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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压-输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP781(LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（lf6，f） -
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（LF6F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2309(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2309（tpr，e 1.2600
RFQ
 ECAD 6442 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2309 DC 1 晶体管 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 8mA - 20V 1.55V 25 ma 3750vrms 15％ @ 16mA - 1µs，1µs （最大） -
TLP2363(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363（tpl，e 1.0200
RFQ
 ECAD 6657 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2363 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 10Mbps 23ns，7ns 1.5V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP161J(DMT7TR,C,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp161j（dmt7tr，c，f -
RFQ
 ECAD 5836 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP161J - （1 （无限） 264-TLP161J（dmt7trcftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP388(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388（gb-tpr，e 0.8000
RFQ
 ECAD 8526 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2761(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761（d4-tp4，e -
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2761 AC，DC 1 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2761（D4-TP4E Ear99 8541.49.8000 1,500 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP385(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（tpl，e 0.5500
RFQ
 ECAD 5885 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP291-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 （GB-TP，E） 1.4600
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.2V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP118(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp118（tpl，e 1.8300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP118 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 20mbps 30ns，30ns 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 60n，60n
TLP2168(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2168（f） -
RFQ
 ECAD 7498 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2168 DC 2 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 25 ma 20MBD 30ns，30ns 1.57V 25mA 2500vrms 2/0 15kV/µs 60n，60n
TLP620(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620（f） -
RFQ
 ECAD 7538 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP620 AC，DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4（gbtpr，e 1.2300
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP290(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290（gr-tp，e） -
RFQ
 ECAD 3608 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4µs，7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 7µs，7µs 300mv
TLP781(GB-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 （GB-LF6，F） -
RFQ
 ECAD 8264 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2362(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2362（tpr，e 1.0500
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 ECAD 8277 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2362 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 10MBD 30ns，30ns 1.55V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 100NS，100NS
TLP525G(FUJT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G fujt，f） -
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP525 CSA，CUL，UL 1 TRIAC 4点 下载 264-TLP525G（fujtf） Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 100 ma 600µA 不 200V/µs 10mA -
TLP551(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551（f） -
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP551 DC 1 晶体管带有基部 8点 - Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 10％ @ 16mA - 300ns，1µs -
TLP781(BLL-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（bll-lf6，f） -
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（BLL-LF6F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP9148J(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J（OGI-TL，F） -
RFQ
 ECAD 5576 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9148J（OGI-TLF） Ear99 8541.49.8000 1
TLP5752(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752（tp，e 2.5800
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5752 光学耦合 CQC，CSA，Cul，UL 1 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 2.5a，2.5a 2.5a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 15V〜30V
TLP127(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127（f） -
RFQ
 ECAD 4433 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP127 - （1 （无限） 264-TLP127（f） Ear99 8541.49.8000 150
TLP250(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250（（f），f） -
RFQ
 ECAD 1462 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP250 - （1 （无限） 264-TLP250（fanucf） Ear99 8541.49.8000 50
4N27(SHORT-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n27 （短 tp1，f） -
RFQ
 ECAD 6824 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 4N27 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD - Rohs符合条件 （1 （无限） 4N27 （短 -TP1F） Ear99 8541.49.8000 1,500 100mA 2µs，2µs 30V 1.15V 80 ma 2500vrms 20％ @ 10mA - - 500mv
TLP121(Y-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 Y Y-TPR，F） -
RFQ
 ECAD 1498年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP121（Y-TPRF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP185(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp185（bl-tpl，se 0.6000
RFQ
 ECAD 5987 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP185(YH-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 YH-TPL，SE 0.4500
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP118(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP118（TPR，E） 0.6165
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP118 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TLP118（TPRE） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma - 30ns，30ns - 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 60n，60n
TLP292-4(V4LATRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（v4latre 1.7600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP2363(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363（v4-tpl，e 1.0200
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 ECAD 7454 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2363 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 10Mbps 23ns，7ns 1.5V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP628MX2 Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MX2 -
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 ECAD 4261 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP628 DC 1 晶体管 4点 - （1 （无限） 264-TLP628MX2 Ear99 8541.49.8000 50 50mA 5.5µs，10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 10µs，10µs 400mv
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    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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