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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP109(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp109（v4，e 1.3100
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP109 DC 1 晶体管 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 8mA - 20V 1.64V 20 ma 3750vrms 20％ @ 16mA - 800NS，800NS （最大） -
TLP5702(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702（lf4，e 1.5200
RFQ
 ECAD 5079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5702 DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 （1 （无限） 264-TLP5702（lf4e Ear99 8541.49.8000 125 - 15ns，8ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS，200NS
TLP626(FUJI,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp626 fuji，f） -
RFQ
 ECAD 6112 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） AC，DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626 （富士） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP5832(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832（e 2.8300
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 8-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 8-so 下载 （1 （无限） 264-TLP5832（e Ear99 8541.49.8000 75 - 15ns，8ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS，200NS
TLP388(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388（gb-tpr，e 0.8000
RFQ
 ECAD 8526 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2601(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2601（lf1，f） -
RFQ
 ECAD 3893 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP2601 DC 1 开放的收藏首页，肖特基夹 4.5V〜5.5V 8-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP2601（LF1F） Ear99 8541.49.8000 50 10MBD 30ns，30ns 1.65V 20mA 2500vrms 1/0 1kV/µs 75NS，75NS
TLP265J(T7-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J（t7-tpl，e 0.8200
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP265 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 7ma 100µs（100µs）
TLP5774H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H（tp4，e 2.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5774 电容耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 4a，4a 4a 56ns，25ns 1.65V 8 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 10v〜30v
TLP620-2(D4GB-T4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2（d4GB-T4，f -
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） AC，DC 2 晶体管 8点 下载 264-TLP620-2 （D4GB-T4F Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP734(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734（D4-C174，F） -
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP734 DC 1 晶体管 6浸 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP734（D4-C174F） Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 4000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP5752H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H（e -
RFQ
 ECAD 1855年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 2 6-so 下载 264-TLP5752H e 1 2.5a，2.5a 2.5a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 15V〜30V
TLP291-4(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 （GB，E） 1.4600
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.2V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP385(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（tpl，e 0.5500
RFQ
 ECAD 5885 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP754(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754（d4-lf1，f） -
RFQ
 ECAD 1347 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 DC 1 开放的收藏首页，肖特基夹 4.5V〜30V 8-SMD 下载 264-TLP754（D4-LF1F） Ear99 8541.49.8000 1 15 ma 1Mbps - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 550NS，400NS
TLP759F(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F（d4，J，f） -
RFQ
 ECAD 3790 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759F（D4JF） Ear99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP785(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（bl，f） 0.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP628MF(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MF（e 0.9100
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP628 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP628MF（e Ear99 8541.49.8000 100 50mA 5.5µs，10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 10µs，10µs 400mv
TLP268J(T2-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J t2-tpl，e 1.1100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP268 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 200µA（200µa） 是的 500V/µs （典型） 3MA 100µs
TLP385(D4YH-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4yh-tr，e 0.5500
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP781F(D4DLTGRH,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4dltgrh，f -
RFQ
 ECAD 1288 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4dltgrhf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP550-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550-TP4，F） -
RFQ
 ECAD 2240 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP550 - （1 （无限） 264-TLP550-TP4F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP626(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626（tp1，f） -
RFQ
 ECAD 1950年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP626 AC，DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP124(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124（bv-tpl，f） -
RFQ
 ECAD 2336 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP124 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP124（BV-TPLF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 200％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP733(D4-GRL,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733（d4-grl，M，f） -
RFQ
 ECAD 6919 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - （1 （无限） 264-TLP733（D4-GRLMF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP209D(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP209D（tp，f） 2.9000
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TLP209 - Rohs符合条件 （1 （无限） 5A991G 8541.49.8000 2,500
TLP2530(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530（f） 1.7600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP2530 DC 2 晶体管 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 - - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 7％ @ 16mA - 300NS，500NS -
TLP127(KOSD-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127（KOSD-TPL，F） -
RFQ
 ECAD 2733 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（KOSD-TPLF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP9121A(HNEGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp9121a（hnegbtl，f -
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A（hnegbtlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP5752(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752（tp，e 2.5800
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5752 光学耦合 CQC，CSA，Cul，UL 1 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 2.5a，2.5a 2.5a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 15V〜30V
TLP734F(D4-GRH,M,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp734f（d4-grh，m，f -
RFQ
 ECAD 9216 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - （1 （无限） 264-TLP734F D4-GRHMF Ear99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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