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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大）
TLP250HF(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF（d4-tp4，f） -
RFQ
 ECAD 6360 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP250 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP250HF（D4-TP4F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500 2 a - 50n，50n 1.57V 5mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS，500NS
TLP290-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4 （GB-TP，E） 1.6300
RFQ
 ECAD 4383 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.2V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP759F(D4-LF4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp759f（d4-lf4，j，f -
RFQ
 ECAD 6069 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD 下载 264-TLP759F D4-LF4JF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP183(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183（bl-tpr，e -
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP183（bl-tpre Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP250H(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H（tp1，f） 1.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP250 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 1,500 2.5 a - 50n，50n 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS，500NS
TLP759(FA1-T1S,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759（fa1-t1s，J，f -
RFQ
 ECAD 2446 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759（FA1-T1SJF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP2160(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2160（f） -
RFQ
 ECAD 3836 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2160 DC 2 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2160F Ear99 8541.49.8000 100 10 MA 20MBD 15ns，15ns 1.55V 25mA 2500vrms 2/0 20kV/µs 40n，40n
TLP385(D4-YH,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4-yh，e 0.5500
RFQ
 ECAD 3567 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385 d4-yhe Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP104(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp104（tpl，e 1.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP104 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 8 ma 1Mbps - 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550NS，400NS
TLP293(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp293（bl-tpl，e 0.5100
RFQ
 ECAD 7531 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP751(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751（D4-O-LF2，F） -
RFQ
 ECAD 6376 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP751 DC 1 晶体管带有基部 8点 - Rohs符合条件 不适用 TLP751（D4-O-LF2F） Ear99 8541.49.8000 1,500 8mA - 15V 1.65V 25 ma 5000vrm 10％ @ 16mA - 200NS，1µs -
TLP555(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP555（f） -
RFQ
 ECAD 4730 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP555 DC 1 三州 4.5V〜20V 8点 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 40 MA 5Mbps 35NS，20NS 1.55V 10mA 2500vrms 1/0 1kV/µs 400NS，400NS
TLP5754(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754（e 2.7900
RFQ
 ECAD 9858 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5754 光学耦合 CQC，CSA，Cul，UL 1 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 3a，3a 4a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 15V〜30V
TLP2118(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2118（tp，f） -
RFQ
 ECAD 1003 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP2118 - （1 （无限） 264-TLP2118（TPF）TR Ear99 8541.49.8000 2,500
TLP631(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631（f） -
RFQ
 ECAD 1006 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP631 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP719(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719（tp，f） -
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP719 DC 1 晶体管 6-SDIP鸥翼 - Rohs符合条件 （1 （无限） 5A991G 8541.49.8000 1,500 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - 800NS，800NS （最大） -
TLP2761F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F（d4-tp，f） -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2761 AC，DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2761F（D4-TPF） Ear99 8541.49.8000 1,500 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP161J(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J tpl，U，c，f） -
RFQ
 ECAD 2113 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP161 - （1 （无限） 264-TLP161J（TPLUCF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP570(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570 （MB，F） -
RFQ
 ECAD 7499 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP570 - （1 （无限） 264-TLP570（MBSF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP293(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp293（grl-tpl，e 0.5000
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 200 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP750F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750F（d4-tp4，f） -
RFQ
 ECAD 5112 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - （1 （无限） 264-TLP750F（D4-TP4F） Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP280-4(GB,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP280-4 （GB，J，f） -
RFQ
 ECAD 6528 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 16-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TLP280 AC，DC 4 晶体管 16 SOP 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP291(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 （SE 0.5900
RFQ
 ECAD 8438 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） tlp291（se（t Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP732(D4-GR-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732（d4-gr-lf2，f -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP732 DC 1 晶体管 6浸 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 4000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP627M(E(OX4 Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M（OX4） -
RFQ
 ECAD 7369 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP627 DC 1 达灵顿 4点 - （1 （无限） 264-TLP627M（OX4） Ear99 8541.49.8000 25 150mA 60µs，30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000％ @ 1ma - 110µs，30µs 1.2V
TLP281-4(TP,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP281-4（tp，J，f） -
RFQ
 ECAD 4954 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 16-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TLP281 DC 4 晶体管 16 SOP 下载 （1 （无限） 5A991G 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 2500vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP190B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp190b（u，c，f） -
RFQ
 ECAD 8038 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 上次购买 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP190 DC 1 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 150 12µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，1ms -
TLP759(LF1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759（lf1，J，f） -
RFQ
 ECAD 6163 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP759 DC 1 晶体管 8-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP759（LF1JF） Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - 200NS，300NS -
TLP291(GB-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 （GB-TP，SE 0.6000
RFQ
 ECAD 7914 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP152(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP152（tpl，e 1.3000
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP152 光学耦合 - 1 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 2a，2a 2.5a 18NS，22NS 1.57V 20 ma 3750vrms 20kV/µs 145ns，165ns 50ns 10v〜30v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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