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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压-输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP250H(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(d4,f) 1.7400
RFQ
ECAD 88 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP250 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 8点 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP250H(D4F) Ear99 8541.49.8000 50 2.5 a - 50n,50n 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS,500NS
TLP185(V4GBTL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(V4GBTL,SE -
RFQ
ECAD 3535 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管带有基部 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP185(V4GBTLSE Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP2955F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955F(tp4,f) -
RFQ
ECAD 1035 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP2955 DC 1 推扣,图腾柱 3v〜20V 8-SMD 下载 264-TLP2955F(TP4F) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 16ns,14ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 250NS,250NS
TLP2531(QCPL4531,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(QCPL4531,f -
RFQ
ECAD 6037 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP2531 DC 2 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP2531(QCPL4531F Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200NS,300NS -
TLP719F(D4FNC-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp719f(d4fnc-tp,f -
RFQ
ECAD 9609 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) DC 1 晶体管 6-SDIP鸥翼 - 264-TLP719F(d4fnc-tpf Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - 800NS,800NS (最大) -
4N28(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n28 (短,f) -
RFQ
ECAD 6801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) 4N28 DC 1 晶体管带有基部 六点 - Rohs符合条件 (1 (无限) 4N28(Shortf) Ear99 8541.49.8000 50 100mA 2µs,2µs 30V 1.15V 80 ma 2500vrms 20% @ 10mA - - 500mv
TLP120(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB,F) -
RFQ
ECAD 5979 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP120 AC,DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP120(GBF) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP290-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4(tp,e 1.6300
RFQ
ECAD 1378 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP290 AC,DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.2V 50 mA 2500vrms 50% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP714(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714(D4-TP,F) -
RFQ
ECAD 2704 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) DC 1 开放的收藏首页,肖特基夹 4.5V〜30V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP714(D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 15 ma 1Mbps - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 550NS,400NS
TLP293-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (GB-TP,E。 1.6000
RFQ
ECAD 4016 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP2531(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(lf1,f) -
RFQ
ECAD 2555 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 DC 2 晶体管带有基部 8-SMD 下载 264-TLP2531(LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 19% @ 16mA - - -
TLP183(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp183(bl-tpl,e 0.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP531(Y-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 Y-LF2,F) -
RFQ
ECAD 8609 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - (1 (无限) 264-TLP531(Y-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP293-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4LGB,E 1.6400
RFQ
ECAD 9035 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs,3µs 300mv
TLP120(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(f) -
RFQ
ECAD 4000 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP120 AC,DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP383(D4BLLTL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp383(d4blltl,e 0.6000
RFQ
ECAD 2511 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 tlp383 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200 @ @ 500µA 400 @ @ 500µA 3µs,3µs 300mv
TLP9104A(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp9104a(hne-tl,f) -
RFQ
ECAD 6741 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A(HNE-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP387(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp387(d4,e 0.8700
RFQ
ECAD 4828 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP387 DC 1 达灵顿 6-SO,4领先 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 150mA 40µs,15µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP5772(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772(d4-tp,e 0.9772
RFQ
ECAD 4079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5772 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP5772(d4-tpe Ear99 8541.49.8000 1,500 - 15ns,8ns 1.65V 8mA 5000vrm 1/0 35kV/µs 150NS,150NS
TLP551(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551(f) -
RFQ
ECAD 5111 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP551 DC 1 晶体管带有基部 8点 - Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 10% @ 16mA - 300ns,1µs -
TLP290(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(gr-tp,e) -
RFQ
ECAD 3608 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP290 AC,DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4µs,7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 7µs,7µs 300mv
TLP2168(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2168(f) -
RFQ
ECAD 7498 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TLP2168 DC 2 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 8-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 100 25 ma 20MBD 30ns,30ns 1.57V 25mA 2500vrms 2/0 15kV/µs 60n,60n
TLP620(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620(f) -
RFQ
ECAD 7538 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP620 AC,DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP525G(FUJT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G fujt,f) -
RFQ
ECAD 7033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP525 CSA,CUL,UL 1 TRIAC 4点 下载 264-TLP525G(fujtf) Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 100 ma 600µA 200V/µs 10mA -
TLP732(GR-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(gr-lf4,f) -
RFQ
ECAD 4249 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - (1 (无限) 264-TLP732(GR-LF4F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP385(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(tpl,e 0.5500
RFQ
ECAD 5885 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP291-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 (GB-TP,E) 1.4600
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP291 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.2V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781(GB-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GB-LF6,F) -
RFQ
ECAD 8264 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP185(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(E) -
RFQ
ECAD 8142 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 5µs,9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs,9µs 300mv
TLP3902(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp3902(tpr,u,f) 1.0712
RFQ
ECAD 9472 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP3902 DC 1 光伏 6-MFSOP,4领先 下载 Rohs符合条件 3(168)) 5A991 8541.49.8000 3,000 5µA - 7V 1.15V 50 mA 2500vrms - - 600µs,2ms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库