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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP627-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2（lf1，f） -
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP627 - （1 （无限） 264-TLP627-2（LF1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP385(D4-BL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4-bl，e 0.5500
RFQ
 ECAD 8372 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385（d4-ble Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP185(Y,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 Y Y，SE -
RFQ
 ECAD 5524 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管带有基部 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP185（YSE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP184(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 （GB，E） -
RFQ
 ECAD 9774 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP184 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 50mA 5µs，9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs，9µs 300mv
TLP2761(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761（d4，e 1.1800
RFQ
 ECAD 3928 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2761 AC，DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2761（d4e Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP781F(D4-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（d4-tp7，f） -
RFQ
 ECAD 1848年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（D4-TP7F）TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2704(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704（d4-tp，e 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2704 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 15 ma - - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 400NS，550NS
TLP385(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（tpl，e 0.5500
RFQ
 ECAD 5885 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP781(D4-GR-SD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（d4-gr-SD，f） -
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（D4-GR-SDF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP385(GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（grh，e 0.5500
RFQ
 ECAD 2485 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385（grhe Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP292-4(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（tpr，e 1.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP620(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620（f） -
RFQ
 ECAD 7538 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP620 AC，DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2451A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2451A（tp，f） -
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2451 光学耦合 CSA，CUL，UL 1 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 400mA，400mA 600mA 50n，50n 1.55V 25 ma 3750vrms 20kV/µs 500NS，500NS 350n 10v〜30v
TLP716(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716（f） -
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP716 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 - Rohs符合条件 （1 （无限） 5A991G 8541.49.8000 100 10 MA 15MBD 15ns，15ns 1.65V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 75NS，75NS
TLP131(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 （GB-TPR，F） -
RFQ
 ECAD 8616 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP131 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP160J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J（tpr，u，c，f） -
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP160J ur 1 TRIAC 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.15V 50 mA 2500vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs 10mA 30µs
TLP188(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188（tpl，e 0.8300
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP188 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP127(V4-TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127（v4-tpr，u，f） -
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（V4-TPRUF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP701(TOJS-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701（TOJS-TP，F） -
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 ECAD 7911 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP701 光学耦合 CSA，CUL，UL，VDE 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP701（（TOJS-TPF） Ear99 8541.49.8000 1 600mA，600mA 600mA 50n，50n 1.55V 20 ma 5000vrm 10kV/µs 700NS，700NS - 10v〜30v
TLP5212(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5212（d4，e 5.4900
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 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） TLP5212 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 16件事 下载 Ear99 8541.49.8000 50 2a，2a 2.5a 57ns，56ns 1.67V 25 ma 5000vrm 25kV/µs 250NS，250NS 50ns 15V〜30V
TLP131(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131（f） -
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP131 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP131F Ear99 8541.49.8000 150 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785(D4GH-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785（d4gh-t6，f 0.7600
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP628M(GB-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M （GB-TP5，E。 0.9200
RFQ
 ECAD 8716 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP628 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 5.5µs，10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 10µs，10µs 400mv
TLP754(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754（f） -
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP754 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP754F Ear99 8541.49.8000 50 15 ma 1Mbps - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 550NS，400NS
TLP2168(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2168（f） -
RFQ
 ECAD 7498 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2168 DC 2 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 25 ma 20MBD 30ns，30ns 1.57V 25mA 2500vrms 2/0 15kV/µs 60n，60n
TLP191B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp191b（u，c，f） -
RFQ
 ECAD 5785 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C 〜80°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP191 DC 1 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 150 24µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，3ms -
6N138F Toshiba Semiconductor and Storage 6n138f -
RFQ
 ECAD 4239 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 0°C〜70°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） 6n138 DC 1 达灵顿与基地 8点 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 60mA - 18V 1.65V 20 ma 2500vrms 300 @ @ 1.6mA - 1µs，4µs -
TLP127(MAT-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127（MAT-TPL，F） -
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（MAT-TPLF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP265J(T7-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J（t7-tpl，e 0.8200
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 ECAD 37 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP265 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 7ma 100µs（100µs）
TLP121(GRH-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121（grh-tp，f） -
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 ECAD 5792 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP121（GRH-TPF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
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196-LFBGA裸露的垫子

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