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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高,低,低 电流 -输出 /通道 数据速率 频道类型 电流 -峰值输出 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 孤立的力量 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() 电压 -输出电源 ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP351(TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp351(tp5,z,f) -
RFQ
ECAD 2626 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP351 - (1 (无限) 264-tp351(TP5ZF)TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP732(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(d4,f) -
RFQ
ECAD 1014 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - (1 (无限) 264-TLP732(D4F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781F(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(grh,f) -
RFQ
ECAD 8682 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(GRHF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP5222(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp5222(tp,e 7.0100
RFQ
ECAD 1301 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) TLP5222 光学耦合 CQC,CSA,Cul,Ul,Vde 1 16件事 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 2a,2a 2.5a 58ns,57ns 1.67V 25 ma 5000vrm 25kV/µs 250NS,250NS 50ns 15V〜30V
TLP372(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp372(ho,f) -
RFQ
ECAD 7776 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP372 - (1 (无限) 264-tp372(HOF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(gr,f) -
RFQ
ECAD 7253 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - (1 (无限) 264-TLP731(GRF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP371(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp371(lf2,f) -
RFQ
ECAD 1632年 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP371 - (1 (无限) 264-tp371(LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP627M(D4-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(d4-lf1,e 0.9300
RFQ
ECAD 4484 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD (0.300英寸,7.62mm) TLP627 DC 1 达灵顿 4-SMD 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs,30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 110µs,30µs 1.2V
TLP155(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp155(tpl,e -
RFQ
ECAD 2654 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP155 光学耦合 - 1 6-SO,5领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP155(tple Ear99 8541.49.8000 3,000 - 600mA 35ns,15ns 1.57V 20 ma 3750vrms 20kV/µs 200NS,200NS 50ns 10v〜30v
TLP5701(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701(lf4,e 1.3800
RFQ
ECAD 9963 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5701 光学耦合 CQC,CSA,Cul,Ul,Vde 1 6-so - (1 (无限) 264-TLP5701(lf4e Ear99 8541.49.8000 125 400mA,400mA 600mA 50n,50n 1.57V 25 ma 5000vrm 20kV/µs 500NS,500NS 350n 10v〜30v
TLP5771(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771(tp,e 2.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5771 光学耦合 CQC,Cur,Ur,Vde 1 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 1a,1a 1a 15ns,8ns 1.65V 8 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS,150NS 50ns 10v〜30v
TLP523-2(YASK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-2(YASK,F) -
RFQ
ECAD 9931 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP523 - (1 (无限) 264-TLP523-2(YASKF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP190B(C20TL,UC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B(c20TL,UC,f -
RFQ
ECAD 1639年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 DC 1 光伏 6-MFSOP,4领先 下载 264-TLP190B (C20TLUCF Ear99 8541.49.8000 1 - - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs,1ms -
TLP360J(D4-CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360J(D4-Cano) -
RFQ
ECAD 8335 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP360 CQC,Cul,Ul,Vde 1 TRIAC 4点 - 264-tp360J(D4-Cano) Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 1ma 500V/µs (典型) 10mA 30µs
DCL541B01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage dcl541b01(t,e 6.3000
RFQ
ECAD 7575 0.00000000 东芝半导体和存储 DCL541X01 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 通用目的 DCL541 磁耦合 4 2.25V〜5.5V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 1,500 150Mbps 单向 0.9NS,0.9NS 5000vrm 是的 3/1 100kV/µs 18.3ns,18.3ns 2.8NS
TLP160G(T5-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp160g(t5-tpr,u,f -
RFQ
ECAD 5053 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP160 - (1 (无限) 264-TLP160G(t5-tpruftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP785F(D4TELS,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(d4tels,f -
RFQ
ECAD 6633 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(d4telsf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781(YH-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 YH-LF6,F) -
RFQ
ECAD 5929 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(YH-LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2630(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630(lf1,f) -
RFQ
ECAD 7720 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP2630 - (1 (无限) 264-TLP2630(LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP291(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB,E) -
RFQ
ECAD 3061 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP523(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523(f) -
RFQ
ECAD 6046 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP523 - (1 (无限) 264-TLP523(f) Ear99 8541.49.8000 50
TLP191B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp191b(tpl,u,c,f) -
RFQ
ECAD 9293 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP191 DC 1 光伏 6-MFSOP,4领先 下载 264-TLP191B(TPLUCF) Ear99 8541.49.8000 1 - - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs,3ms -
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f(bll-t7,f -
RFQ
ECAD 7721 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(bll-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP160J(V4T7TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4T7TRUC,f -
RFQ
ECAD 5602 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP160J - (1 (无限) 264-TLP160J(v4t7trucftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP523-4(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-4 (MB,F) -
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP523 - (1 (无限) 264-TLP523-4(MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4GRT6-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(d4grt6-SD,f -
RFQ
ECAD 6920 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781(d4grt6-sdftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781F(GRL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(grl-lf7,f) -
RFQ
ECAD 3243 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(GRL-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP5752(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752(d4-lf4,e 2.5900
RFQ
ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5752 光学耦合 CQC,CSA,Cul,Ul,Vde 1 6-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 2.5a,2.5a 2.5a 15ns,8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS,150NS 50ns 15V〜30V
TLP350(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350(f) -
RFQ
ECAD 1716年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP350 光学耦合 ur 1 8点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) tlp350f Ear99 8541.49.8000 50 2a,2a 2.5a 15ns,8ns 1.6V 20 ma 3750vrms 15kV/µs 500NS,500NS - 15V〜30V
TLP781F(D4-Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(d4-y,f) -
RFQ
ECAD 4224 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(D4-YF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库