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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高,低,低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t (典型) 电压-输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() 电压 -输出电源 ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP628M(GB-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-TP1,E。 0.9100
RFQ
ECAD 4514 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4-SMD (0.300英寸,7.62mm) TLP628 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 5.5µs,10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 10µs,10µs 400mv
TLP781F(D4-Y-FD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(d4-y-fd,f) -
RFQ
ECAD 5912 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(D4-Y-FDF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781F(D4-GR-TC,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f(d4-gr-tc,f -
RFQ
ECAD 5980 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(d4-gr-tcf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP127(MAT-M-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MAT-M-TPL,f -
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(MAT-M-TPLFTR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP531(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 YG,F) -
RFQ
ECAD 6694 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - (1 (无限) 264-TLP531(YGF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP628M(LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(lf1,e 0.9100
RFQ
ECAD 2527 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4-SMD (0.300英寸,7.62mm) TLP628 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 5.5µs,10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 10µs,10µs 400mv
TLP781(BLL-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(bll-tp6,f) -
RFQ
ECAD 7168 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(BLL-TP6F)TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP626-4(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp626-4(荷马克,f) -
RFQ
ECAD 8644 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 16 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP626 AC,DC 4 晶体管 16二滴 下载 264-TLP626-4(hitomkf) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs,8µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP293-4(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(v4,e 1.6000
RFQ
ECAD 5859 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP531(GR-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(gr-lf1,f) -
RFQ
ECAD 7867 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - (1 (无限) 264-TLP531(GR-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP627MF(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF(e 0.9000
RFQ
ECAD 89 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP627 DC 1 达灵顿 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP627MF(e Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs,30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 110µs,30µs 1.2V
TLP2770(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(tp,e 2.2400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2770 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 10 MA 20MBD 1.3NS,1NS 1.5V 8mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 60n,60n
TLP2958F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958F(tp4,f) -
RFQ
ECAD 9421 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 DC 1 推扣,图腾柱 3v〜20V 8-SMD 下载 264-TLP2958F(TP4F) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 15ns,10ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 250NS,250NS
TLP2531(TOSYK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(tosyk,f) -
RFQ
ECAD 2768 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 2 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP2531(TOSYKF) Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 19% @ 16mA - - -
TLP759(J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(j,f) -
RFQ
ECAD 5085 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP759 DC 1 晶体管 8点 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP759(JF) Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - 200NS,300NS -
TLP627MF(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF(d4,e 0.9000
RFQ
ECAD 96 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP627 DC 1 达灵顿 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP627MF(d4e Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs,30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 110µs,30µs 1.2V
TLP292(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp292(tpl,e 0.5700
RFQ
ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP292 AC,DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP2770(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(d4,e 2.2400
RFQ
ECAD 9458 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2770 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 20MBD 1.3NS,1NS 1.5V 8mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 60n,60n
TLP701H(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701H(f) 0.7241
RFQ
ECAD 8442 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 上次购买 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP701 光学耦合 Cul,Ul 1 6-SDIP鸥翼 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP701HF Ear99 8541.49.8000 100 400mA,400mA 600mA 50n,50n 1.57V 25 ma 5000vrm 20kV/µs 700NS,700NS 500NS 10v〜30v
TLP5214(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5214(tp,e 8.1000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) TLP5214 光学耦合 CQC,CSA,Cul,UL 1 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 3a,3a 4a 32NS,18NS 1.7v (最大) 25 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS,150NS 50ns 15V〜30V
TLP5774(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774(d4-tp,e 1.0055
RFQ
ECAD 4540 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5774 光学耦合 CQC,Cur,Ur,Vde 1 6-so 下载 Rohs符合条件 TLP5774(d4-tpe Ear99 8541.49.8000 1,500 1.2a,1.2a 4a 15ns,8ns 1.65V 8 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS,150NS 50ns 10v〜30v
TLP250LF1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250LF1F -
RFQ
ECAD 8722 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -20°C〜85°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP250 光学耦合 ur 1 8-SMD - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 500mA,500mA 1.5a - 1.6V 20 ma 2500vrms 5kV/µs 500NS,500NS - 15V〜30V
TLP2958(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958(f) -
RFQ
ECAD 3778 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 推扣,图腾柱 3v〜20V 8点 下载 264-TLP2958(f) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 15ns,10ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 250NS,250NS
TLP183(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp183(tpl,e 0.5100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP5705H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(tp4,e 1.9900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 - 37ns,50ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS,200NS
TLP185(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB,E) -
RFQ
ECAD 5085 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 5µs,9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs,9µs 300mv
TLP121(BL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(bl-tpl,f) -
RFQ
ECAD 1068 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP121(BL-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP9148J(PSD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J(psd-tl,f) -
RFQ
ECAD 2942 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9148J(PSD-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP3073(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073(f 1.9900
RFQ
ECAD 1031 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm),5条线 TLP3073 CQC,Cur,Ur 1 TRIAC 六点 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 800 v 100 ma 1ma (典型) 2KV/µS典型(典型) 5mA -
TLP785F(D4BLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(d4blt7,f -
RFQ
ECAD 5763 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(d4blt7ftr Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库