gr-tpl，e 0.5200
RFQ
 ECAD 4529 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP182 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP5701(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701（lf4，e 1.3800
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 ECAD 9963 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5701 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-so - （1 （无限） 264-TLP5701（lf4e Ear99 8541.49.8000 125 400mA，400mA 600mA 50n，50n 1.57V 25 ma 5000vrm 20kV/µs 500NS，500NS 350n 10v〜30v
TLP9121A(YSKGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp9121a（yskgbtl，f -
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 ECAD 5286 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A YSKGBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552（垫，F） -
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 ECAD 3433 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - （1 （无限） 264-TLP552（MATF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP628M(GB-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M （GB-LF1，E。 0.9200
RFQ
 ECAD 5464 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4-SMD （0.300英寸，7.62mm） TLP628 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 5.5µs，10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 10µs，10µs 400mv
TLP785(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（d4，f -
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（d4f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(Y-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F Y-TP7，F） -
RFQ
 ECAD 1764年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（Y-TP7F）TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP759(J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759（j，f） -
RFQ
 ECAD 5085 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP759 DC 1 晶体管 8点 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP759（JF） Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - 200NS，300NS -
TLP785F(D4Y-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f（d4y-t7，f -
RFQ
 ECAD 5839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（d4y-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP5214(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5214（tp，e 8.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） TLP5214 光学耦合 CQC，CSA，Cul，UL 1 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 3a，3a 4a 32NS，18NS 1.7v （最大） 25 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 15V〜30V
TLP2161(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2161（f） -
RFQ
 ECAD 8290 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2161 DC 2 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2161F Ear99 8541.49.8000 100 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 2500vrms 2/0 20kV/µs 80n，80n
TLP385(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4，e 0.5400
RFQ
 ECAD 4303 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385（d4e Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP525GF Toshiba Semiconductor and Storage TLP525GF 1.1600
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP525 ur 1 TRIAC 4点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP525G（f） Ear99 8541.49.8000 100 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 100 ma 200µA（200µa） 不 200V/µs 10mA -
TLP385(D4Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385 d4y-tpl，e 0.5600
RFQ
 ECAD 1433 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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