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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 年级 资格
TLP2116(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116（tp，f） -
RFQ
 ECAD 5260 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2116 DC 2 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 10 MA 15MBD 15ns，15ns 1.65V 20mA 2500vrms 2/0 10kV/µs 75NS，75NS
TLP781F(YH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F YH-LF7，F） -
RFQ
 ECAD 4883 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（YH-LF7F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP187(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187（v4-tpl，e -
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP187 DC 1 达灵顿 6 sop - （1 （无限） 264-TLP187（V4-TPLETR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.25V 50 mA 3750vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP358(D4-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp358（d4-lf5，f） -
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP358 DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 8-SMD 下载 264-tp358（D4-LF5F） Ear99 8541.49.8000 1 5.5 a - 17ns，17ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 500NS，500NS
TLP388(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388（tpr，e 0.8000
RFQ
 ECAD 6169 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(D4-GR-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4-gr-fd，f -
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4-gr-fdf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（tp6，f） -
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（TP6F）TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP759(D4-LF2,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759（d4-lf2，J，f），f） -
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759（D4-LF2JF） Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP626(FUJI,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp626 fuji，f） -
RFQ
 ECAD 6112 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） AC，DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626 （富士） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs，8µs 400mv
TLP109(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp109（v4，e 1.3100
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP109 DC 1 晶体管 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 8mA - 20V 1.64V 20 ma 3750vrms 20％ @ 16mA - 800NS，800NS （最大） -
TLP781F(D4NKODGB7F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4nkodgb7f -
RFQ
 ECAD 3296 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4nkodgb7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(D4TEE-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4tee-t7，f -
RFQ
 ECAD 2010 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4tee-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP504A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A（f） -
RFQ
 ECAD 8450 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP504 DC 2 晶体管 8点 下载 （1 （无限） TLP504AF Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 2500vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP185(V4GBTL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185（V4GBTL，SE -
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管带有基部 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP185（V4GBTLSE Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP781(BL-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（bl-tp6，f） -
RFQ
 ECAD 3612 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（BL-TP6F）TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP701AF(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701AF（tp，f） -
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP701 光学耦合 CSA，CUL，UL，VDE 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP701AF（TPF） Ear99 8541.49.8000 1 600mA，600mA 600mA 50n，50n 1.57V 25 ma 5000vrm 20kV/µs 500NS，500NS 350n 10v〜30v
TLP632(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632（f） -
RFQ
 ECAD 9713 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP632 DC 1 晶体管 6浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP632F Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP160G(TEE-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G te Tee-TPL，F） -
RFQ
 ECAD 8847 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP160 - （1 （无限） 264-TLP160G（TEE-TPLF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLX9185A(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185A（gbtpl，f 3.1500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLX9185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 3µs，5µs 80V 1.27V 30 ma 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 5µs，5µs 400mv 汽车 AEC-Q101
TLP3914(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp3914（tp15，f） 3.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-SMD，平坦的铅 TLP3914 DC 1 光伏 4ssop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 20µA - 7V 1.3V 30 ma 1500vrms - - 300µs，600µs -
TLP781(D4GRT6-TC,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781（d4grt6-tc，f -
RFQ
 ECAD 4172 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（d4grt6-tcftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP127(KOSD-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127（KOSD-TPL，F） -
RFQ
 ECAD 2733 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（KOSD-TPLF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP759(D4MB-F2,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759（d4Mb-f2，j，f -
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759（D4MB-F2JF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP292-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp292-4（la-tr，e 1.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP292(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp292（bl-tpl，e 0.5600
RFQ
 ECAD 307 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP785(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（bl，f） 0.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP5774(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774（tp，e 2.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5774 光学耦合 CQC，Cur，Ur，Vde 1 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 3a，3a 4a 15ns，8ns 1.65V 8 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 10v〜30v
TLP759(D4YSK1T1J,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp759（d4ysk1t1j，f -
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759（d4ysk1t1jf Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP3902(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp3902（tpr，u，f） 1.0712
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP3902 DC 1 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 3（168）） 5A991 8541.49.8000 3,000 5µA - 7V 1.15V 50 mA 2500vrms - - 600µs，2ms -
TLP628M(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M （GB，E。 0.9100
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP628 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 5.5µs，10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 10µs，10µs 400mv
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196-LFBGA裸露的垫子

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