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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP785(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 Y Y，F） 0.6400
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP160G(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G（f） -
RFQ
 ECAD 5680 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP160 - （1 （无限） 264-tlp160g（f）tr Ear99 8541.49.8000 150
TLP291(GRH,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp291（grh，se 0.6000
RFQ
 ECAD 6908 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TLP291（grhse Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP185(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185（E） -
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 50mA 5µs，9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs，9µs 300mv
TLP385(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（grl-tpl，e 0.5400
RFQ
 ECAD 3612 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 200 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP127(PSION-TPR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127（psion-tpr，f -
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（PSION-TPRFTR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP250(FA-TP1S,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250（fa-tp1，f） -
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP250 - （1 （无限） 264-TLP250（FA-TP1SF）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP785(D4YH-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785（d4yh-t6，f 0.7700
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP734(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734（D4-C173，F） -
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 ECAD 9944 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - （1 （无限） 264-TLP734（D4-C173F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP2761(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761（d4-lf4，e -
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2761 AC，DC 1 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2761 （D4-LF4E Ear99 8541.49.8000 1,500 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP626(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626（lf1，f） -
RFQ
 ECAD 5424 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 4-SMD （0.300英寸，7.62mm） AC，DC 1 晶体管 4-SMD 下载 264-TLP626（LF1F） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs，8µs 400mv
TLP9104A(TOYOG2TLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A（toyog2tlf -
RFQ
 ECAD 4143 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A（toyog2tlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP2719(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719（tp，e 1.7500
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2719 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜20V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 8 ma 1MBD - 1.6V 25mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 800NS，800NS
TLP731(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731（gr-lf2，f） -
RFQ
 ECAD 4124 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - （1 （无限） 264-TLP731（GR-LF2F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP385(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（tpr，e 0.5500
RFQ
 ECAD 2461 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP3083F(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F（d4，f 1.7400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6浸入0.400英寸，10.16毫米），5个铅 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 TRIAC 6浸 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 800 v 100 ma 600µA 是的 2KV/µS典型（典型） 5mA -
TLP2309(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2309（tpr，e 1.2600
RFQ
 ECAD 6442 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2309 DC 1 晶体管 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 8mA - 20V 1.55V 25 ma 3750vrms 15％ @ 16mA - 1µs，1µs （最大） -
TLP532(BL-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532（bl-tp5，f） -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP532 - （1 （无限） 264-TLP532（BL-TP5F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP781F(GR-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（gr-tp7，f） -
RFQ
 ECAD 9957 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（GR-TP7F）TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781(GB-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 （GB-LF6，F） -
RFQ
 ECAD 8264 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
4N38A(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n38a （简短，f） -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） 4N38 DC 1 晶体管带有基部 6浸 - Rohs符合条件 （1 （无限） 4n38a（Shortf） Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 80V 1.15V 80 ma 2500vrms 10％ @ 10mA - 3µs，3µs 1V
TLP716(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716（D4-TP，F） -
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP716 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP716（D4-TPF） Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 15MBD 15ns，15ns 1.65V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 75NS，75NS
TLP700F(D4ABB-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp700f（d4abb-tp，f -
RFQ
 ECAD 6946 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP700 光学耦合 - 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP700F（d4abb-tpf Ear99 8541.49.8000 1 - 2a - - 5000vrm 15kV/µs 500NS，500NS - 15V〜30V
TLP292-4(LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp292-4（lgb，e 1.7900
RFQ
 ECAD 6005 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP627M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M（tp5，e 0.9300
RFQ
 ECAD 5883 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP627 DC 1 达灵顿 4-SMD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 150mA 60µs，30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000％ @ 1ma - 110µs，30µs 1.2V
TLP5832(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832（e 2.8300
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 8-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 8-so 下载 （1 （无限） 264-TLP5832（e Ear99 8541.49.8000 75 - 15ns，8ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS，200NS
TLP628M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M（tp1，e 0.9100
RFQ
 ECAD 7614 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4-SMD （0.300英寸，7.62mm） TLP628 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 5.5µs，10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 10µs，10µs 400mv
TLP719F(AD-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F（AD-TP，F） -
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） DC 1 晶体管 6-SDIP鸥翼 - 264-TLP719F（AD-TPF） Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - 800NS，800NS （最大） -
TLP781F(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（（（F），f） -
RFQ
 ECAD 8371 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（BLLF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP290(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290（ 0.5100
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
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    标准产品单位

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    全球制造商

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196-LFBGA裸露的垫子

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