SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高,低,低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() 电压 -输出电源 ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大)
TLP628M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(e 0.9200
RFQ
ECAD 9029 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP628 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP628M(e Ear99 8541.49.8000 100 50mA 5.5µs,10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 10µs,10µs 400mv
TLP531(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(bl,f) -
RFQ
ECAD 1240 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - (1 (无限) 264-TLP531(BLF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2770(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(e 2.2400
RFQ
ECAD 2675 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2770 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP2770(e) Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 20MBD 1.3NS,1NS 1.5V 8mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 60n,60n
TLP627M(LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(lf1,e 0.9200
RFQ
ECAD 3910 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP627 DC 1 达灵顿 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP627M(lf1e Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs,30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 110µs,30µs 1.2V
TLP332(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp332(bv-lf2,f) -
RFQ
ECAD 7018 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP332 - (1 (无限) 264-tp332(BV-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-GB-LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GB-LF4,f -
RFQ
ECAD 2820 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - (1 (无限) 264-TLP731 (D4-GB-LF4F Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(YH-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 YH-TP6,F) -
RFQ
ECAD 8852 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(YH-TP6F)TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP292-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4LGB,E 1.7900
RFQ
ECAD 2917 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP292 AC,DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs,3µs 300mv
TLP718F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F(F) -
RFQ
ECAD 9089 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP718 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜20V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP718F(f) Ear99 8541.49.8000 1 5Mbps - - 3MA 5000vrm 1/0 10kV/µs 250NS,250NS
TLP750(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(d4-lf2,f) -
RFQ
ECAD 2573 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - (1 (无限) 264-TLP750(D4-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP624-2(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 sanyd,f) -
RFQ
ECAD 6744 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP624 - (1 (无限) 264-TLP624-2(SANYDF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP550-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550-TP4,F) -
RFQ
ECAD 2240 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP550 - (1 (无限) 264-TLP550-TP4F)TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP350H(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350H(f) 1.9900
RFQ
ECAD 7118 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP350 光学耦合 1 8点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 3mA,3mA 2.5a 15ns,8ns 1.55V 20 ma 3750vrms 20kV/µs 500NS,500NS 350n 15V〜30V
TLP250(D4SND-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(d4snd-lf1,f -
RFQ
ECAD 8057 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP250 - (1 (无限) 264-TLP250 (D4SND-LF1F Ear99 8541.49.8000 50
TLP627M(LF1,E(OX4 Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(lf1,E(ox4 -
RFQ
ECAD 6561 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP627 DC 1 达灵顿 4-SMD - (1 (无限) 264-TLP627M(lf1e(ox4 Ear99 8541.49.8000 25 150mA 60µs,30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 110µs,30µs 1.2V
TLP385(GRL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(grl-tpr,e 0.5600
RFQ
ECAD 4446 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 200 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP105(DPW-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(dpw-tpl,f) -
RFQ
ECAD 6810 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173英寸,4.40mm宽),5条线索 TLP105 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜20V 6-MFSOP,5领先 下载 264-TLP105(DPW-TPLF) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 30ns,30ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 10kV/µs 250NS,250NS
TLP2662(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2662(d4-tp1,f) 1.8800
RFQ
ECAD 5134 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP2662 DC 2 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 8-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 1,500 25 ma 10MBD 12n,3ns 1.55V 20mA 5000vrm 2/0 20kV/µs 75NS,75NS
TLP385(D4GL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(d4gl-tl,e 0.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP785F(BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(bll-f7,f -
RFQ
ECAD 2014 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(bll-f7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2704(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704(e 1.4400
RFQ
ECAD 5375 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2704 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 15 ma - - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 400NS,550NS
TLP293(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp293(bl,e 0.5100
RFQ
ECAD 2113 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP293(ble Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP183(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (GB-TPL,E。 0.5000
RFQ
ECAD 1538年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP290(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(gr,Se 0.5100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP290 AC,DC 1 晶体管 4-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) TLP290(grse Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP718(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718(f) -
RFQ
ECAD 2742 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP718 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜20V 6-SDIP鸥翼 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 5A991 8541.49.8000 100 25 ma 5Mbps 30ns,30ns 1.6V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 250NS,250NS
TLP627M(D4-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(d4-tp5,e 0.3090
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP627 DC 1 达灵顿 4-SMD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 150mA 60µs,30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 110µs,30µs 1.2V
TLP785(D4GH-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785(d4gh-f6,f -
RFQ
ECAD 8482 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785(d4gh-f6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP620F-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620F-2(F) -
RFQ
ECAD 9705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) - 1 - 8点 - 264-TLP620F-2(F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA - 55V - 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA - -
TLP715(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715(f) -
RFQ
ECAD 9941 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP715 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜20V 6-SDIP鸥翼 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 5A991 8541.49.8000 100 25 ma 5Mbps 30ns,30ns 1.6V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 250NS,250NS
TLP2370(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370(v4,e 1.7700
RFQ
ECAD 2020 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2370 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO,5领先 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 20mbps 3n,2ns 1.5V 8mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 60n,60n
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库