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（2050））
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 批准机构 | 频道数量 | 输出类型 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出高，低，低 | 电流 -输出 /通道 | 数据速率 | 频道类型 | 电流 -峰值输出 | 上升 /秋季t （典型） | 电压-输出（最大） | 电压 -向前（ -vf）（类型） | （dc 向前（如果）（）（（最大）） | 电压 -隔离 | 电压 -偏离状态 | （（rms）（rms）（最大） | 电流 -保持（ ih） | 孤立的力量 | 输入 -侧面 -1/侧2 | （（（） | tplh / tphl （最大） | （（（） | 电压 -输出电源 | （（（） | （（（） | 打开 /关闭t ty（typ） | （VCE 饱和度（最大） | 零越过电路 | DV/DT （最小） | 电流-LED（IFT）（IFT）） | t |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP5702（tp，e | 1.4400 |  | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜110°C | 表面安装 | 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） | TLP5702 | DC | 1 | 推扣，图腾柱 | 15V〜30V | 6-so | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 1 a | - | 15ns，8ns | 1.55V | 20mA | 5000vrm | 1/0 | 20kV/µs | 200NS，200NS | |||||||||||||||||||||||
 | TLP714F（d4-tp，f） | - | | 2411 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） | TLP714 | DC | 1 | 打开收藏首页 | 4.5V〜30V | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP714F（D4-TPF） | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20mA | 5000vrm | 1/0 | 20kV/µs | 550NS，400NS | ||||||||||||||||||||||||
 | tlp293-4（la，e | 1.6000 | | 5468 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） | TLP293 | DC | 4 | 晶体管 | 16件事 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 50％ @ 500µA | 600 @ @ 500µA | 3µs，3µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||
| dcl541a01（t，e | 6.3000 | | 3395 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | DCL541X01 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜110°C | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 通用目的 | DCL541 | 磁耦合 | 4 | 2.25V〜5.5V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 1,500 | 150Mbps | 单向 | 0.9NS，0.9NS | 5000vrm | 是的 | 3/1 | 100kV/µs | 18.3ns，18.3ns | 2.8NS | |||||||||||||||||||||||||
 | TLP626-4（f） | - | | 5003 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 上次购买 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | TLP626 | AC，DC | 4 | 晶体管 | 16二滴 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 8µs，8µs | 55V | 1.15V | 50 mA | 5000vrm | 100％ @ 1ma | 1200 @ @ 1mA | 10µs，8µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| TLP127（u，f） | - | | 7414 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜100°C | 表面安装 | 6-SMD（4个铅），鸥翼 | TLP127 | DC | 1 | 达灵顿 | 6-MFSOP，4领先 | - | （1 （无限） | 264-TLP127（UF） | Ear99 | 8541.49.8000 | 150 | 150mA | 40µs，15µs | 300V | 1.15V | 50 mA | 2500vrms | 1000％ @ 1ma | - | 50µs，15µs | 1.2V | |||||||||||||||||||||||
 | TLP266J（v4t7，e | 0.9200 | | 6891 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TLP | 管子 | 积极的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP266 | 1 | TRIAC | 6 sop | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | TLP266J（V4T7E | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 1.27V | 30 ma | 3750vrms | 600 v | 70 MA | 600µA（） | 是的 | 200V/µs | 10mA | 30µs | |||||||||||||||||||||||
| TLP731（d4-bl-lf2，f | - | | 4488 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP731 | - | （1 （无限） | 264-TLP731（D4-BL-LF2F | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185 Y Y-TPL，SE | 0.6100 | | 4922 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP185 | DC | 1 | 晶体管 | 6 sop | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 50％ @ 5mA | 150％ @ 5mA | 3µs，3µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||
| TLP2530（tp1，f） | - | | 9916 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 表面安装 | 8-SMD，鸥翼 | TLP2530 | DC | 2 | 晶体管带有基部 | 8-SMD | 下载 | 264-TLP2530（TP1F） | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 15V | 1.65V | 25 ma | 2500vrms | 7％ @ 16mA | 30％ @ 16mA | 300NS，500NS | - | ||||||||||||||||||||||||
 | TLP2451A（tp，f） | - | | 3877 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | TLP2451 | 光学耦合 | CSA，CUL，UL | 1 | 8-so | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,500 | 400mA，400mA | 600mA | 50n，50n | 1.55V | 25 ma | 3750vrms | 20kV/µs | 500NS，500NS | 350n | 10v〜30v | |||||||||||||||||||||||
 | tlp385（e | 0.5500 | | 3352 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP385 | DC | 1 | 晶体管 | 6-SO，4领先 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 5000vrm | 50％ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs，3µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||
| tlp385（grh，e | 0.5500 | | 2485 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP385 | DC | 1 | 晶体管 | 6-SO，4领先 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | tlp385（grhe | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 5000vrm | 150％ @ 5mA | 300 @ @ 5mA | 3µs，3µs | 300mv | ||||||||||||||||||||||
