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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压-输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大)
TLP2304(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2304(tpl,e 1.4100
RFQ
ECAD 4087 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2304 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-SO,5领先 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 15 ma 1MBD - 1.55V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 550NS,400NS
TLP127(SONY-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 sony-tpl,f) -
RFQ
ECAD 5109 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(Sony-TPLF)Tr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP626(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(lf5,f) -
RFQ
ECAD 2264 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP626 AC,DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626(LF5F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs,8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP700AF(S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF(S) -
RFQ
ECAD 4220 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP700 - (1 (无限) 264-TLP700AF(S) Ear99 8541.49.8000 100
TLP785(D4-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(d4-lf6,f -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785(d4-lf6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP750(NEMIC-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(necial-lf2,f -
RFQ
ECAD 4421 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - (1 (无限) 264-TLP750(nepic-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP250H(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H tp5,f) -
RFQ
ECAD 9916 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP250 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP250H(TP5F)TR Ear99 8541.49.8000 1,500 2 a - 50n,50n 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS,500NS
TLP754(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754(d4,f) -
RFQ
ECAD 8939 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 开放的收藏首页,肖特基夹 4.5V〜30V 8点 下载 264-TLP754(D4F) Ear99 8541.49.8000 1 15 ma 1Mbps - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 550NS,400NS
TLP734F(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(d4-C173,f) -
RFQ
ECAD 6004 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - (1 (无限) 264-TLP734F(D4-C173F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785(bll-lf6,f -
RFQ
ECAD 2699 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP785(bll-lf6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP630(GB-FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(gb-fanuc,f) -
RFQ
ECAD 7207 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) TLP630 AC,DC 1 晶体管带有基部 六点 下载 264-TLP630(GB-FANUCF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2261(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2261(lf4,e 3.0200
RFQ
ECAD 8964 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) TLP2261 DC 2 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) TLP2261(lf4e Ear99 8541.49.8000 75 10 MA 15MBD 3NS,3NS 1.5V 10mA 5000vrm 2/0 20kV/µs 80n,80n
TLP750(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(d4-tp1,f) -
RFQ
ECAD 8800 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - (1 (无限) 264-TLP750(D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP5702H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(d4lf4,e 1.8300
RFQ
ECAD 3288 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5702 DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 - 37ns,50ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS,200NS
TLP2766F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766F(f) -
RFQ
ECAD 5909 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP2766 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2766F(f) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 20MBD 15ns,15ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 55NS,55NS
TLP127(CANO-U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(cano-u,f) -
RFQ
ECAD 6413 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-tlp127(uno-uf) Ear99 8541.49.8000 1 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP750(D4-O-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-O-TP1,F) -
RFQ
ECAD 5978 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - (1 (无限) 264-TLP750(D4-O-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552(垫,F) -
RFQ
ECAD 3433 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - (1 (无限) 264-TLP552(MATF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP512(HITACHI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (日立,f) -
RFQ
ECAD 4572 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP512 - (1 (无限) 264-TLP512(Hitachif) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(Y-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 Y-LF6,F) -
RFQ
ECAD 7916 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(Y-LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781F(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(bl,f) -
RFQ
ECAD 2145 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(BLF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP733F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(d4-C174,f) -
RFQ
ECAD 4345 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - (1 (无限) 264-TLP733F(D4-C174F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP719(D4FA1TPS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(d4fa1tps,f) -
RFQ
ECAD 4873 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP719 DC 1 晶体管带有基部 6-SDIP鸥翼 - 264-TLP719(d4fa1tpsf) Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - - -
TLP781F(BLL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(bll-lf7,f) -
RFQ
ECAD 3705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(BLL-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP626(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(sanyd,f) -
RFQ
ECAD 1971年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) AC,DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626(sanydf) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs,8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP513(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP513(lf1,f) -
RFQ
ECAD 2728 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP513 - (1 (无限) 264-TLP513(LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP552(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552(f) -
RFQ
ECAD 7108 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - (1 (无限) 264-TLP552(f) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4GRL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781(d4grl-lf6,f -
RFQ
ECAD 8041 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(d4grl-lf6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP716F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F(f) -
RFQ
ECAD 7837 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP716F(f) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 15MBD 15ns,15ns 1.65V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 75NS,75NS
TLP127(NS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 ns-tpl,f) -
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(NS-TPLF)TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库