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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大）
TLP2767(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2767（tp，e 2.5900
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2767 DC 1 推扣 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 10 MA 50MBD 2NS，1NS 1.6V 15mA 5000vrm 1/0 25kV/µs 20N，20N
TLP126(ASAD-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126（ASAD-TPL，F） -
RFQ
 ECAD 5953 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP126 - （1 （无限） 264-TLP126（（ASAD-TPLF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP388(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388（d4gb-tr，e 0.7800
RFQ
 ECAD 7489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785F(GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F（gb，f -
RFQ
 ECAD 7295 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F （GBF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP590B(C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP590B（c，f） 3.1500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 TLP590 DC 1 光伏 6浸，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Q3885930 Ear99 8541.49.8000 50 12µA - 7V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，1ms -
TLP385(D4BLLTR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4blltr，e 0.5600
RFQ
 ECAD 7685 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP5774H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H（d4Tp4，e 2.6800
RFQ
 ECAD 4338 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5774 电容耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 4a，4a 4a 56ns，25ns 1.65V 8 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 10v〜30v
TLP2098(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2098（tpl，f） -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP2098 AC，DC 1 推扣，图腾柱 3v〜20V 6-MFSOP，5领先 下载 Rohs符合条件 TLP2098（TPLF） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 5Mbps 30ns，30ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 250NS，250NS
TLP185(YH-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 YH-TPL，SE 0.4500
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP385(E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（e 0.5500
RFQ
 ECAD 3352 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
4N25A(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n25a （短，f） -
RFQ
 ECAD 8159 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） 4N25 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 4N25ASHORTF Ear99 8541.49.8000 50 100mA 2µs，200µs 30V 1.15V 80 ma 2500vrms 20％ @ 10mA - - 500mv
TLP250F(D4FA1T4S,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp250f（d4fa1t4s，f -
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP250F - （1 （无限） 264-TLP250F（d4fa1t4sftr Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP2361(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2361（tpr，e 1.0200
RFQ
 ECAD 7264 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2361 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP781F(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（d4-gb，f） -
RFQ
 ECAD 1853年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（D4-GBF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP385(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（gb-tpr，e 0.5500
RFQ
 ECAD 1431 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP109(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp109（v4-tpl，e 1.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP109 DC 1 晶体管 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 8mA - 20V 1.64V 20 ma 3750vrms 20％ @ 16mA - 800NS，800NS （最大） -
TLP5702(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702（tp，e 1.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5702 DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 1 a - 15ns，8ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS，200NS
TLP358H(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358H（tp1，f） -
RFQ
 ECAD 5751 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP358 光学耦合 Cul，Ul 1 8-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 5a，5a 6a 17ns，17ns 1.57V 20 ma 3750vrms 20kV/µs 500NS，500NS 250NS 15V〜30V
TLP5754(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754（tp4，e 2.8500
RFQ
 ECAD 8639 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5754 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 3a，3a 4a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 15V〜30V
TLX9185(TOJGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage tlx9185（tojgbtlf（o -
RFQ
 ECAD 9576 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLX9185 DC 1 晶体管 6 sop - 264-TLX9185（tojgbtlf（o Ear99 8541.49.8000 1 50mA 3µs，5µs 80V 1.27V 30 ma 3750vrms 20％ @ 5mA 600 @ 5mA 5µs，5µs 400mv
TLP701F(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp701f（d4-mbstp，f -
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP701 光学耦合 图夫，ur 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP701F （D4-MBSTPF Ear99 8541.49.8000 1 - 600mA - - 5000vrm 10kV/µs 700NS，700NS - 10v〜30v
TLP781F(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（d4-grl，f） -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（D4-GRLF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP532(FANUC1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532（fanuc1，f） -
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP532 - （1 （无限） 264-TLP532（FANUC1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP185(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 （SE 0.6100
RFQ
 ECAD 6126 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2261(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2261（d4-lf4，e 3.0200
RFQ
 ECAD 2462 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） TLP2261 DC 2 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TLP2261 （D4-LF4E Ear99 8541.49.8000 75 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 5000vrm 2/0 20kV/µs 80n，80n
TLP184(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 （GB，SE 0.5100
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP184 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP5212(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5212（e 5.4900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） TLP5212 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 16件事 下载 （1 （无限） 264-TLP5212（e Ear99 8541.49.8000 50 2a，2a 2.5a 57ns，56ns 1.67V 25 ma 5000vrm 25kV/µs 250NS，250NS 50ns 15V〜30V
TLP126(FA-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126（fa-tpls，f） -
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP126 - （1 （无限） 264-TLP126 （FA-TPLSF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP620-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2（F） -
RFQ
 ECAD 1216 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 上次购买 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP620 AC，DC 2 晶体管 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP190B(ADVTPLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B（advtpluc，f -
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 DC 1 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 264-TLP190B（advtplucf Ear99 8541.49.8000 1 - - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，1ms -
  • Daily average RFQ Volume

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    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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