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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 输入类型 技术 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 频道类型 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 孤立的力量 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大)
TLP127(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(f) -
RFQ
ECAD 4433 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP127 - (1 (无限) 264-TLP127(f) Ear99 8541.49.8000 150
TLP620-4(GB-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(GB-LF5,F) -
RFQ
ECAD 6109 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 16 浸(0.300英寸,7.62mm) AC,DC 4 晶体管 16二滴 下载 264-TLP620-4(GB-LF5F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP351(D4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp351(d4,z,f),f) -
RFQ
ECAD 5056 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP351 - (1 (无限) 264-tp351(D4ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP161J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp161j t7tl,u,c,f -
RFQ
ECAD 8555 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP161 - (1 (无限) 264-TLP161J(t7tlucftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP781(YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(YH,F) -
RFQ
ECAD 6831 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781(YHF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP161J(DMT7TR,C,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp161j(dmt7tr,c,f -
RFQ
ECAD 5836 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP161J - (1 (无限) 264-TLP161J(dmt7trcftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP383(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp383(gb,e -
RFQ
ECAD 4061 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 tlp383 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 (1 (无限) 264-tp383(gbe Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP781F(D4-GRL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(d4-grl,E) -
RFQ
ECAD 1801年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(D4-Grle) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP387(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp387(d4-tpl,e 0.8700
RFQ
ECAD 7441 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP387 DC 1 达灵顿 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1V
TLP731(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(d4-lf4,f) -
RFQ
ECAD 9979 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - (1 (无限) 264-TLP731(D4-LF4F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP105(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(tpl,f) -
RFQ
ECAD 3574 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173英寸,4.40mm宽),5条线索 TLP105 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜20V 6-MFSOP,5领先 下载 264-TLP105(TPLF) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 30ns,30ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 10kV/µs 250NS,250NS
TLP9104(HITJ-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp9104(hitj-tl,f) -
RFQ
ECAD 4935 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104((HITJ-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP781F(D4GRT7,F,W Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f(d4grt7,f,w -
RFQ
ECAD 7022 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(d4grt7fwtr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2066(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066(tpr,f) -
RFQ
ECAD 4049 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173英寸,4.40mm宽),5条线索 TLP2066 DC 1 推扣,图腾柱 3v〜3.6V 6-MFSOP,5领先 - 264-TLP2066(TPRF) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 20mbps 5n,4ns 1.6V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 60n,60n
TLP127(FJDK-TL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp127(fjdk-tl,u,f -
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(fjdk-tluf Ear99 8541.49.8000 1 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP532(NEMI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(nemi,f) -
RFQ
ECAD 7466 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP532 - (1 (无限) 264-TLP532(Nemif) Ear99 8541.49.8000 50
TLP109(IGM-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(IgM-TPR,E。 1.9200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP109 DC 1 晶体管 6-SO,5领先 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 8mA - 20V 1.64V 20 ma 3750vrms 25 @ @ 10mA 75 @ @ 10mA 450NS,450NS -
TLP2095(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2095(tpl,f) -
RFQ
ECAD 8380 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP2095 - (1 (无限) 264-TLP2095(TPLF)TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLPN137(S) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137(S) -
RFQ
ECAD 7193 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLPN137 - (1 (无限) 264-TLPN137(S) Ear99 8541.49.8000 50
TLPN137(D4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137(d4,S) -
RFQ
ECAD 7613 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLPN137 - (1 (无限) 264-TLPN137(d4s) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2372(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372(v4,e 1.9100
RFQ
ECAD 8743 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2372 DC 1 推扣,图腾柱 2.2v〜5.5V 6-SO,5领先 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 8 ma 20mbps 2.2NS,1.6NS 1.53V 8mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 75NS,75NS
TLP250H(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(d4,f) 1.7400
RFQ
ECAD 88 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP250 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 8点 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP250H(D4F) Ear99 8541.49.8000 50 2.5 a - 50n,50n 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS,500NS
TLP781F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(d4,f) -
RFQ
ECAD 6927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(D4F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2768A(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2768a(d4-tp,e -
RFQ
ECAD 6459 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2768 DC 1 开放的收藏首页,肖特基夹 2.7V〜5.5V 6-so 下载 (1 (无限) 264-TLP2768A(d4-tpetr Ear99 8541.49.8000 1,500 25 ma 20MBD 30ns,30ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 60n,60n
TLP5705H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(d4,e 1.9300
RFQ
ECAD 8018 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 - 37ns,50ns 1.65V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS,200NS
TLP2348(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348(tpl,e 1.1200
RFQ
ECAD 6742 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2348 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜30V 6-SO,5领先 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50 mA 10Mbps 3NS,3NS 1.55V 15mA 3750vrms 1/0 30kV/µs 120NS,120NS
TLP620-4(D4BLFNC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(d4blfnc,f -
RFQ
ECAD 7592 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 16 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP620 AC,DC 4 晶体管 16二滴 下载 264-TLP620-4(d4blfncf Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP292-4(4LGBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (4LGBTPE 1.7900
RFQ
ECAD 6242 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP292 AC,DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs,3µs 300mv
TLP627-4(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4(lf1,f) -
RFQ
ECAD 5820 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP627 - (1 (无限) 264-TLP627-4(LF1F) Ear99 8541.49.8000 25
DCL540L01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage dcl540l01(t,e 6.3000
RFQ
ECAD 1951年 0.00000000 东芝半导体和存储 DCL540x01 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 通用目的 DCL540 磁耦合 4 2.25V〜5.5V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 1,500 150Mbps 单向 0.9NS,0.9NS 5000vrm 是的 4/0 100kV/µs 18.3ns,18.3ns 2.8NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库