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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP559(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP559（f） -
RFQ
 ECAD 8414 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP559 DC 1 晶体管 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 20％ @ 16mA - 200NS，300NS -
TLP531(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531（gr，f） -
RFQ
 ECAD 4494 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - （1 （无限） 264-TLP531（GRF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP160G(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp160g（tpr，u，f） -
RFQ
 ECAD 7480 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP160G ur 1 TRIAC 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 70 MA 600µA（） 不 200V/µs 10mA 30µs
TLP121(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121（grh，f） -
RFQ
 ECAD 9586 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP121（GRHF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2200(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200（tp1，f） -
RFQ
 ECAD 5811 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP2200 DC 1 三州 4.5V〜20V 8-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 25 ma 2.5MBD 35NS，20NS 1.55V 10mA 2500vrms 1/0 1kV/µs 400NS，400NS
TLP732(D4-NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732（d4 nepic，f） -
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 ECAD 5116 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - （1 （无限） 264-TLP732（D4-NemicF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP5772H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H （D4LF4，E 2.6700
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 ECAD 5296 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5772 DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 - 56ns，25ns 1.55V 8mA 5000vrm 1/0 35kV/µs 150NS，150NS
TLP292-4(V4LATPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（v4latpe 1.7900
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 ECAD 8491 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP785(GR-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（gr-lf6，f 0.6400
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 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP785（gr-lf6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP626(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626（bv，f） -
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 ECAD 2360 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP626 AC，DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs，8µs 400mv
TLP552(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552（ho，f） -
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 ECAD 8201 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - （1 （无限） 264-TLP552（HOF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP185(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp185（bl-tpl，se 0.6000
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 ECAD 5987 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP385(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385 y y，e 0.5500
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 ECAD 2132 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385（ Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2631TP1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631TP1F -
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 ECAD 5085 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP2631 DC 2 开放的收藏首页，肖特基夹 4.5V〜5.5V 8-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 16 ma 10MBD 30ns，30ns 1.65V 20mA 2500vrms 2/0 1kV/µs 75NS，75NS
TLP5774H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H（lf4，e 2.6800
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 ECAD 3977 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5774 电容耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 4a，4a 4a 56ns，25ns 1.65V 8 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 10v〜30v
TLP5774H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H（tp4，e 2.6800
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5774 电容耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 4a，4a 4a 56ns，25ns 1.65V 8 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 10v〜30v
TLP570(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570（lf1，f） -
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 ECAD 2392 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP570 - （1 （无限） 264-TLP570（LF1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP2409(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2409（f） -
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 ECAD 1952年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2409 DC 1 晶体管 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2409F Ear99 8541.49.8000 100 16MA - 20V 1.57V 25 ma 3750vrms 20％ @ 16mA - 800NS，800NS （最大） -
4N32(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n32 （简短，f） -
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 ECAD 4608 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） 4N32 DC 1 达灵顿与基地 6浸 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 80 ma 2500vrms 500 @ @ 10mA - 5µs，100µs （最大） 1V
TLP781F(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（d4-fun，f） -
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 ECAD 1717年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（D4-FUNF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2358(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2358（TPR，E） 1.0200
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2358 DC 1 推扣，图腾柱 3v〜20V 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma - 15ns，12ns 1.55V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 250NS，250NS
TLP759(IGM-LF5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759（IgM-LF5，J，f -
RFQ
 ECAD 9136 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD 下载 264-TLP759（IgM-LF5JF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 25 @ @ 10mA 75 @ @ 10mA - -
TLP3063SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3063SCF -
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 ECAD 9668 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 TLP3063 BSI，Semko，Ur 1 TRIAC 6（6 浸（切），5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 600µA（） 是的 200V/µs 5mA -
TLP2361(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2361（tpl，e 1.0300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2361 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP118(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp118（tpl，e 1.8300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP118 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 20mbps 30ns，30ns 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 60n，60n
TLP267J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J（tpr，e 1.0100
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 ECAD 786 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP267 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 200µA（200µa） 不 500V/µs （典型） 3MA 100µs
TLP570(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570（tp1，f） -
RFQ
 ECAD 9827 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP570 - （1 （无限） 264-TLP570（TP1F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP168J(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP168J（u，c，f） -
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP168 ur 1 TRIAC 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 150 1.4V 20 ma 2500vrms 600 v 70 MA 600µA（） 是的 200V/µs 3MA -
TLP5754H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754H（tp4，e 2.0600
RFQ
 ECAD 1648年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5754 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 4a，4a 4a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 15V〜30V
TLP265J(V4T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J（v4t7，e 0.8400
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 ECAD 1508 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP265 CQC，Cur，Ur，Vde 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP265J（V4T7E Ear99 8541.49.8000 125 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 7ma 20µs
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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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