| TLP2363（e | 1.0200 | | 7054 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 | TLP2363 | DC | 1 | 打开收藏首页 | 2.7V〜5.5V | 6-SO，5领先 | 下载 | （1 （无限） | 264-TLP2363（e | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 25 ma | 10Mbps | 23ns，7ns | 1.5V | 25mA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 80n，80n | |||||||||||||||||||||||
 | TLP754（f） | - | | 8364 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | TLP754 | DC | 1 | 打开收藏首页 | 4.5V〜30V | 8点 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | TLP754F | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 15 ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20mA | 5000vrm | 1/0 | 20kV/µs | 550NS，400NS | ||||||||||||||||||||||
| TLP781（tel，f） | - | | 4761 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） | TLP781 | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | （1 （无限） | 264-TLP781（TELSF） | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 50％ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| tlp9114b（tojs-tl，f | - | | 1713年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 大部分 | 过时的 | - | 264-TLP9114B（tojs-tlf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP184 （GB，E） | - | | 9774 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP184 | AC，DC | 1 | 晶体管 | 6 sop | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 5µs，9µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 100 @ @ 5mA | 400 @ @ 5mA | 9µs，9µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||
 | TLP3062A（tp1，f | 1.6600 | | 2451 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 6-SMD（5条线），鸥翼 | TLP3062 | CQC，Cur，Ur | 1 | TRIAC | 6-SO，5领先 | 下载 | Rohs符合条件 | 不适用 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 1.15V | 50 mA | 5000vrm | 600 v | 100 ma | 600µA（） | 是的 | 2KV/µS典型（典型） | 10mA | - | |||||||||||||||||||||||
| TLP2761（d4，e | 1.1800 | | 3928 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） | TLP2761 | AC，DC | 1 | 推扣，图腾柱 | 2.7V〜5.5V | 6-so | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | TLP2761（d4e | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 MA | 15MBD | 3NS，3NS | 1.5V | 10mA | 5000vrm | 1/0 | 20kV/µs | 80n，80n | ||||||||||||||||||||||
| TLP504A（f） | - | | 8450 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | TLP504 | DC | 2 | 晶体管 | 8点 | 下载 | （1 （无限） | TLP504AF | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs，3µs | 55V | 1.15V | 60 ma | 2500vrms | 50％ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| TLP250F（d4inv-f4，f | - | | 9755 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250F | - | （1 （无限） | 264-TLP250F（d4inv-f4f | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP590B（c，f） | 3.1500 | | 23 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C | 通过洞 | 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 | TLP590 | DC | 1 | 光伏 | 6浸，5领先 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Q3885930 | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 12µA | - | 7V | 1.4V | 50 mA | 2500vrms | - | - | 200µs，1ms | - | ||||||||||||||||||||||
| TLP268J t2-tpl，e | 1.1100 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP268 | CQC，Cur，Ur | 1 | TRIAC | 6 sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 1.27V | 30 ma | 3750vrms | 600 v | 70 MA | 200µA（200µa） | 是的 | 500V/µs （典型） | 3MA | 100µs | |||||||||||||||||||||||
 | TLP781 （GB，F） | - | | 3381 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） | TLP781 | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | TLP781GBF | 5A991G | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 100 @ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||
| tlp734f（d4-grh，m，f | - | | 9216 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP734 | - | （1 （无限） | 264-TLP734F D4-GRHMF | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| tlp385（d4yh-tr，e | 0.5500 | | 6869 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP385 | DC | 1 | 晶体管 | 6-SO，4领先 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 5000vrm | 75 @ @ 5mA | 150％ @ 5mA | 3µs，3µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||
| TLP2958（d4-tp1，f） | - | | 1964年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-SMD，鸥翼 | DC | 1 | 推扣，图腾柱 | 3v〜20V | 8-SMD | 下载 | 264-TLP2958（D4-TP1F） | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 5Mbps | 15ns，10ns | 1.55V | 25mA | 5000vrm | 1/0 | 20kV/µs | 250NS，250NS | |||||||||||||||||||||||||
| tlp190b（omt-tluc，f | - | | 1361 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 6-SMD（4个铅），鸥翼 | TLP190 | DC | 1 | 光伏 | 6-MFSOP，4领先 | 下载 | 264-TLP190B（omt-tlucf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 12µA | - | 8V | 1.4V | 50 mA | 2500vrms | - | - | 200µs，1ms | - | ||||||||||||||||||||||||
 | tlp293（bll-tpl，e | 0.5100 | | 3760 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） | TLP293 | DC | 1 | 晶体管 | 4-so | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,500 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 200 @ @ 500µA | 400 @ @ 500µA | 3µs，3µs | 300mv |
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