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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压-输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP9114B(PED-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B（ped-TL，F） -
RFQ
 ECAD 8768 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9114B（PED-TLF） Ear99 8541.49.8000 1
TLP137(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137（bv-tpr，f） -
RFQ
 ECAD 5868 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP137 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP，5领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP137（BV-TPRF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 200％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP358(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358（d4，f） -
RFQ
 ECAD 1584年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP358 光学耦合 CSA，CUL，UL，VDE 1 8点 下载 264-tp358（D4F） Ear99 8541.49.8000 1 5a，5a 6a 17ns，17ns 1.57V 20 ma 3750vrms 20kV/µs 500NS，500NS 250NS 15V〜30V
TLP627M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M（e 0.9000
RFQ
 ECAD 8368 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP627 DC 1 达灵顿 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP627M（e Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs，30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm - 1000％ @ 1ma 110µs，30µs 1.2V
TLP182(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182（e 0.5700
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP182 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP293-4(4LGBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 （4LGBTPE 1.6300
RFQ
 ECAD 4797 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP351(D4-TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp351（d4-tp5，z，f），f） -
RFQ
 ECAD 7659 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP351 - （1 （无限） 264-tp351（d4-tp5zf）tr Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP5752(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752（tp4，e 2.5800
RFQ
 ECAD 3996 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5752 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 2.5a，2.5a 2.5a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 15V〜30V
TLP3073(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073（lf1，f 2.0100
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 ECAD 2749 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SMD（5条线），鸥翼 TLP3073 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 800 v 100 ma 1ma （典型） 不 2KV/µS典型（典型） 5mA -
TLP2631(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631 （MBS，F） -
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP2631 - （1 （无限） 264-TLP2631（MBSF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP385(D4BLLTL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4blltl，e 0.5500
RFQ
 ECAD 7135 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP120(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120（gr-tpl，f） -
RFQ
 ECAD 1372 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP120 AC，DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP120（GR-TPLF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP124(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124（tpl，f） -
RFQ
 ECAD 1975年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP124 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP124（TPLF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP2530(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530（lf1，f） -
RFQ
 ECAD 2723 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP2530 DC 2 晶体管带有基部 8-SMD 下载 264-TLP2530（LF1F） Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 7％ @ 16mA 30％ @ 16mA 300NS，500NS -
TLP2767(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2767（e 2.5400
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 ECAD 5138 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2767 AC，DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 50MBD 2NS，1NS 2.1V（（） 15mA 5000vrm 1/0 25kV/µs 20N，20N
TLP292(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292（gr-tpl，e 0.5600
RFQ
 ECAD 2009 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP701F(D4SONYTP,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp701f（d4sonytp，f -
RFQ
 ECAD 3894 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP701 光学耦合 - 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP701F（d4sonytpf Ear99 8541.49.8000 1 - 600mA - - 5000vrm 10kV/µs 700NS，700NS - 10v〜30v
TLP9104A(ND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A（nd-tl，f） -
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 ECAD 9141 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A（ND-TLF） Ear99 8541.49.8000 1
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732（d4grh-lf2，f -
RFQ
 ECAD 1476 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - （1 （无限） 264-TLP732（D4GRH-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP551(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 Y Y-LF1，F） -
RFQ
 ECAD 4205 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP551 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD - Rohs符合条件 不适用 TLP551（Y-LF1F） Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 10％ @ 16mA - 300ns，1µs -
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（la-tp，e 1.7900
RFQ
 ECAD 1266 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP137(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137（bv-tpl，f） -
RFQ
 ECAD 1862年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP137 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP，5领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP137（BV-TPLF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 200％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP265J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J（v4-tpr，e 0.8500
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP265 CQC，Cur，Ur，Vde 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 10mA 20µs
TLP9118(MBHA-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 （MBHA-TL，F） -
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9118（MBHA-TLF） Ear99 8541.49.8000 1
TLP2766(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766（f） -
RFQ
 ECAD 5844 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP2766 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2766（f） Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 20MBD 15ns，15ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 55NS，55NS
TLP3910(D4C20TPE Toshiba Semiconductor and Storage tlp3910（d4c20tpe 3.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP3910 DC 2 光伏 6-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - - 24V 3.3V 30 ma 5000vrm - - 300µs，100µs -
TLP624-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2（F） -
RFQ
 ECAD 3253 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP624 DC 2 晶体管 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP781F(D4DLTGRL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4dltgrl，f -
RFQ
 ECAD 4669 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4dltgrlf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP127(TOKUD-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp127（tokud-tpl，f -
RFQ
 ECAD 2831 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（tokud-tplftr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP182(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 Y Y，E。 0.5500
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 ECAD 1756年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP182 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp182（ Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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