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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP2108(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2108（f） -
RFQ
 ECAD 5512 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2108 DC 2 推扣，图腾柱 4.5V〜20V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 25 ma 5Mbps 30ns，30ns 1.65V 20mA 2500vrms 2/0 10kV/µs 250NS，250NS
TLP116A(E Toshiba Semiconductor and Storage tlp116a（e 1.5100
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP116 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 5A991 8541.49.8000 125 10 MA 20MBD 15ns，15ns 1.58V 20mA 3750vrms 1/0 10kV/µs 60n，60n
TLP267J(T2-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J（t2-tpl，e 1.0700
RFQ
 ECAD 7842 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP267 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 200µA（200µa） 不 500V/µs （典型） 3MA 100µs
TLP185(GB-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185（gb-tpr，e） -
RFQ
 ECAD 7902 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 5µs，9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs，9µs 300mv
TLP2118(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2118（f） -
RFQ
 ECAD 4960 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP2118 - （1 （无限） 264-TLP2118（f） Ear99 8541.49.8000 100
TLP700A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A（tp，f） -
RFQ
 ECAD 3540 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -40°C〜110°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP700 光学耦合 cur，ur，vde 1 6-SDIP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP700A（TPF） Ear99 8541.49.8000 1,500 2a，2a 2.5a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 20kV/µs 200NS，200NS 50ns 15V〜30V
TLPN137(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137（f） 1.5600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLPN137 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50 mA 10MBD 3NS，12NS 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 75NS，75NS
TLP2110(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2110（tp，f） 0.8837
RFQ
 ECAD 5728 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2110 DC 2 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2110（TPF） Ear99 8541.49.8000 2,500 10 MA 5MBD 11n，13ns 1.53V 8mA 2500vrms 2/0 25kV/µs 250NS，250NS
TLP126(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126（f） -
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 ECAD 6421 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP126 AC，DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 150 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP751(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751（d4-lf1，f） -
RFQ
 ECAD 4300 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP751 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD - Rohs符合条件 不适用 TLP751（D4-LF1F） Ear99 8541.49.8000 1,500 8mA - 15V 1.65V 25 ma 5000vrm 10％ @ 16mA - 200NS，1µs -
TLP785(BL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（bl-lf6，f -
RFQ
 ECAD 8967 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（BL-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP385(D4-GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4-grl，e 0.5400
RFQ
 ECAD 1695年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385（d4-grle Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP781(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（grh，f） -
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（GRHF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP184(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184（gr，se 0.5100
RFQ
 ECAD 4422 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP184 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TLP184（grse Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP733(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 （D4-C173，F） -
RFQ
 ECAD 8648 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP733 DC 1 晶体管带有基部 6浸 - Rohs符合条件 不适用 TLP733（D4-C173F） Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 4000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP191B(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B （TPR，U，C，F） -
RFQ
 ECAD 5325 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜80°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP191 DC 1 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 24µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，3ms -
TLP183(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183（bl-tpr，e -
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP183（bl-tpre Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP290-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4 （GB-TP，E） 1.6300
RFQ
 ECAD 4383 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.2V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP385(D4BL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4bl-tl，e 0.5600
RFQ
 ECAD 8553 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP759F(D4-LF4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp759f（d4-lf4，j，f -
RFQ
 ECAD 6069 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD 下载 264-TLP759F D4-LF4JF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP3023SF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3023SF -
RFQ
 ECAD 5537 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 TLP3023 BSI，Semko，Ur 1 TRIAC 6（6 浸（切），5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 400 v 100 ma 600µA（） 不 200V/µs 5mA -
TLP250HF(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF（d4-tp4，f） -
RFQ
 ECAD 6360 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP250 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP250HF（D4-TP4F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500 2 a - 50n，50n 1.57V 5mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS，500NS
TLP385(D4-YH,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4-yh，e 0.5500
RFQ
 ECAD 3567 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385 d4-yhe Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP3052(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3052 （S，C，F） -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 TLP3052 BSI，Semko，Ur 1 TRIAC 6（6 浸（切），5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 10mA -
TLP293(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp293（grh-tpl，e 0.5100
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150 @ @ 500µA 300 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP785(GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（gr，f 0.2172
RFQ
 ECAD 1540年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C TLP785 DC 1 晶体管 下载 （1 （无限） 264-TLP785（grf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP104(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp104（tpl，e 1.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP104 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 8 ma 1Mbps - 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550NS，400NS
TLP2166A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2166A（f） -
RFQ
 ECAD 2622 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2166 DC 2 推扣，图腾柱 3v〜3.63V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2166AF Ear99 8541.49.8000 100 10 MA 15MBD 5n，5ns 1.65V 15mA 2500vrms 2/0 15kV/µs 75NS，75NS
TLP268J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J（e 1.0100
RFQ
 ECAD 7458 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP268 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 200µA（200µa） 是的 500V/µs （典型） 3MA 100µs
TLP280-4(GB,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP280-4 （GB，J，f） -
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 ECAD 6528 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 16-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TLP280 AC，DC 4 晶体管 16 SOP 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
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    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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