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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压-输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP719F(D4SOY-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp719f（d4soy-tp，f -
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP719 DC 1 晶体管带有基部 6-SDIP - 264-TLP719F d4soy-tpf Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP781(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（tp6，f） -
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（TP6F）TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781(D4-YH-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781（d4-yh-tp6，f -
RFQ
 ECAD 1397 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（d4-yh-tp6ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP292-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（V4LGB，E 1.7900
RFQ
 ECAD 2917 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP2391(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2391（tpl，e 1.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2391 AC，DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 10 MA 10MBD 3NS，3NS 1.55V 10mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 100NS，100NS
TLP185(GB-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 （GB-TPL，SE 0.6100
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2361(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2361（v4-tpl，e 1.0600
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 ECAD 1208 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2361 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP759(D4YSK1T1J,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp759（d4ysk1t1j，f -
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 ECAD 1393 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759（d4ysk1t1jf Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP700(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700（f） 1.9700
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 上次购买 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP700 光学耦合 ur 1 6-SDIP鸥翼 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 1.5a，1.5a 2a 50n，50n 1.57V 20 ma 5000vrm 15kV/µs 500NS，500NS - 15V〜30V
TLP109(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp109（v4-tpl，e 1.8900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP109 DC 1 晶体管 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 8mA - 20V 1.64V 20 ma 3750vrms 20％ @ 16mA - 800NS，800NS （最大） -
TLP781F(GR-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（gr-tp7，f） -
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 ECAD 9957 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（GR-TP7F）TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP118(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP118（TPR，E） 0.6165
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 ECAD 2619 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP118 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TLP118（TPRE） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma - 30ns，30ns - 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 60n，60n
TLP781(D4-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（d4-lf6，f） -
RFQ
 ECAD 4918 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（D4-LF6F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2363(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363（v4-tpl，e 1.0200
RFQ
 ECAD 7454 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2363 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 10Mbps 23ns，7ns 1.5V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP185(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp185（bl-tpl，se 0.6000
RFQ
 ECAD 5987 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP137(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137（tpr，f） -
RFQ
 ECAD 2750 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP137 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP，5领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP137（TPRF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP160J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J（tpr，u，c，f） -
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP160J ur 1 TRIAC 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.15V 50 mA 2500vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs 10mA 30µs
4N32(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n32 （简短，f） -
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 ECAD 4608 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） 4N32 DC 1 达灵顿与基地 6浸 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 80 ma 2500vrms 500 @ @ 10mA - 5µs，100µs （最大） 1V
TLP3083F(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F（d4，f 1.7400
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 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6浸入0.400英寸，10.16毫米），5个铅 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 TRIAC 6浸 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 800 v 100 ma 600µA 是的 2KV/µS典型（典型） 5mA -
TLP292-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp292-4（la-tr，e 1.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP785(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（d4-bl，f -
RFQ
 ECAD 2555 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（d4-blf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP552(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552（ho，f） -
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - （1 （无限） 264-TLP552（HOF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP191B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp191b（u，c，f） -
RFQ
 ECAD 5785 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C 〜80°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP191 DC 1 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 150 24µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，3ms -
TLP124(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124（bv-tpr，f） -
RFQ
 ECAD 9071 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP124 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 200％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP2372(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372（v4，e 1.9100
RFQ
 ECAD 8743 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2372 DC 1 推扣，图腾柱 2.2v〜5.5V 6-SO，5领先 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 8 ma 20mbps 2.2NS，1.6NS 1.53V 8mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 75NS，75NS
TLP266J(V4T7TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J（V4T7TL，E。 0.9200
RFQ
 ECAD 2489 0.00000000 东芝半导体和存储 TLP 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP266 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 600µA（） 是的 200V/µs 10mA 30µs
TLP385(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385 y y，e 0.5500
RFQ
 ECAD 2132 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385（ Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP548J(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP548J（tp1，f） 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -25°C〜85°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP548 ur 1 scr 6浸 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 1,500 1.15V 50 mA 2500vrms 600 v 150 ma 1ma 不 5V/µs 7ma 10µs
TLP267J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J（tpr，e 1.0100
RFQ
 ECAD 786 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP267 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 200µA（200µa） 不 500V/µs （典型） 3MA 100µs
6N138F Toshiba Semiconductor and Storage 6n138f -
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 ECAD 4239 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 0°C〜70°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） 6n138 DC 1 达灵顿与基地 8点 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 60mA - 18V 1.65V 20 ma 2500vrms 300 @ @ 1.6mA - 1µs，4µs -
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196-LFBGA裸露的垫子

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